반도체 W971GG6SB-25 SAMA5D2 메모리 IC 1 Gbit DDR2 SDRAM / 2 Gbit LPDDR2

                                                                  W971GG6SB-25 데이터 시트

사양

기능적 호환성 부품

제품 세부 정보

일반 설명

W971GG6SB는 1G 비트 DDR2 SDRAM입니다.388이 장치는 다양한 응용 프로그램에서 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) 까지의 고속 전송 속도를 달성합니다. W971GG6SB는 다음과 같은 등급 부분으로 분류됩니다: -18, 18I,-25-18 및 18I 등급의 부품은 DDR2-1066 (6-6-6) 사양에 적합합니다 (18I 산업 등급은 -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C를 지원하도록 보장됩니다).-25 및 25I 등급의 부품은 DDR2-800 (5-5-5) 또는 DDR2-800 (6-6-6) 사양을 준수합니다 ( -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C를 지원 할 수 있는 25I 산업 등급)-3등급 부품은 DDR2-667 (5-5-5) 규격에 적합합니다.
모든 제어 및 주소 입력값은 외부로 공급되는 차분 시계 쌍과 동기화됩니다.입력값은 차차 시계 (CLK 상승 및 CLK 하락) 의 가로점에 고정됩니다.모든 I/O는 원소 동기화 방식으로 단일 끝 DQS 또는 차분 DQS-DQS 쌍과 동기화됩니다.

특징

● 전원 공급: VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V
● 이중 데이터 레이트 구조: 시계 주기에 두 개의 데이터 전송
● CAS 지연: 3, 4, 5, 6 및 7
● 폭발 길: 4 개 와 8 개
● 양방향, 차분 데이터 스트로브 (DQS 및 DQS) 는 데이터와 함께 전송 / 수신됩니다.
● 읽기 데이터와 가장자리 정렬 및 기록 데이터와 중앙 정렬
● DLL는 DQ 및 DQS 전환을 시계와 일치시킵니다.
● 차분 시계 입력 (CLK 및 CLK)
● 데이터 기록용 데이터 마스크 (DM)
● 각 긍정적 CLK 가장자리, 데이터 및 데이터 마스크에 입력된 명령어는 참조됩니다
DQS의 양쪽 가장자리
● 명령 및 수행을 지원하는 CAS 프로그래밍 가능한 첨가 지연 시간을 게시
데이터 버스 효율성
● 읽기 지연 = 추가 지연 + CAS 지연 (RL = AL + CL)
● 오프 칩 드라이버 임피던스 조정 (OCD) 및
더 나은 신호 품질
● 읽기 및 기록 로치 를 위한 자동 전 충전 동작
● 자동 갱신 및 자기 갱신 모드
● 전 충전 된 전원 종료 및 활성 전원 종료
● 데이터 마스크 작성
● 적기 지연 = 읽기 지연 - 1 (WL = RL - 1)
● 인터페이스: SSTL_18
● WBGA 84 볼 (8x12.5 mm2) 으로 포장 되어 있으며, RoHS 규격에 부합 하는 납 없는 재료를 사용 합니다.

장치설명

DRAM 칩 DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84핀 WBGA

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