|
| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | Infineon |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | IPW65R110CFDA |
IPW65R110CFDAのデータ用紙
プロダクト細部
CoolMOS™はsuperjunction （SJ）の主義に従って設計され、インフィニオン・テクノロジーズによって開拓される高圧力のMOSFETsのための革命的な技術である。
•超高速ボディ ダイオード
•非常に高い代わりの険しさ
•まさに低いFOM Rdson^QgおよびEossによる極端に低い損失
•使いやすい/ドライブ
•AEC Q101に従って修飾される
•緑のパッケージ（迎合的なRoHS）、Pbなしのめっき、型のために自由なハロゲン
混合物
650V CoolMOS CFDAは転換の適用のために設計されている。
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | Infineon |
| 製品カテゴリ | 単一トランジスター- FETs、MOSFETs - |
| シリーズ | XPW65R110 |
| 包装 | 管 |
| 一部別名 | IPW65R110CFDAFKSA1 IPW65R110CFDAXK SP000895236 |
| 単位重量 | 1.340411 oz |
| 土台式 | 穴を通して |
| パッケージ場合 | TO-247-3 |
| 技術 | Si |
| 数のチャネル | 1つのチャネル |
| 構成 | 単一 |
| トランジスター タイプ | 1つのN-Channel |
| Pd力消滅 | 277.8 W |
| 最高使用可能温度 | + 150 C |
| 実用温度範囲 | - 55 C |
| 落下時間 | 6 ns |
| 立上り時間 | 11 ns |
| Vgsゲート源電圧 | +/- 20ボルト |
| ID （下水管の流れ） | 31.2 A |
| Vds下水管源故障電圧 | 650ボルト |
| Vgs Thゲート源境界電圧 | 4ボルト |
| Rds下水管源抵抗 | 99のmOhms |
| トランジスター極性 | N-Channel |
| 典型的回転遅れ時間 | 68 ns |
| Turn-On遅れ時間 | 16 ns |
| Qgゲート充満 | 118 NC |
| 相互コンダクタンス | - |
| チャネル モード | 強化 |
記述
MOSFET N CH 650V 31.2A TO247-3
だれ私達はあるか。
完全に半導体および電子部品販売の分野および10年にわたる顧客のためのサービスで従事している専門の電子販売株式会社はあったり新しいのの販売を専門にし、未使用の、元の工場はパッキングの電子部品を密封した。ICのダイオード、トランジスター、IGBTのDC-DCのコンバーターの..... ***をセットアップし、私達の自身の販売サービス概念を既に確立してしまった多くの有名な製造業者との強いパートナーシップを専門にすれば私達にあなたのサービスで5,000,000種類以上のあなたの選択のための電子部品、常にある!
FAQ
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
:私達は集積回路の破片の元の製造業者である。私達はOEM/ODMビジネスをしてもいい。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
:グループの購買の受渡し時間:30-60日;概要の受渡し時間:20日。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
:沈殿物としてT/T 30%、および配達の前の70%。
Q:あなたのプロダクトを買う方法か。
:私達の会社からのプロダクトを直接買うことができる。通常プロシージャはあなたの国に配達に印契約、T/Tによる支払、連絡する運送会社に商品である。
Q:保証は何であるか。
:自由な保証は修飾される依託の日からの1年ある。自由な保証期間内の私達のプロダクトのための欠陥があれば、私達はそれを修理し、自由のための欠陥アセンブリを変える。
いつでもお問い合わせください
