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MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3 dei transistor di IPW65R110CFDA
  • MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3 dei transistor di IPW65R110CFDA

MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3 dei transistor di IPW65R110CFDA

Luogo di origine Chiamata
Marca Infineon
Certificazione ROHS
Numero di modello IPW65R110CFDA
Dettagli del prodotto
Nome di prodotto:
IPW65R110CFDA
Circostanza:
Originale 100%
Methodpe dell'installazione:
MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3
Pacchetto:
PG-TO247-3
Tensione - rifornimento:
Norma internazionale
Max. Reverse Current:
Norma internazionale
Applicazione:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Descrizione di prodotto

                                                                  MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3 dei transistor di IPW65R110CFDA 0Scheda di IPW65R110CFDA
Dettagli del prodotto

Descrizione

CoolMOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per i MOSFETs ad alta tensione di potere, progettata secondo il principio di superjunction (SJ) e pionieristica a da Infineon Technologies.

Caratteristiche

• Diodo ultraveloce del corpo
• Irregolarità molto alta di commutazione
• Estremamente - perdite basse dovuto FOM basso stesso Rdson^Qg e Eoss
• Di facile impiego/azionamento
• Qualificato secondo CEA Q101
• Pacchetto verde (RoHS compiacente), placcatura senza Pb, alogeno libero per la muffa
composto

 

Applicazioni

650V CoolMOS CFDA è progettato per le applicazioni di commutazione.

Specifiche

                             
Attributo Valore di attributo
Produttore Infineon
Categoria di prodotto Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Serie XPW65R110
ImballaggioMetropolitana
Parziale pseudonimi IPW65R110CFDAFKSA1 IPW65R110CFDAXK SP000895236
Unità-peso1,340411 once
Stile montaggio Attraverso il foro
Pacchetto-caso TO-247-3
TecnologiaSi
Numero-de-canali 1 Manica
Configurazione Singolo
Transistor tipo 1 N-Manica
Palladio-Potere-dissipazione277,8 W
Temperatura di funzionamento massima+ 150 C
Gamma di temperatura di funzionamento - 55 C
Tempo caduta6 NS
Tempo di salita11 NS
Vgs-Portone-Fonte-tensione+/- 20 V
Identificazione (corrente dello scolo)31,2 A
Vds-Scolo-Fonte-Ripartizione-tensione650 V
Vgs-Th-Portone-Fonte-Soglia-tensione 4 V
RDS-Su-Scolo-Fonte-resistenza99 mOhms
Transistor-polarità N-Manica
Tempo tipico 68 NS
Tempo di ritardo d'apertura16 NS
Qg-Portone-tassa118 nC
Transconduttanza-
Manica-modoPotenziamento
 

Descrizioni

MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3

Chi siamo?
è una società professionale della commercializzazione elettronica interamente impegnata nei campi dei semiconduttori e dei componenti elettronici vendita e nel servizio per i clienti in 10 anni, si specializza nella vendita del nuovo e la fabbrica inutilizzata e originale ha sigillato i componenti elettronici di imballaggio. specializzi in IC, il diodo, il transistor, IGBT, *** del convertitore cc-cc ..... ha installato la nostra propria concezione di servizio di vendite e già ha stabilito le forti associazioni con molti produttori famosi ed abbiamo più di 5.000.000 generi di componenti elettronici per le vostre scelte, sempre ai vostri servizi!
FAQ
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: Siamo produttore originale OF Integrated Circuit Chip. Possiamo fare l'affare di OEM/ODM.
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: Potete comprare direttamente i prodotti dalla nostra società. La procedura è normalmente segno il contratto, pagamento da T/T, contatta la compagnia di spedizioni alla consegna le merci al vostro paese.
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: La garanzia libera è ad un anno a partire dal giorno di Commissione qualificato. Se c'è qualunque errore per i nostri prodotti durante il periodo libero della garanzia, lo ripareremo e cambieremo l'assemblea dell'errore gratis.

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