FDC5614Pは-60VのP-channelの論理のレベルのPowerTrench® MOSFET特に合ったオン州の抵抗を最小にし、優秀な転換の性能のための低いゲート充満を維持するためにである。最も最近の中型の電圧力MOSFETは小さいゲート充満(QG)、小さい逆の回復充満(Qrr)およびAC/DCの電源の同期改正のための速い切換えを貢献する柔らかい逆の回復ボディ ダイオードを結合する最大限に活用された電源スイッチである。それは充満バランスを提供する保護ゲートの構造を用いる。この先端技術の利用によって、FOM ((QGxRDS ())性能指数)これらの装置の前の生成のそれより低い66%はある。PowerTrench®新しいMOSFETの柔らかいボディ ダイオードの性能は揺れ止め回路を除去できるか、または望ましくない電圧スパイクを最小にすることができる。このプロダクトは多くの異なった適用のために一般的な使用法そして適している。
•– 3 A、– 60 V. RDS () = 0.105のΩ @ VGS = – 10ボルトRDS () = 0.135のΩ @ VGS = – 4.5ボルト
•速い切り替え速度
•極端に低いRDSのための高性能の堀の技術()
•DC-DCのコンバーター
•負荷スイッチ
•力管理
属性 | 属性値 |
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製造業者 | オン・セミコンダクター |
製品カテゴリ | 単一FETs - |
包装 | 巻き枠 |
一部別名 | FDC5614P_NL |
単位重量 | 0.001270 oz |
土台式 | SMD/SMT |
パッケージ場合 | SSOT-6 |
技術 | Si |
数のチャネル | 1つのチャネル |
構成 | 単一のクォードの下水管 |
トランジスター タイプ | 1つのP-Channel |
Pd力消滅 | 1.6 W |
最高使用可能温度 | + 150 C |
実用温度範囲 | - 55 C |
落下時間 | 10 ns |
立上り時間 | 10 ns |
Vgsゲート源電圧 | 20ボルト |
ID (下水管の流れ) | 3 A |
Vds下水管源故障電圧 | - 60ボルト |
Rds下水管源抵抗 | 105のmOhms |
トランジスター極性 | P-Channel |
典型的回転遅れ時間 | 19 ns |
Turn-On遅れ時間 | 7 ns |
相互コンダクタンス | 8 S |
チャネル モード | 強化 |
FDC5614P_NF073 | 小さい信号のField-Effectのトランジスター、3A I (D)、60Vの1要素、P-Channel、ケイ素、無鉛金属酸化膜半導体FET SUPERSOT-6 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDC5614P対FDC5614P_NF073 |
FDC5614P | P-ChannelのPowerTrenchR MOSFETの論理のレベル、60V -3A、105mΩ、3000-REEL | オン・セミコンダクター | FDC5614P対FDC5614P |
FDC5614P_NL | 小さい信号のField-Effectのトランジスター、3A I (D)、60Vの1要素、P-Channel、ケイ素、無鉛金属酸化膜半導体FET SUPERSOT-6 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDC5614P対FDC5614P_NL |
FDC5614PT/R_NL | 小さい信号のField-Effectのトランジスター、3A I (D)、60Vの1要素、P-Channel、ケイ素、無鉛金属酸化膜半導体FET SUPERSOT-6 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDC5614P対FDC5614PT/R_NL |
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