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| Luogo di origine | Chiamata |
| Marca | onsemi |
| Certificazione | ROHS |
| Numero di modello | FDC5614P |
Il FDC5614P è un MOSFET di PowerTrench® del livello logico di P-Manica di -60V specialmente è stato adattato per minimizzare la resistenza dello su stato e per mantenere la tassa bassa del portone per la prestazione di commutazione superiore. L'ultimo MOSFET medio di potere di tensione è interruttori di accensione ottimizzati che combinano la piccola tassa del portone (QG), la piccola tassa inversa di recupero (Qrr) ed il diodo inverso molle del corpo di recupero, che contribuisce la commutazione veloce per la rettifica sincrona nelle alimentazioni elettriche di AC/DC. Impiega la struttura del proteggere-portone che fornisce l'equilibrio della tassa. Utilizzando questa tecnologia avanzata, il FOM (figura di merito (QGxRDS (SOPRA))) di questi dispositivi è 66% più basso di quello della generazione precedente. La prestazione morbida del diodo del corpo di nuovo MOSFET di PowerTrench® può eliminare il circuito del freno a fune o può minimizzare le punte di tensione indesiderabili. Questo prodotto è uso ed adatto generali a molte applicazioni differenti.
• – 3 A, – 60 V. RDS (SOPRA) = 0,105 Ω @ VGS = – 10 V RDS (SOPRA) = 0,135 Ω @ VGS = – 4,5 V
• Velocità di commutazione veloce
• Tecnologia della fossa di rendimento elevato per estremamente - RDS basso (SOPRA)
• Convertitori cc-cc
• Commutatore del carico
• Gestione di potere
| Attributo | Valore di attributo |
|---|---|
| Produttore | Sul semiconduttore |
| Categoria di prodotto | FETs - singoli |
| Imballaggio | Bobina |
| Parziale pseudonimi | FDC5614P_NL |
| Unità-peso | 0,001270 once |
| Stile montaggio | SMD/SMT |
| Pacchetto-caso | SSOT-6 |
| Tecnologia | Si |
| Numero-de-canali | 1 Manica |
| Configurazione | Singolo scolo del quadrato |
| Transistor tipo | 1 P-Manica |
| Palladio-Potere-dissipazione | 1,6 W |
| Temperatura di funzionamento massima | + 150 C |
| Gamma di temperatura di funzionamento | - 55 C |
| Tempo caduta | 10 NS |
| Tempo di salita | 10 NS |
| Vgs-Portone-Fonte-tensione | 20 V |
| Identificazione (corrente dello scolo) | 3 A |
| Vds-Scolo-Fonte-Ripartizione-tensione | - 60 V |
| RDS-Su-Scolo-Fonte-resistenza | 105 mOhms |
| Transistor-polarità | P-Manica |
| Tempo tipico | 19 NS |
| Tempo di ritardo d'apertura | 7 NS |
| Transconduttanza | 8 S |
| Manica-modo | Potenziamento |
| FDC5614P_NF073 | Piccolo transistor di effetto di campo del segnale, 3A I (D), 60V, 1-Element, P-Manica, silicio, FET a semiconduttore di ossido metallico, SENZA PIOMBO, SUPERSOT-6 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDC5614P contro FDC5614P_NF073 |
| FDC5614P | MOSFET di PowerTrenchR di P-Manica, livello logico, 60V -3A, 105mΩ, 3000-REEL | Sul semiconduttore | FDC5614P contro FDC5614P |
| FDC5614P_NL | Piccolo transistor di effetto di campo del segnale, 3A I (D), 60V, 1-Element, P-Manica, silicio, FET a semiconduttore di ossido metallico, SENZA PIOMBO, SUPERSOT-6 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDC5614P contro FDC5614P_NL |
| FDC5614PT/R_NL | Piccolo transistor di effetto di campo del segnale, 3A I (D), 60V, 1-Element, P-Manica, silicio, FET a semiconduttore di ossido metallico, SENZA PIOMBO, SUPERSOT-6 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDC5614P contro FDC5614PT/R_NL |
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