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MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3 dos transistor de IPW65R110CFDA
  • MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3 dos transistor de IPW65R110CFDA

MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3 dos transistor de IPW65R110CFDA

Lugar de origem Chamada
Marca Infineon
Certificação ROHS
Número do modelo IPW65R110CFDA
Detalhes do produto
Nome do produto:
IPW65R110CFDA
Circunstância:
Original 100%
Methodpe da instalação:
MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3
Pacote:
PG-TO247-3
Tensão - fonte:
Standard internacional
Máximo Reverso Atual:
Standard internacional
Aplicação:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Descrição do produto

                                                                  MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3 dos transistor de IPW65R110CFDA 0Folha de dados de IPW65R110CFDA
Detalhes do produto

Descrição

CoolMOS™ é uma tecnologia revolucionária para MOSFETs de alta tensão do poder, projetada de acordo com o princípio do superjunction (SJ) e aberta caminho por Infineon Technologies.

Características

• Diodo ultrarrápido do corpo
• Aspereza muito alta da comutação
• Extremamente - baixas perdas devido a baixo FOM mesmo Rdson^Qg e Eoss
• Fácil de usar/movimentação
• Qualificado de acordo com CEA Q101
• Pacote verde (RoHS complacente), chapeamento Pb-livre, halogênio livre para o molde
composto

 

Aplicações

650V CoolMOS CFDA é projetado para aplicações de comutação.

Especificações

                             
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon
Categoria de produto Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série XPW65R110
EmpacotamentoTubo
Parte-pseudônimos IPW65R110CFDAFKSA1 IPW65R110CFDAXK SP000895236
Unidade-peso1,340411 onças
Montagem-estilo Através do furo
Pacote-caso TO-247-3
TecnologiaSi
Número--canais 1 canal
Configuração Único
Transistor-tipo 1 N-canal
Paládio-Poder-dissipação277,8 W
Temperatura de funcionamento máximo+ 150 C
Variação da temperatura de funcionamento - 55 C
Queda-tempo6 ns
Elevação-tempo11 ns
Vgs-Porta-Fonte-tensão+/- 20 V
Identificação (corrente do dreno)31,2 A
Vds-Dreno-Fonte-Divisão-tensão650 V
Vgs-th-Porta-Fonte-Ponto-tensão 4 V
RDS-Em-Dreno-Fonte-resistência99 mOhms
Transistor-polaridade N-canal
Típico-Volta-Fora-Atraso-tempo 68 ns
Tempo de atraso de ligação16 ns
Qg-Porta-carga118 nC
Transcondutância-
Canal-modoRealce
 

Descrições

MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3

Quem nós somos?
é um corporaçõ profissional do mercado eletrônico contratado inteiramente nos campos dos semicondutores e de componentes eletrônicos venda e no serviço para clientes sobre 10 anos, especializa-se em vender o novo e a fábrica não utilizada, original selou componentes eletrônicos de embalagem. especialize-se em IC, diodo, transistor, IGBT, *** do conversor de DC-DC ..... estabeleceu nossa própria concepção do serviço das vendas e já estabeleceu parcerias fortes com muitos fabricantes famosos e nós temos mais de 5.000.000 tipos de componentes eletrônicos para suas escolhas, sempre em seus serviços!
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: Nós somos fabricante original OF Integrated Circuit Chip. Nós podemos fazer o negócio de OEM/ODM.
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