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| Lieu d'origine | Appel |
| Nom de marque | Diodes Incorporated |
| Certification | Lead free / RoHS Compliant |
| Numéro de modèle | BSS84-7-F |
Description
Le BSS84-7-F est un transistor MOSFET d'amélioration-mode de P-canal avec les terminaux plaque en fer blanc mats solderable selon la norme MIL-STD-202. Il est conçu pour réduire au minimum la résistance le RDS de Sur-état (SUR) mais pour maintenir la représentation de changement supérieure, la rendant idéale pour des applications de gestion de puissance de rendement élevé.
Résumé de produit
Caractéristiques
Basse Sur-résistance
Basse tension de seuil de porte
Basse capacité d'entrée
Vitesse de changement rapide
Basse fuite d'entrée-sortie
dispositif sans halogène et vert
Niveau 1 de sensibilité d'humidité selon J-STD-020
Estimation de l'inflammabilité UL94V-0
Données mécaniques
• Cas : SOT23 (norme)
• Matériel de cas : Classification d'inflammabilité d'UL évaluant 94V-0 • Sensibilité d'humidité : De niveau 1 par J-STD-020
• Terminaux : Matte Tin Finish (électrodéposition sans plomb) Solderable par MIL-STD-202, méthode 208
• Connexions terminales : Voir le diagramme
• Poids : 0,009 grammes (d'approximatif)
Estimations maximum
(@ MERCI = +25°C, sauf indication contraire.)
| Caractéristique | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension de Drain-source | VDSS | -50 | V |
| £ 20kW de la tension RGS de Drain-porte | VDGR | -50 | V |
| Tension de Porte-source continue | VGSS | ±20 | V |
| Vidangez actuel (note 5) continue | Identification | -130 | mA |
| Courant pulsé de drain | IDM | -1,2 |
Caractéristiques thermiques
(@ MERCI = +25°C, sauf indication contraire.)
| Caractéristique | Symbole | Valeur | Unité |
| Dissipation de puissance totale (note 5) | Palladium | 300 | mW |
| Résistance thermique, jonction à ambiant | RqJA | 417 | ° C/W |
| Température ambiante d'opération et de température de stockage | TJ, TSTG | -55 à +150 | °C |
Caractéristiques électriques
(@ MERCI = +25°C, sauf indication contraire.)
| Caractéristique | Symbole | Minute | Type | Maximum | Unité | Condition d'essai |
| OUTRE des CARACTÉRISTIQUES (note 6) | ||||||
| Tension claque de Drain-source | BVDSS | -50 | ¾ | ¾ | V | VGS = 0V, IDENTIFICATION = -250µA |
|
Courant zéro de drain de tension de porte |
IDSS |
¾ ¾ ¾ |
¾ ¾ ¾ |
-1 -2 -100 |
Na de ΜA ΜA | VDS = -50V, VGS = 0V, TJ = +25°C VDS = -50V, VGS = 0V, TJ = +125°C VDS = -25V, VGS = 0V, TJ = +25°C |
| Fuite de Porte-corps | IGSS | ¾ | ¾ | ±10 | Na | VGS = ±20V, VDS = 0V |
| SUR des CARACTÉRISTIQUES (note 6) | ||||||
| Tension de seuil de porte | VGS (Th) | -0,8 | ¾ | -2,0 | V | VDS = VGS, IDENTIFICATION = -1MA |
| Sur-résistance statique de Drain-source | Le RDS (dessus) | ¾ | 3,2 | 10 | W | VGS = -5V, IDENTIFICATION = -0.100A |
| Transconductance en avant | gFS | 0,05 | ¾ | ¾ | S | VDS = -25V, IDENTIFICATION = -0.1A |
| CARACTÉRISTIQUES DYNAMIQUES (note 7) | ||||||
| Capacité d'entrée | Ciss | ¾ | 24,6 | 45 | PF |
VDS = -25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz |
| Capacité de sortie | Coss | ¾ | 4,7 | 25 | PF | |
| Capacité inverse de transfert | Crss | ¾ | 2,8 | 12 | PF | |
| Résistance de porte | Rg | ¾ | 916 | ¾ | Ω | VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz |
| Charge totale de porte (VGS = -4.5V) | Qg | ¾ | 0,28 | ¾ | OR |
VDS = -10V, IDENTIFICATION = -0.1A |
| Charge totale de porte (VGS = -10V) | Qg | ¾ | 0,59 | ¾ | OR | |
| Charge de Porte-source | Qgs | ¾ | 0,09 | ¾ | OR | |
| Charge de Porte-drain | Qgd | ¾ | 0,08 | ¾ | OR | |
| Temps de retard d'ouverture | le TD (dessus) | ¾ | 10 | ¾ | NS | VDD = -30V, IDENTIFICATION = -0.27A, RGEN = 50Ω, VGS = -10V |
| Temps de retard d'arrêt | le TD () | ¾ | 18 | ¾ | NS | |
Dimensions d'ensemble de paquet
Disposition suggérée de protection
Fiche technique
Vous pouvez télécharger la fiche technique le lien donné ci-dessous.
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