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| Herkunftsort | Anruf |
| Markenname | Diodes Incorporated |
| Zertifizierung | Lead free / RoHS Compliant |
| Modellnummer | BSS84-7-F |
Beschreibung
Das BSS84-7-F ist ein P-Kanalanreicherungstyp MOSFET mit solderable verzinnten Mattanschlüssen gemäß des Standards MIL-STD-202. Es ist entworfen, um den Durchlasswiderstand RDS herabzusetzen (AUF) und doch die überlegene zugeschaltete Leistung beizubehalten und macht ihn ideal für Energiemanagementanwendungen der hohen Leistungsfähigkeit.
Produkt-Zusammenfassung
Eigenschaften
Niedriger Auf-Widerstand
Niedrige Torschwellenspannung
Niedrige Inputkapazitanz
Schnelle Schaltverzögerung
Niedriges Input/Output Durchsickern
Halogen-freies, grünes Gerät
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau 1 gemäß J-STD-020
Bewertung der Entflammbarkeit UL94V-0
Mechanische Daten
• Fall: SOT23 (Standard)
• Fall-Material: UL-Entflammbarkeits-Klassifikation, die 94V-0 veranschlagt • Feuchtigkeits-Empfindlichkeit: Gerade 1 pro J-STD-020
• Anschlüsse: Matte Tin Finish (bleifreier Überzug) Solderable pro MIL-STD-202, Methode 208
• Terminalverbindungen: Sehen Sie Diagramm
• Gewicht: 0,009 Gramm (ungefähr)
Maximalleistungen
(@ TA = +25°C, wenn nicht anders angegeben.)
| Eigenschaft | Symbol | Wert | Einheit |
| Abfluss-Quellspannung | VDSS | -50 | V |
| Abfluss-Tor-Spannung RGS £ 20kW | VDGR | -50 | V |
| Tor-Quellspannung ununterbrochen | VGSS | ±20 | V |
| Lassen Sie gegenwärtiges ab (die Anmerkung 5) ununterbrochen | Identifikation | -130 | MA |
| Pulsierter Abfluss-Strom | IDM | -1,2 |
Thermische Eigenschaften
(@ TA = +25°C, wenn nicht anders angegeben.)
| Eigenschaft | Symbol | Wert | Einheit |
| Gesamtleistungs-Ableitung (Anmerkung 5) | PD | 300 | mW |
| Thermischer Widerstand, Kreuzung zu umgebendem | RqJA | 417 | ° C/W |
| Funktionieren und Lagertemperaturbereich | TJ, TSTG | -55 bis +150 | °C |
Elektrische Eigenschaften
(@ TA = +25°C, wenn nicht anders angegeben.)
| Eigenschaft | Symbol | Minute | Art | Maximal | Einheit | Testbedingung |
| WEG von den EIGENSCHAFTEN (Anmerkung 6) | ||||||
| Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | BVDSS | -50 | ¾ | ¾ | V | VGS = 0V, IDENTIFIKATION = -250µA |
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Nulltor-Spannungs-Abfluss-Strom |
IDSS |
¾ ¾ ¾ |
¾ ¾ ¾ |
-1 -2 -100 |
ΜA ΜA Na | VDS = -50V, VGS = 0V, TJ = +25°C VDS = -50V, VGS = 0V, TJ = +125°C VDS = -25V, VGS = 0V, TJ = +25°C |
| Tor-Körper-Durchsickern | IGSS | ¾ | ¾ | ±10 | Na | VGS = ±20V, VDS = 0V |
| AUF EIGENSCHAFTEN (Anmerkung 6) | ||||||
| Tor-Schwellen-Spannung | VGS (Th) | -0,8 | ¾ | -2,0 | V | VDS = VGS, IDENTIFIKATION = -1MA |
| Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand | RDS (an) | ¾ | 3,2 | 10 | W | VGS = -5V, IDENTIFIKATION = -0.100A |
| Vorwärtstransconductance | gFS | 0,05 | ¾ | ¾ | S | VDS = -25V, IDENTIFIKATION = -0.1A |
| DYNAMISCHE EIGENSCHAFTEN (Anmerkung 7) | ||||||
| Eingegebene Kapazitanz | Ciss | ¾ | 24,6 | 45 | PF |
VDS = -25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz |
| Ausgangskapazität | Coss | ¾ | 4,7 | 25 | PF | |
| Rückübergangskapazitanz | Crss | ¾ | 2,8 | 12 | PF | |
| Tor-Widerstand | Rg | ¾ | 916 | ¾ | Ω | VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz |
| Gesamttor-Gebühr (VGS = -4.5V) | Qg | ¾ | 0,28 | ¾ | nC |
VDS = -10V, IDENTIFIKATION = -0.1A |
| Gesamttor-Gebühr (VGS = -10V) | Qg | ¾ | 0,59 | ¾ | nC | |
| Tor-Quellgebühr | Qgs | ¾ | 0,09 | ¾ | nC | |
| Tor-Abfluss-Gebühr | Qgd | ¾ | 0,08 | ¾ | nC | |
| Einschaltverzögerungs-Zeit | TD (an) | ¾ | 10 | ¾ | ns | VDD = -30V, IDENTIFIKATION = -0.27A, RGEN = 50Ω, VGS = -10V |
| Abschaltverzögerungs-Zeit | TD (weg) | ¾ | 18 | ¾ | ns | |
Paket-Entwurfs-Maße
Vorgeschlagener Auflagen-Plan
Datenblatt
Sie können das Datenblatt herunterladen die Verbindung, die unten gegeben wird.
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