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Semi-conducteur discret
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| Lieu d'origine | Appel |
| Nom de marque | onsemi |
| Certification | ROHS |
| Numéro de modèle | FDC5614P |
Le FDC5614P est un transistor MOSFET de PowerTrench® de niveau de logique de P-canal de -60V a été particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance de sur-état et pour maintenir la basse charge de porte pour la représentation de changement supérieure. Le dernier transistor MOSFET moyen de puissance de tension est les commutateurs électriques optimisés combinant la petite charge de porte (QG), la petite charge inverse de récupération (Qrr) et la diode inverse molle de corps de récupération, qui contribue la commutation rapide pour la rectification synchrone dans des alimentations d'énergie d'AC/DC. Il utilise la structure de protéger-porte qui fournit l'équilibre de charge. En utilisant cette technologie de pointe, le FOM (facteur de mérite (QGxRDS (DESSUS))) de ces dispositifs est 66% inférieur à celui de la génération précédente. La représentation douce de diode de corps du nouveau transistor MOSFET de PowerTrench® peut éliminer le circuit de séparateur ou elle peut réduire au minimum les pointes de tension indésirables. Ce produit est utilisation et approprié généraux à beaucoup de différentes applications.
• – 3 A, – 60 V. le RDS (DESSUS) = 0,105 Ω @ VGS = – 10 V le RDS (DESSUS) = 0,135 Ω @ VGS = – 4,5 V
• Vitesse de changement rapide
• Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS)
• Convertisseurs de DC-DC
• Commutateur de charge
• Gestion de puissance
| Attribut | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Fabricant | SUR le semi-conducteur |
| Catégorie de produit | FETs - simples |
| Emballage | Bobine |
| Partie-noms d'emprunt | FDC5614P_NL |
| Unité-poids | 0,001270 onces |
| De style du support | SMD/SMT |
| Paquet-cas | SSOT-6 |
| Technologie | SI |
| Nombre-de-canaux | La 1 Manche |
| Configuration | Drain simple de quadruple |
| De type transistor | 1 P-canal |
| Palladium-Puissance-dissipation | 1,6 W |
| Température de fonctionnement maximum | + 150 C |
| Gamme de température de fonctionnement | - 55 C |
| Chute fois | 10 NS |
| Temps de montée | 10 NS |
| Vgs-Porte-Source-tension | 20 V |
| Identification (courant de drain) | 3 A |
| Vds-Drain-Source-Panne-tension | - 60 V |
| RDS-Sur-Drain-Source-résistance | 105 mOhms |
| Transistor-polarité | P-canal |
| Typique Tour Retard fois | 19 NS |
| Temps de retard d'ouverture | 7 NS |
| Transconductance | 8 S |
| Canal-mode | Amélioration |
| FDC5614P_NF073 | Petit transistor d'effet de champ de signal, 3A I (D), 60V, 1-Element, P-canal, silicium, FET de semi-conducteur d'oxyde métallique, SANS PLOMB, SUPERSOT-6 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDC5614P contre FDC5614P_NF073 |
| FDC5614P | Transistor MOSFET de PowerTrenchR de P-canal, niveau de logique, 60V -3A, 105mΩ, 3000-REEL | SUR le semi-conducteur | FDC5614P contre FDC5614P |
| FDC5614P_NL | Petit transistor d'effet de champ de signal, 3A I (D), 60V, 1-Element, P-canal, silicium, FET de semi-conducteur d'oxyde métallique, SANS PLOMB, SUPERSOT-6 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDC5614P contre FDC5614P_NL |
| FDC5614PT/R_NL | Petit transistor d'effet de champ de signal, 3A I (D), 60V, 1-Element, P-canal, silicium, FET de semi-conducteur d'oxyde métallique, SANS PLOMB, SUPERSOT-6 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDC5614P contre FDC5614PT/R_NL |
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