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Semi-conducteur discret
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| Lieu d'origine | Appel |
| Nom de marque | onsemi |
| Certification | ROHS |
| Numéro de modèle | NRVB1H100SFT3G |
Fiche technique de NRVB1H100SFT3G
Détails de produit
Paquet SOD−123 en plastique
Ce dispositif emploie le principe de barrière de Schottky avec une diode de puissance de metal−to−silicon de vaste zone. Dans le meilleur des cas adapté pour la basse tension, la rectification à haute fréquence ou en tant que le roulement libre et diodes de protection de polarité dans les applications extérieures de bâti où la dimension compacte et le poids sont critiques au système. Ce paquet fournit également un facile à travailler avec l'alternative au style sans plomb de 34 paquets.
• Guardring pour la protection d'effort
• Basse tension en avant
• la température de jonction 125°C fonctionnante
• UL époxyde 94 V−0 @ 0,125 de rassemblements po
• Paquet conçu pour l'Assemblée automatisée optimale de conseil
• Estimation d'ESD :
* modèle de corps humain = 3
* modèle de machine = C
• Préfixe de NRVB pour applications des véhicules à moteur et autres exigeant des conditions uniques de rupture de site et de contrôle ; AEC-Q101 a qualifié et PPAP capable
• Ce sont Pb−Free Packages*
| Attribut | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Fabricant | onsemi |
| Catégorie de produit | Diodes, redresseurs - simples |
| Série | Des véhicules à moteur, AEC-Q101 |
| Produit | Redresseurs de Schottky |
| Emballage | Emballage alternatif |
| De style du support | SMD/SMT |
| Paquet-cas | SOD-123F |
| Technologie | SI |
| De type support | Bâti extérieur |
| Fournisseur-Dispositif-paquet | SOD-123FL |
| Configuration | Simple |
| Vitesse | Récupération rapide = 200mA (E/S) |
| De type diode | Schottky |
| Actuel-Inverse-fuite-Vr | 40μA @ 100V |
| Tension-En Avant-Vf-Maximum-si | 760mV @ 1A |
| Tension-C.C-inverse-Vr-maximum | 100V |
| Actuel-Moyen-Rectifier-E/S | 1A |
| Inverse-Récupération-temps-trr | - |
| Capacité-Vr-f | - |
| Actionner-Température-jonction | -65°C | 175°C |
| Température de fonctionnement maximum | + 175 C |
| Gamme de température de fonctionnement | - 65 C |
| Vf-En avant-tension | 0,84 V à 2 A |
| IR-Inverse-actuel | 40 uA |
| Si-En avant-actuel | 1 A |
| Vrrm-Répétitif-Inverse-tension | 100 V |
| Ifsm-En Avant-Montée-actuel | 50 A |
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