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MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3 de los transistores de IPW65R110CFDA
  • MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3 de los transistores de IPW65R110CFDA

MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3 de los transistores de IPW65R110CFDA

Lugar de origen Llamada
Nombre de la marca Infineon
Certificación ROHS
Número de modelo IPW65R110CFDA
Detalles de producto
Nombre de producto:
IPW65R110CFDA
Condición:
Original 100%
Methodpe de la instalación:
MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3
Paquete:
PG-TO247-3
Voltaje - fuente:
Estándar internacional
Max. Reverse Current:
Estándar internacional
Uso:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Descripción de producto

                                                                  MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3 de los transistores de IPW65R110CFDA 0Ficha técnica de IPW65R110CFDA
Detalles del producto

Descripción

CoolMOS™ es una tecnología revolucionaria para los MOSFETs de alto voltaje del poder, diseñada según el principio del superjunction (SJ) y promovida por Infineon Technologies.

Características

• Diodo ultrarrápido del cuerpo
• Aspereza muy alta de la conmutación
• Extremadamente - pérdidas bajas debido a FOM bajo mismo Rdson^Qg y Eoss
• Fácil de utilizar/impulsión
• Calificado según AEC Q101
• Paquete verde (RoHS obediente), galjanoplastia Pb-libre, halógeno libre para el molde
compuesto

 

Usos

650V CoolMOS CFDA se diseña para los usos que cambian.

Especificaciones

                             
Cualidad Valor del atributo
Fabricante Infineon
Categoría de producto Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Serie XPW65R110
EmpaquetadoTubo
Parte-alias IPW65R110CFDAFKSA1 IPW65R110CFDAXK SP000895236
Unidad-peso1,340411 onzas
Montaje-estilo A través del agujero
Paquete-caso TO-247-3
TecnologíaSi
Número-de-canales 1 canal
Configuración Solo
Transistor-tipo 1 canal N
Paladio-Poder-disipación277,8 W
Temperatura de funcionamiento máximo+ 150 C
Gama de temperaturas de funcionamiento - 55 C
Caída-tiempo6 ns
Tiempo de formación11 ns
Vgs-Puerta-Fuente-voltaje+/- 20 V
Identificación (corriente del dren)31,2 A
Vds-Dren-Fuente-Avería-voltaje650 V
Vgs-th-Puerta-Fuente-Umbral-voltaje 4 V
Rds-En-Dren-Fuente-resistencia99 mOhms
Transistor-polaridad Canal N
Típico-Vuelta-Apagado-Retraso-tiempo 68 ns
Tiempo de retraso de abertura16 ns
Qg-Puerta-carga118 nC
Transconductancia-
Canal-modoAumento
 

Descripciones

MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3

¿Quién somos?
es una sociedad la comercialización electrónica profesional dedicada totalmente a los campos de los semiconductores y de los componentes electrónicos venta y al servicio para los clientes durante 10 años, se especializa en la venta del nuevo y la fábrica inusitada, original selló componentes electrónicos que embalaban. ¡especialícese en IC, diodo, transistor, IGBT, *** del convertidor de DC-DC ..... ha puesto nuestro propio concepto del servicio de las ventas y ha establecido ya sociedades fuertes con muchos fabricantes famosos y tenemos más de 5.000.000 clases de componentes electrónicos para sus opciones, siempre en sus servicios!
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Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
: Somos fabricante original OF Integrated Circuit Chip. Podemos hacer negocio de OEM/ODM.
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