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Semicondutor discreto
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| Lugar de origem | Chamada |
| Marca | onsemi |
| Certificação | ROHS |
| Número do modelo | FDC5614P |
O FDC5614P é um MOSFET de PowerTrench® do nível da lógica do P-canal de -60V foi costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado e para manter a baixa carga da porta para o desempenho de comutação superior. O MOSFET médio o mais atrasado do poder da tensão é interruptores de alimentação aperfeiçoados que combinam a carga pequena da porta (QG), a carga reversa pequena da recuperação (Qrr) e o diodo reverso macio do corpo da recuperação, que contribui o interruptor rápido para a correção síncrono em fontes de alimentação de AC/DC. Emprega a estrutura da proteger-porta que fornece o equilíbrio da carga. Utilizando esta tecnologia avançada, o FOM (figura de mérito (QGxRDS (SOBRE))) destes dispositivos é 66% mais baixo do que aquele da geração precedente. O desempenho macio do diodo do corpo do MOSFET novo de PowerTrench® pode eliminar o circuito do retentor ou pode minimizar os pontos de tensão indesejáveis. Este produto é uso e apropriado gerais para muitas aplicações diferentes.
• – 3 A, – 60 V. RDS (SOBRE) = 0,105 Ω @ VGS = – 10 V RDS (SOBRE) = 0,135 Ω @ VGS = – 4,5 V
• Velocidade de comutação rápida
• Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (SOBRE)
• Conversores de DC-DC
• Interruptor da carga
• Gestão do poder
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | No semicondutor |
| Categoria de produto | FETs - únicos |
| Empacotamento | Carretel |
| Parte-pseudônimos | FDC5614P_NL |
| Unidade-peso | 0,001270 onças |
| Montagem-estilo | SMD/SMT |
| Pacote-caso | SSOT-6 |
| Tecnologia | Si |
| Número--canais | 1 canal |
| Configuração | Único dreno do quadrilátero |
| Transistor-tipo | 1 P-canal |
| Paládio-Poder-dissipação | 1,6 W |
| Temperatura de funcionamento máximo | + 150 C |
| Variação da temperatura de funcionamento | - 55 C |
| Queda-tempo | 10 ns |
| Elevação-tempo | 10 ns |
| Vgs-Porta-Fonte-tensão | 20 V |
| Identificação (corrente do dreno) | 3 A |
| Vds-Dreno-Fonte-Divisão-tensão | - 60 V |
| RDS-Em-Dreno-Fonte-resistência | 105 mOhms |
| Transistor-polaridade | P-canal |
| Típico-Volta-Fora-Atraso-tempo | 19 ns |
| Tempo de atraso de ligação | 7 ns |
| Transcondutância | 8 S |
| Canal-modo | Realce |
| FDC5614P_NF073 | Transistor pequeno do efeito de campo do sinal, 3A I (D), 60V, 1-Element, P-canal, silicone, FET do semicondutor de Metal-óxido, SEM CHUMBO, SUPERSOT-6 | Fairchild Semicondutor Corporaçõ | FDC5614P contra FDC5614P_NF073 |
| FDC5614P | MOSFET de PowerTrenchR do P-canal, nível da lógica, 60V -3A, 105mΩ, 3000-REEL | No semicondutor | FDC5614P contra FDC5614P |
| FDC5614P_NL | Transistor pequeno do efeito de campo do sinal, 3A I (D), 60V, 1-Element, P-canal, silicone, FET do semicondutor de Metal-óxido, SEM CHUMBO, SUPERSOT-6 | Fairchild Semicondutor Corporaçõ | FDC5614P contra FDC5614P_NL |
| FDC5614PT/R_NL | Transistor pequeno do efeito de campo do sinal, 3A I (D), 60V, 1-Element, P-canal, silicone, FET do semicondutor de Metal-óxido, SEM CHUMBO, SUPERSOT-6 | Fairchild Semicondutor Corporaçõ | FDC5614P contra FDC5614PT/R_NL |
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é um corporaçõ profissional do mercado eletrônico contratado inteiramente nos campos dos semicondutores e de componentes eletrônicos venda e no serviço para clientes sobre 10 anos, especializa-se em vender o novo e a fábrica não utilizada, original selou componentes eletrônicos de embalagem. especialize-se em IC, diodo, transistor, IGBT, *** do conversor de DC-DC ..... estabeleceu nossa própria concepção do serviço das vendas e já estabeleceu parcerias fortes com muitos fabricantes famosos e nós temos mais de 5.000.000 tipos de componentes eletrônicos para suas escolhas, sempre em seus serviços!
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