Les circuits intégrés de mémoire SAMA5D2 de 1 Gbit DDR2 SDRAM / 2 Gbit LPDDR2

                                                                  W971GG6SB-25 Fiche de données

Les spécifications

Composant fonctionnel compatible

Détails du produit

Définition générale

Le W971GG6SB est une mémoire SD-RAM DDR2 de 1G bits, organisée en 8,388,608 mots 8 banques 16 bits. Cet appareil atteint des taux de transfert à haute vitesse allant jusqu'à 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) pour diverses applications.- 25 ansLes pièces de catégorie -18 et 18I sont conformes à la spécification DDR2-1066 (6-6-6) (la catégorie industrielle 18I qui est garantie pour supporter -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C).Les pièces de catégorie -25 et 25I sont conformes aux spécifications DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) (la catégorie industrielle 25I qui est garantie pour supporter -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C)Les pièces de grade -3 sont conformes à la spécification DDR2-667 (5-5-5).
Toutes les entrées de contrôle et d'adresse sont synchronisées avec une paire d'horloges différentielles fournies de l'extérieur.Les entrées sont verrouillées au point de croisement des horloges différentielles (CLK en hausse et CLK en baisse)Toutes les entrées/sorties sont synchronisées avec un DQS à extrémité unique ou une paire différentielle DQS-DQS de manière synchrone avec la source.

Caractéristiques

● L'alimentation électrique: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
● Architecture à double débit de données: deux transferts de données par cycle d'horloge
● CAS latence: 3, 4, 5, 6 et 7
● Longueur de l'explosion: 4 et 8
● Les strobes bidirectionnelles et différentielles (DQS et DQS) sont transmises/reçues avec les données
● Bordure alignée avec les données de lecture et centre alignée avec les données d'écriture
● DLL aligne les transitions DQ et DQS avec l'horloge
● Les entrées d'horloge différentielle (CLK et CLK)
● Masques de données (DM) pour l'écriture de données
● Les commandes entrées sur chaque bord CLK positif, les données et le masque de données sont référencées à
les deux bords du DQS
● La latence additive programmable du CAS publiée est prise en charge pour effectuer des commandes et des
Efficacité du bus de données
● Lecture de la latence = latence additive plus latence CAS (RL = AL + CL)
● Réglage de l'impédance hors puce-conducteur (OCD) et de la terminaison à l'arrêt (ODT) pour
une meilleure qualité du signal
● Fonction de précharge automatique pour les rafales de lecture et d'écriture
● Les modes de mise à jour automatique et auto-actualisation
● Éteindre l'alimentation préchargée et l'alimentation active
● Écrire un masque de données
● Écrire la latence = la latence de lecture - 1 (WL = RL - 1)
● Interface: SSTL_18
● Emballé dans une boule WBGA 84 (8x12,5 mm2), avec des matériaux sans plomb et conformes à la norme RoHS

DispositifDécrits

La carte SD est un fichier graphique.

Qui nous sommes?

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