|
| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | Diodes Incorporated |
| 証明 | Lead free / RoHS Compliant |
| モデル番号 | BSS84-7-F |
記述
BSS84-7-FはMIL-STD-202標準によってsolderable無光沢のスズメッキをされたターミナルが付いているP-channel強化モードMOSFETである。オン州の抵抗RDSを（で）最小にするように今までのところではそれを高性能力管理適用にとって理想的にさせる優秀な転換の性能を維持することを設計する。
プロダクト概要
特徴
低いオン抵抗
低いゲートの境界の電圧
低い入力キャパシタンス
速い切り替え速度
低い入出力漏出
ハロゲンなしの、緑装置
J-STD-020による湿気感受性のレベル1
UL94V-0燃焼性の評価
機械データ
•場合:SOT23 （標準）
•場合材料:94V-0を評価するULの燃焼性の分類•湿気感受性:J-STD-020ごとの水平に1
•ターミナル:無光沢の錫の終わり（MIL-STD-202の方法208ごとの無鉛めっき） Solderable
•ターミナル コネクション:図表を見なさい
•重量:0.009グラム（おおよそ）
最高の評価
（@ TA = +25°C、他に特に規定がなければ。）
| 特徴 | 記号 | 価値 | 単位 |
| 下水管源の電圧 | VDSS | -50 | V |
| 下水管ゲートの電圧RGS £ 20kW | VDGR | -50 | V |
| 連続的なゲート源の電圧 | VGSS | ±20 | V |
| 現在を流出させなさい（連続的なノート5） | ID | -130 | mA |
| 脈打った下水管の流れ | IDM | -1.2 |
熱特徴
（@ TA = +25°C、他に特に規定がなければ。）
| 特徴 | 記号 | 価値 | 単位 |
| 全体の電力損失（ノート5） | PD | 300 | MW |
| 熱抵抗、包囲されたへの接続点 | RqJA | 417 | ° C/W |
| 作動し、保管温度の範囲 | TJ、TSTG | -55から+150 | °C |
電気特徴
（@ TA = +25°C、他に特に規定がなければ。）
| 特徴 | 記号 | 分 | タイプ | 最高 | 単位 | テスト条件 |
| 特徴（ノート6）を離れて | ||||||
| 下水管源の絶縁破壊電圧 | BVDSS | -50 | ¾ | ¾ | V | VGS = 0V、ID = -250µA |
|
ゼロ ゲートの電圧下水管の流れ |
IDSS |
¾ ¾ ¾ |
¾ ¾ ¾ |
-1 -2 -100 |
ΜA ΜA nA | VDS = -50V、VGS = 0V、TJ = +25°C VDS = -50V、VGS = 0V、TJ = +125°C VDS = -25V、VGS = 0V、TJ = +25°C |
| ゲート ボディ漏出 | IGSS | ¾ | ¾ | ±10 | nA | VGS = ±20V、VDS = 0V |
| 特徴（ノート6） | ||||||
| ゲートの境界の電圧 | VGS （Th） | -0.8 | ¾ | -2.0 | V | VDS = VGS、ID = -1MA |
| 静的な下水管源のオン抵抗 | RDS （） | ¾ | 3.2 | 10 | W | VGS = -5V、ID = -0.100A |
| 前方相互コンダクタンス | gFS | 0.05 | ¾ | ¾ | S | VDS = -25V、ID = -0.1A |
| 動特性（ノート7） | ||||||
| 入れられたキャパシタンス | Ciss | ¾ | 24.6 | 45 | pF |
VDS = -25V、VGS = 0V、f = 1.0MHz |
| 出力キャパシタンス | Coss | ¾ | 4.7 | 25 | pF | |
| 逆の移動キャパシタンス | Crss | ¾ | 2.8 | 12 | pF | |
| ゲートの抵抗 | Rg | ¾ | 916 | ¾ | Ω | VDS = 0V、VGS = 0V、f = 1MHz |
| 総ゲート充満（VGS = -4.5V） | Qg | ¾ | 0.28 | ¾ | NC |
VDS = -10V、ID = -0.1A |
| 総ゲート充満（VGS = -10V） | Qg | ¾ | 0.59 | ¾ | NC | |
| ゲート源充満 | Qgs | ¾ | 0.09 | ¾ | NC | |
| ゲート下水管充満 | Qgd | ¾ | 0.08 | ¾ | NC | |
| Turn-On遅れ時間 | tD （） | ¾ | 10 | ¾ | ns | VDD = -30V、ID = -0.27A、RGEN = 50Ω、VGS = -10V |
| Turn-Off遅れ時間 | tD （） | ¾ | 18 | ¾ | ns | |
パッケージの輪郭次元
提案されたパッドのレイアウト
データ用紙
次与えられるリンク データ用紙をダウンロードできる。
いつでもお問い合わせください
