Fiche technique d'IPW65R110CFDA
Détails de produit
CoolMOS™ est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET à haute tension de puissance, conçue selon le principe du superjunction (SJ) et frayée par Infineon Technologies.
• Diode ultra-rapide de corps
• Rugosité très élevée de commutation
• Extrêmement - basses pertes dues à bas FOM même Rdson^Qg et Eoss
• Facile à utiliser/commande
• Qualifié selon l'AEC Q101
• Paquet vert (RoHS conforme), électrodéposition sans Pb, halogène libre pour le moule
composé
650V CoolMOS CFDA est conçu pour des applications de changement.
Caractéristiques
Attribut | Valeur d'attribut |
---|---|
Fabricant | Infineon |
Catégorie de produit | Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples |
Série | XPW65R110 |
Emballage | Tube |
Partie-noms d'emprunt | IPW65R110CFDAFKSA1 IPW65R110CFDAXK SP000895236 |
Unité-poids | 1,340411 onces |
De style du support | Par le trou |
Paquet-cas | TO-247-3 |
Technologie | SI |
Nombre-de-canaux | La 1 Manche |
Configuration | Simple |
De type transistor | 1 N-canal |
Palladium-Puissance-dissipation | 277,8 W |
Température de fonctionnement maximum | + 150 C |
Gamme de température de fonctionnement | - 55 C |
Chute fois | 6 NS |
Temps de montée | 11 NS |
Vgs-Porte-Source-tension | +/- 20 V |
Identification (courant de drain) | 31,2 A |
Vds-Drain-Source-Panne-tension | 650 V |
Vgs-Th-Porte-Source-Seuil-tension | 4 V |
RDS-Sur-Drain-Source-résistance | 99 mOhms |
Transistor-polarité | N-canal |
Typique Tour Retard fois | 68 NS |
Temps de retard d'ouverture | 16 NS |
Qg-Porte-charge | 118 OR |
Transconductance | - |
Canal-mode | Amélioration |
Descriptions
Transistor MOSFET N-ch 650V 31.2A TO247-3
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