Полупроводники W971GG6SB-25 SAMA5D2 Мемориальные интерфейсы 1 Гбит DDR2 SDRAM / 2 Гбит LPDDR2

                                                                  W971GG6SB-25 Лист данных

Спецификации

Функционально совместимый компонент

Подробная информация о продукции

Общее описание

W971GG6SB представляет собой 1G битную DDR2 SDRAM, организованную в 8,388Это устройство достигает высокой скорости передачи данных до 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) для различных приложений. W971GG6SB сортируется на следующие категории: -18, 18I,- 25Части класса -18 и 18I соответствуют спецификации DDR2-1066 (6-6-6) (промышленный класс 18I, который гарантированно поддерживает -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C).Части класса -25 и 25I соответствуют спецификации DDR2-800 (5-5-5) или DDR2-800 (6-6-6) (промышленный класс 25I, который гарантированно поддерживает -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C)Части класса -3 соответствуют спецификации DDR2-667 (5-5-5).
Все входы управления и адресации синхронизированы с парой дифференциальных часов, поставляемых извне.Входы блокируются в перекрестной точке дифференциальных часов (высокая и понижающая CLK)Все вводы/выводы синхронизируются с одноконтактной парой DQS или дифференциальной парой DQS-DQS в синхронном виде.

СТРАНИЦЫ

● Силовое питание: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
● Архитектура двойной скорости передачи данных: две передачи данных в часовой цикл
● CAS-задержка: 3, 4, 5, 6 и 7
● Длина взрыва: 4 и 8
● Двунаправленные дифференциальные страбофоры (DQS и DQS) передаются / принимаются с данными
● Рядом с данными чтения и в центре с данными записи
● DLL выстраивает переходы DQ и DQS с часами
● Дифференциальные входы часов (CLK и CLK)
● Маски данных (DM) для записи данных
● Команды, введенные на каждом положительном краю CLK, данные и маска данных ссылаются на
обе стороны DQS
● Зарегистрированная программируемая аддитивная задержка CAS поддерживается для выполнения команд и
эффективность шины передачи данных
● Читать задержку = аддитивную задержку плюс CAS-задержку (RL = AL + CL)
● Регулирование импеданса (OCD) и On-Die-Termination (ODT)
улучшение качества сигнала
● Автоматическое предварительное заряжение для чтения и записи
● Автоматическое обновление и самообновление
● Заранее заряженное отключение питания и активное отключение питания
● Написать маску данных
● Запишите задержку = задержку чтения - 1 (WL = RL - 1)
● Интерфейс: SSTL_18
● Упаковано в WBGA 84 Ball (8x12,5 мм2), используя материалы без свинца и соответствующие требованиям RoHS

УстройствоОписания

DRAM Чип DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA

Кто мы такие?

является профессиональной корпорацией по электронному маркетингу, полностью занимающейся продажей и обслуживанием полупроводников и электронных компонентов для клиентов более 10 лет,Специализируются на продаже новых и неиспользованныхОригинальные заводские герметичные электронные компоненты. Специализируемся на ИС, диодах, транзисторах, IGBT, преобразователях DC-DC...***у нас есть собственная концепция продаж, и мы уже установили тесные партнерские отношения со многими известными производителями, и у нас более 5 000 сотрудников.,0001000 видов электронных компонентов для вашего выбора, всегда в вашем распоряжении!