Das FDC5614P ist ein PowerTrench® des -60V P-Kanallogischen zustandes MOSFET ist hergestellt worden besonders, um den Durchlasswiderstand herabzusetzen und niedrige Torgebühr für überlegene zugeschaltete Leistung beizubehalten. Der späteste Mittelspannungsmacht MOSFET ist die optimierten Netzschalter, die kleinen Torvorwurf (QG) kombinieren, kleinen Rückwiederaufnahmevorwurf (Qrr) und weiche Rückwiederaufnahmekörperdiode, die schnelle Schaltung für synchrone Korrektur in AC-/DCstromversorgung beiträgt. Er setzt Abschirmentorstruktur ein, die Vorwurfsbalance liefert. Durch die Benutzung dieser neuen Technologie, das FOM (Leistungszahl (QGxRDS (AN))) von diesen Geräten ist 66%, das der vorheriger Generation niedriger als das ist. Weiche Körperdiodenleistung neuen PowerTrench® MOSFET ist in der Lage, Niederhalterstromkreis zu beseitigen, oder sie kann die unerwünschten Spannungsspitzen herabsetzen. Dieses Produkt ist für viele verschiedenen Anwendungen allgemeine Verwendung und passend.
• – 3 A, – 60 V. RDS (AN) = 0,105 Ω @ VGS = – 10 V RDS (AN) = 0,135 Ω @ VGS = – 4,5 V
• Schnelle Schaltverzögerung
• Hochleistungsgrabentechnologie für extrem - niedriges RDS (AN)
• DC-DC Konverter
• Lastsschalter
• Energiemanagement
Attribut | Attribut-Wert |
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Hersteller | AUF Halbleiter |
Produkt-Kategorie | FETs - einzeln |
Verpacken | Spule |
Teil-angenommener Name | FDC5614P_NL |
Stückgewicht | 0,001270 Unze |
Montage-ähnlich | SMD/SMT |
Paket-Fall | SSOT-6 |
Technologie | Si |
Zahl-von-Kanäle | 1 Kanal |
Konfiguration | Einzelner Viererkabel-Abfluss |
Transistor-artig | 1 P-Kanal |
PD-Energie-Ableitung | 1,6 W |
Normalbetriebshöchsttemperatur | + 150 C |
Betriebstemperaturbereich | - 55 C |
Abfallzeit | 10 ns |
Anlaufzeit | 10 ns |
Vgs-Tor-Quelle-Spannung | 20 V |
Identifikation (Abflussstrom) | 3 A |
Vds-Abfluss-Quelle-Zusammenbruch-Spannung | - 60 V |
RDS-Auf-Abfluss-Quelle-Widerstand | 105 mOhms |
Transistor-Polarität | P-Kanal |
Typisch-Drehung-Weg-Verzögerung-mal | 19 ns |
Einschaltverzögerungs-Zeit | 7 ns |
Transconductance | 8 S |
Kanal-Modus | Verbesserung |
FDC5614P_NF073 | Differenzieller Feldeffekttransistor, 3A I (D), 60V, 1-Element, P-Kanal, Silikon, Metallhalbleiter FET, BLEIFREI, SUPERSOT-6 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDC5614P gegen FDC5614P_NF073 |
FDC5614P | P-Kanal PowerTrenchR MOSFET, logischer Zustand, 60V -3A, 105mΩ, 3000-REEL | AUF Halbleiter | FDC5614P gegen FDC5614P |
FDC5614P_NL | Differenzieller Feldeffekttransistor, 3A I (D), 60V, 1-Element, P-Kanal, Silikon, Metallhalbleiter FET, BLEIFREI, SUPERSOT-6 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDC5614P gegen FDC5614P_NL |
FDC5614PT/R_NL | Differenzieller Feldeffekttransistor, 3A I (D), 60V, 1-Element, P-Kanal, Silikon, Metallhalbleiter FET, BLEIFREI, SUPERSOT-6 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDC5614P gegen FDC5614PT/R_NL |
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