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| Herkunftsort | Anruf |
| Markenname | Infineon |
| Zertifizierung | ROHS |
| Modellnummer | IPW65R110CFDA |
IPW65R110CFDA-Datenblatt
Produkt-Details
CoolMOS™ ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungsenergie MOSFETs, entworfen entsprechend dem superjunction (SJ) Prinzip und durch Infineon Technologies vorangegangen.
• Ultraschnelle Körperdiode
• Sehr hohe Umwandlungsrauhheit
• Extrem - niedrige Verluste wegen niedrigen FOM Rdson^Qg und Eoss
• Bedienungsfreundlich/Antrieb
• Qualifiziert nach Ansicht EGZ Q101
• Grünes Paket (RoHS konform), Pb-freier Überzug, Halogen frei für Form
Mittel
650V CoolMOS CFDA ist für zugeschaltete Anwendungen bestimmt.
Spezifikationen
| Attribut | Attribut-Wert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon |
| Produkt-Kategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln |
| Reihe | XPW65R110 |
| Verpacken | Rohr |
| Teil-angenommener Name | IPW65R110CFDAFKSA1 IPW65R110CFDAXK SP000895236 |
| Stückgewicht | 1,340411 Unze |
| Montage-ähnlich | Durch Loch |
| Paket-Fall | TO-247-3 |
| Technologie | Si |
| Zahl-von-Kanäle | 1 Kanal |
| Konfiguration | Einzeln |
| Transistor-artig | 1 N-Kanal |
| PD-Energie-Ableitung | 277,8 W |
| Normalbetriebshöchsttemperatur | + 150 C |
| Betriebstemperaturbereich | - 55 C |
| Abfallzeit | 6 ns |
| Anlaufzeit | 11 ns |
| Vgs-Tor-Quelle-Spannung | +/- 20 V |
| Identifikation (Abflussstrom) | 31,2 A |
| Vds-Abfluss-Quelle-Zusammenbruch-Spannung | 650 V |
| Vgs-Th-Tor-Quelle-Schwelle-Spannung | 4 V |
| RDS-Auf-Abfluss-Quelle-Widerstand | 99 mOhms |
| Transistor-Polarität | N-Kanal |
| Typisch-Drehung-Weg-Verzögerung-mal | 68 ns |
| Einschaltverzögerungs-Zeit | 16 ns |
| Qg-Tor-Gebühr | 118 nC |
| Transconductance | - |
| Kanal-Modus | Verbesserung |
Beschreibungen
MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3
Wer sind wir?
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Q: Was ist die Garantie?
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