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| Lugar de origen | Llamada |
| Nombre de la marca | Diodes Incorporated |
| Certificación | Lead free / RoHS Compliant |
| Número de modelo | BSS84-7-F |
Descripción
El BSS84-7-F es un MOSFET del aumento-modo del P-canal con los terminales estañados mates solderable según el estándar MIL-STD-202. Se diseña para minimizar la resistencia RDS del En-estado (EN) pero para mantener el funcionamiento que cambia superior, haciéndola ideal para los usos de la gestión del poder de la eficacia alta.
Resumen del producto
Características
En-resistencia baja
Voltaje bajo del umbral de la puerta
Capacitancia baja de la entrada
Velocidad que cambia rápida
Salida baja de la entrada-salida
dispositivo Halógeno-libre, verde
Nivel 1 de la sensibilidad de humedad según J-STD-020
Grado de la inflamabilidad UL94V-0
Datos mecánicos
• Caso: SOT23 (estándar)
• Material del caso: Clasificación de la inflamabilidad de la UL que valora 94V-0 • Sensibilidad de humedad: Llano 1 por J-STD-020
• Terminales: Matte Tin Finish (galjanoplastia sin plomo) Solderable por MIL-STD-202, método 208
• Conexiones terminales: Vea el diagrama
• Peso: 0,009 gramos (de aproximado)
Grados máximos
(@ TA = +25°C, salvo especificación de lo contrario.)
| Característica | Símbolo | Valor | Unidad |
| Voltaje de la Dren-fuente | VDSS | -50 | V |
| £ 20kW del voltaje RGS de la Dren-puerta | VDGR | -50 | V |
| Voltaje de la Puerta-fuente continuo | VGSS | ±20 | V |
| Drene actual (la nota 5) continua | Identificación | -130 | mA |
| Corriente pulsada del dren | IDM | -1,2 |
Características termales
(@ TA = +25°C, salvo especificación de lo contrario.)
| Característica | Símbolo | Valor | Unidad |
| Disipación de poder total (nota 5) | Paladio | 300 | mW |
| Resistencia termal, empalme a ambiente | RqJA | 417 | ° C/W |
| Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento | TJ, TSTG | -55 a +150 | °C |
Características eléctricas
(@ TA = +25°C, salvo especificación de lo contrario.)
| Característica | Símbolo | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad | Condición de prueba |
| De las CARACTERÍSTICAS (nota 6) | ||||||
| Voltaje de avería de la Dren-fuente | BVDSS | -50 | ¾ | ¾ | V | VGS = 0V, IDENTIFICACIÓN = -250µA |
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Corriente cero del dren del voltaje de la puerta |
IDSS |
¾ ¾ ¾ |
¾ ¾ ¾ |
-1 -2 -100 |
NA de ΜA ΜA | VDS = -50V, VGS = 0V, TJ = +25°C VDS = -50V, VGS = 0V, TJ = +125°C VDS = -25V, VGS = 0V, TJ = +25°C |
| Salida del Puerta-cuerpo | IGSS | ¾ | ¾ | ±10 | nA | VGS = ±20V, VDS = 0V |
| EN las CARACTERÍSTICAS (nota 6) | ||||||
| Voltaje del umbral de la puerta | VGS (th) | -0,8 | ¾ | -2,0 | V | VDS = VGS, IDENTIFICACIÓN = -1MA |
| En-resistencia estática de la Dren-fuente | RDS (encendido) | ¾ | 3,2 | 10 | W | VGS = -5V, IDENTIFICACIÓN = -0.100A |
| Transconductancia delantera | gFS | 0,05 | ¾ | ¾ | S | VDS = -25V, IDENTIFICACIÓN = -0.1A |
| CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS (nota 7) | ||||||
| Capacitancia entrada | CISS | ¾ | 24,6 | 45 | PF |
VDS = -25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz |
| Capacitancia de salida | Coss | ¾ | 4,7 | 25 | PF | |
| Capacitancia reversa de la transferencia | Crss | ¾ | 2,8 | 12 | PF | |
| Resistencia de la puerta | Rg | ¾ | 916 | ¾ | Ω | VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz |
| Carga total de la puerta (VGS = -4.5V) | Qg | ¾ | 0,28 | ¾ | nC |
VDS = -10V, IDENTIFICACIÓN = -0.1A |
| Carga total de la puerta (VGS = -10V) | Qg | ¾ | 0,59 | ¾ | nC | |
| Carga de la Puerta-fuente | Qgs | ¾ | 0,09 | ¾ | nC | |
| Carga del Puerta-dren | Qgd | ¾ | 0,08 | ¾ | nC | |
| Tiempo de retraso de abertura | TD (encendido) | ¾ | 10 | ¾ | ns | VDD = -30V, IDENTIFICACIÓN = -0.27A, RGEN = 50Ω, VGS = -10V |
| Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | TD (apagado) | ¾ | 18 | ¾ | ns | |
Dimensiones del esquema del paquete
Disposición sugerida del cojín
Ficha técnica
Usted puede transferir la ficha técnica el vínculo dado abajo.
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