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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | onsemi |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | FDC5614P |
FDC5614P는 -60V P-채널 논리 레벨 PowerTrench® MOSFET이 온-상태 저항을 최소화하고 뛰어난 접속품질에 대한 낮은 게이트 요금을 유지하기 위해 특별히 맞춰졌다는 것 입니다. 최근 고압 파워 모스펫은 AC / DC 전력 공급 장치에 동기 정류를 위한 고속 스위칭을 기여하는 작은 게이트전하 (QG), 작은 역회복 전하 (큐르르)와 부드러운 역-복구 바디 다이오드를 결합시키는 최적화된 전원 스위치입니다. 그것은 전하 균형을 제공하는 보호해야 하는 게이트 구조를 사용합니다. 이 진보 기술을 활용함으로써의, FOM (최적의 값 (큐그스르드스 (ON))) 이러한 장치의 66%가 이전 세대의 그것보다 낮습니다. 새로운 PowerTrench® MOSFET의 연조직 다이오드 성능은 완충기 회로를 제거할 수 있거나 그것이 탐탐치 않은 전압 스파이크를 최소화할 수 있습니다. 이 제품은 일반적 용법이고 많은 다른 응용 프로그램에 적합합니다.
한 오우 -3, VGS = -4.5 Ｖ에 있는 VGS = -10 Ｖ RDS(ON) = 0.135 Ω에 있는 -60 V. RDS(ON) = 0.105 Ω
오우 고속 스위칭 속도
극단적으로 낮은 RDS(ON)를 위한 오우 고성능 트렌치 기술
오우 직류-직류 변환기
오우 로드 스위치
오우 전원관리
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | ON 반도체 |
| 상품 카테고리 | FET - 단일 |
| 패키징 | 릴 |
| 부분적 가칭 | fdc5614p_nl |
| 단일 가중치 | 0.001270 온스 |
| 증가하는 방식 | SMD / SMT |
| 포장 케이스 | SSOT-6 |
| 기술 | Si |
| 채널 수 | 1개 채널 |
| 구성 | 한 개의 쿼드 배수 |
| 트랜지스터 유형 | 1 P-채널 |
| Pd 전원 산재 | 1.6 Ｗ |
| 최대 작업 온도 | + 150 Ｃ |
| 작동 온도 범위 | - 55 Ｃ |
| 낙하 시간 | 10 나노 초 |
| 오름시간 | 10 나노 초 |
| 브그스 게이츠 원천 전압 | 20 Ｖ |
| ID (드레인전류) | 3 A |
| Vds 배수 원천 고장 전압 | - 60 Ｖ |
| Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 105 모엠에스 |
| 트랜지스터 극성 | P-채널 |
| 전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 | 19 나노 초 |
| 턴 온 지연 시간 | 7 나노 초 |
| 상호컨덕턴스 | 8 Ｓ |
| 채널 모드 | 향상 |
| FDC5614P NF073 | 작게 신호 트랜지스터 FET, 3A I(D), 60V, 1-요소, P-채널, 실리콘, 금속-산소 반도체 전계 효과 트랜지스터, 무연성, SUPERSOT-6 | 페어차일드 세미컨덕터 코퍼레이션 | FDC5614P 대 FDC5614P NF073 |
| FDC5614P | P-채널 파워트렌치르 MOSFET, 논리 레벨, 60V -3A, 105mΩ, 3000-릴 | ON 반도체 | FDC5614P 대 FDC5614P |
| fdc5614p_nl | 작게 신호 트랜지스터 FET, 3A I(D), 60V, 1-요소, P-채널, 실리콘, 금속-산소 반도체 전계 효과 트랜지스터, 무연성, SUPERSOT-6 | 페어차일드 세미컨덕터 코퍼레이션 | FDC5614P 대 fdc5614p_nl |
| FDC5614PT/R_NL | 작게 신호 트랜지스터 FET, 3A I(D), 60V, 1-요소, P-채널, 실리콘, 금속-산소 반도체 전계 효과 트랜지스터, 무연성, SUPERSOT-6 | 페어차일드 세미컨덕터 코퍼레이션 | FDC5614P 대 FDC5614PT/R_NL |
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