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| Lugar de origen | Llamada |
| Nombre de la marca | onsemi |
| Certificación | ROHS |
| Número de modelo | FDC5614P |
El FDC5614P es un MOSFET de PowerTrench® del nivel de la lógica del P-canal de -60V se ha adaptado especialmente para minimizar la resistencia del en-estado y para mantener la carga baja de la puerta para el funcionamiento que cambia superior. El último MOSFET medio del poder del voltaje es interruptores optimizados que combinan la pequeña carga de la puerta (QG), la pequeña carga reversa de la recuperación (Qrr) y el diodo reverso suave del cuerpo de la recuperación, que contribuye la transferencia rápida para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de AC/DC. Emplea la estructura de la proteger-puerta que proporciona la balanza de la carga. Utilizando esta tecnología avanzada, el FOM (figura del mérito (QGxRDS (ENCENDIDO))) de estos dispositivos es el 66% más bajo que el de la generación anterior. El funcionamiento suave del diodo del cuerpo del nuevo MOSFET de PowerTrench® puede eliminar el circuito del tambor de frenaje o puede minimizar los puntos de voltaje indeseables. Este producto es uso y conveniente generales para muchos diversos usos.
• – 3 A, – 60 V. RDS (ENCENDIDO) = 0,105 Ω @ VGS = – 10 V RDS (ENCENDIDO) = 0,135 Ω @ VGS = – 4,5 V
• Velocidad que cambia rápida
• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO)
• Convertidores de DC-DC
• Interruptor de la carga
• Gestión del poder
| Cualidad | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | EN el semiconductor |
| Categoría de producto | FETs - solos |
| Empaquetado | Carrete |
| Parte-alias | FDC5614P_NL |
| Unidad-peso | 0,001270 onzas |
| Montaje-estilo | SMD/SMT |
| Paquete-caso | SSOT-6 |
| Tecnología | Si |
| Número-de-canales | 1 canal |
| Configuración | Solo dren del patio |
| Transistor-tipo | 1 P-canal |
| Paladio-Poder-disipación | 1,6 W |
| Temperatura de funcionamiento máximo | + 150 C |
| Gama de temperaturas de funcionamiento | - 55 C |
| Caída-tiempo | 10 ns |
| Tiempo de formación | 10 ns |
| Vgs-Puerta-Fuente-voltaje | 20 V |
| Identificación (corriente del dren) | 3 A |
| Vds-Dren-Fuente-Avería-voltaje | - 60 V |
| Rds-En-Dren-Fuente-resistencia | 105 mOhms |
| Transistor-polaridad | P-canal |
| Típico-Vuelta-Apagado-Retraso-tiempo | 19 ns |
| Tiempo de retraso de abertura | 7 ns |
| Transconductancia | 8 S |
| Canal-modo | Aumento |
| FDC5614P_NF073 | Pequeño transistor del efecto de campo de la señal, 3A I (D), 60V, 1-Element, P-canal, silicio, FET del semiconductor de óxido metálico, SIN PLOMO, SUPERSOT-6 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDC5614P contra FDC5614P_NF073 |
| FDC5614P | MOSFET de PowerTrenchR del P-canal, nivel de la lógica, 60V -3A, 105mΩ, 3000-REEL | EN el semiconductor | FDC5614P contra FDC5614P |
| FDC5614P_NL | Pequeño transistor del efecto de campo de la señal, 3A I (D), 60V, 1-Element, P-canal, silicio, FET del semiconductor de óxido metálico, SIN PLOMO, SUPERSOT-6 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDC5614P contra FDC5614P_NL |
| FDC5614PT/R_NL | Pequeño transistor del efecto de campo de la señal, 3A I (D), 60V, 1-Element, P-canal, silicio, FET del semiconductor de óxido metálico, SIN PLOMO, SUPERSOT-6 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDC5614P contra FDC5614PT/R_NL |
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