Ημιαγωγός W971GG6SB-25 SAMA5D2 Μνήμη IC 1 Gbit DDR2 SDRAM / 2 Gbit LPDDR2

                                                                  Δελτίο δεδομένων W971GG6SB-25

Προδιαγραφές

Λειτουργικό συμβατό στοιχείο

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Γενική περιγραφή

Το W971GG6SB είναι μια 1G bit DDR2 SDRAM, οργανωμένη ως 8,388Η συσκευή αυτή επιτυγχάνει ταχύτητες μεταφοράς έως και 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) για διάφορες εφαρμογές.-25Τα εξαρτήματα της κατηγορίας -18 και 18I συμμορφώνονται με τις προδιαγραφές DDR2-1066 (6-6-6) (η βιομηχανική κατηγορία 18I που εγγυάται υποστήριξη -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C).Τα εξαρτήματα κλάσης -25 και 25I συμμορφώνονται με τις προδιαγραφές DDR2-800 (5-5-5) ή DDR2-800 (6-6-6) (η βιομηχανική κλάση 25I η οποία εγγυάται υποστήριξη -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C)Τα εξαρτήματα βαθμού -3 συμμορφώνονται με τις προδιαγραφές DDR2-667 (5-5-5).
Όλες οι εισροές ελέγχου και διεύθυνσης συγχρονίζονται με ένα ζευγάρι εξωτερικά εφοδιασμένα διαφορικά ρολόγια.Οι εισροές είναι κλειδωμένες στο σημείο διασταύρωσης των διαφορικών ρολογιών (αύξηση CLK και πτώση CLK). Όλες οι Ε/Ε συγχρονίζονται με ένα ενιαίο DQS ή διαφορικό ζεύγος DQS-DQS με συγχρονισμένο τρόπο.

Ειδικά χαρακτηριστικά

● Ηλεκτρική τροφοδοσία: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
● Αρχιτεκτονική διπλής ταχύτητας δεδομένων: δύο μεταφορές δεδομένων ανά κύκλο ρολογιού
● CAS καθυστέρηση: 3, 4, 5, 6 και 7
● Διάρκεια εκρήξεως: 4 και 8
● Μεταδίδονται / λαμβάνονται δεδομένα με αμφίδρομες, διαφορικές στροβίδες δεδομένων (DQS και DQS)
● Τμήμα ευθυγραμμισμένο με δεδομένα ανάγνωσης και κέντρο ευθυγραμμισμένο με δεδομένα εγγραφής
● Το DLL ευθυγραμμίζει τις μεταβάσεις DQ και DQS με το ρολόι
● Διαφορετικές εισόδους ρολογιού (CLK και CLK)
● Μάσκες δεδομένων (DM) για την εγγραφή δεδομένων
● Οι εντολές που εισάγονται σε κάθε θετικό άκρο CLK, δεδομένα και μάσκα δεδομένων αναφέρονται σε
και οι δύο άκρες του DQS
● Τοποθετημένη CAS προγραμματισμένη πρόσθετη καθυστέρηση υποστηρίζεται για να κάνει εντολή και
αποδοτικότητα λεωφορείου δεδομένων
● Διαβάστε καθυστέρηση = πρόσθετη καθυστέρηση συν καθυστέρηση CAS (RL = AL + CL)
● Ρυθμίσεις αντίστασης εκτός τσιπ-οδηγού (OCD) και τερματισμός επί του τσιπ (ODT) για
καλύτερη ποιότητα σήματος
● Λειτουργία αυτόματης προφόρτισης για εκρήξεις ανάγνωσης και εγγραφής
● Τρόποι αυτόματης ανανέωσης και αυτοανανέωσης
● Προεγκατασταμένη και ενεργητική απενεργοποίηση
● Γράψτε την κάλυψη δεδομένων
● Γράψτε καθυστέρηση = καθυστέρηση ανάγνωσης - 1 (WL = RL - 1)
● Διασύνδεση: SSTL_18
● Συσκευάζεται σε WBGA 84 Ball (8x12.5 mm2), χρησιμοποιώντας υλικά χωρίς μόλυβδο και συμβατά με το RoHS

ΣυσκευήΠεριγραφές

Τσιπ DRAM DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA

Ποιοι είμαστε;

είναι επαγγελματική εταιρεία ηλεκτρονικού μάρκετινγκ που ασχολείται αποκλειστικά με τον τομέα της πώλησης και εξυπηρέτησης ημιαγωγών και ηλεκτρονικών εξαρτημάτων για πελάτες για περισσότερα από 10 έτη,Ειδικεύονται στην πώληση νέων και μη χρησιμοποιημένωνΕιδικεύονται σε διακόπτες, διόδους, τρανζίστορες, IGBT, DC-DC μετατροπέα...*** έχει δημιουργήσει τη δική μας ιδέα υπηρεσιών πώλησης και έχει ήδη δημιουργήσει ισχυρές συνεργασίες με πολλούς διάσημους κατασκευαστές και έχουμε περισσότερα από 5,000Χιλιάδες είδη ηλεκτρονικών εξαρτημάτων για τις επιλογές σας, πάντα στη διάθεσή σας!