|
| Lugar de origem | Chamada |
| Marca | Diodes Incorporated |
| Certificação | Lead free / RoHS Compliant |
| Número do modelo | BSS84-7-F |
Descrição
O BSS84-7-F é um MOSFET do realce-modo do P-canal com lata solderable do resíduo metálico chapeou terminais conforme o padrão MIL-STD-202. É projetado minimizar a resistência RDS do Em-estado (EM) no entanto manter o desempenho de comutação superior, fazendo a ideal para aplicações da gestão do poder da eficiência elevada.
Sumário do produto
Características
Baixa Em-resistência
Baixa tensão do ponto inicial da porta
Baixa capacidade da entrada
Velocidade de comutação rápida
Baixo escapamento do entrada/saída
dispositivo Halogênio-livre, verde
Nível 1 da sensibilidade de umidade conforme J-STD-020
Avaliação da inflamabilidade UL94V-0
Dados mecânicos
• Caso: SOT23 (padrão)
• Material do caso: Classificação da inflamabilidade do UL que avalia 94V-0 • Sensibilidade de umidade: Ao nível 1 por J-STD-020
• Terminais: Matte Tin Finish (chapeamento sem chumbo) Solderable por MIL-STD-202, método 208
• Conexões terminais: Veja o diagrama
• Peso: 0,009 gramas (aproximado)
Avaliações máximas
(@ Ta = +25°C, salvo disposição em contrário.)
| Característica | Símbolo | Valor | Unidade |
| Tensão da Dreno-fonte | VDSS | -50 | V |
| £ 20kW da tensão RGS da Dreno-porta | VDGR | -50 | V |
| Tensão da Porta-fonte contínua | VGSS | ±20 | V |
| Drene (nota 5) contínuo atual | Identificação | -130 | miliampère |
| Corrente pulsada do dreno | IDM | -1,2 |
Características térmicas
(@ Ta = +25°C, salvo disposição em contrário.)
| Característica | Símbolo | Valor | Unidade |
| Dissipação de poder total (nota 5) | Paládio | 300 | mW |
| Resistência térmica, junção a ambiental | RqJA | 417 | ° C/W |
| Variação da temperatura do funcionamento e do armazenamento | TJ, TSTG | -55 a +150 | °C |
Características elétricas
(@ Ta = +25°C, salvo disposição em contrário.)
| Característica | Símbolo | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade | Condição de teste |
| FORA das CARACTERÍSTICAS (nota 6) | ||||||
| Tensão de divisão da Dreno-fonte | BVDSS | -50 | ¾ | ¾ | V | VGS = 0V, IDENTIFICAÇÃO = -250µA |
|
Corrente zero do dreno da tensão da porta |
IDSS |
¾ ¾ ¾ |
¾ ¾ ¾ |
-1 -2 -100 |
NA de ΜA ΜA | VDS = -50V, VGS = 0V, TJ = +25°C VDS = -50V, VGS = 0V, TJ = +125°C VDS = -25V, VGS = 0V, TJ = +25°C |
| Escapamento do Porta-corpo | IGSS | ¾ | ¾ | ±10 | nA | VGS = ±20V, VDS = 0V |
| Em CARACTERÍSTICAS (nota 6) | ||||||
| Tensão do ponto inicial da porta | VGS (th) | -0,8 | ¾ | -2,0 | V | VDS = VGS, IDENTIFICAÇÃO = -1MA |
| Em-resistência estática da Dreno-fonte | RDS (sobre) | ¾ | 3,2 | 10 | W | VGS = -5V, IDENTIFICAÇÃO = -0.100A |
| Transcondutância dianteira | gFS | 0,05 | ¾ | ¾ | S | VDS = -25V, IDENTIFICAÇÃO = -0.1A |
| CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS (nota 7) | ||||||
| Capacidade entrada | Ciss | ¾ | 24,6 | 45 | PF |
VDS = -25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz |
| Capacidade de saída | Coss | ¾ | 4,7 | 25 | PF | |
| Capacidade reversa de transferência | Crss | ¾ | 2,8 | 12 | PF | |
| Resistência da porta | Rg | ¾ | 916 | ¾ | Ω | VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz |
| Carga total da porta (VGS = -4.5V) | Qg | ¾ | 0,28 | ¾ | nC |
VDS = -10V, IDENTIFICAÇÃO = -0.1A |
| Carga total da porta (VGS = -10V) | Qg | ¾ | 0,59 | ¾ | nC | |
| Carga da Porta-fonte | Qgs | ¾ | 0,09 | ¾ | nC | |
| Carga do Porta-dreno | Qgd | ¾ | 0,08 | ¾ | nC | |
| Tempo de atraso de ligação | TD (sobre) | ¾ | 10 | ¾ | ns | VDD = -30V, IDENTIFICAÇÃO = -0.27A, RGEN = 50Ω, VGS = -10V |
| Tempo de atraso da volta-Fora | TD (fora) | ¾ | 18 | ¾ | ns | |
Dimensões do esboço do pacote
Disposição sugerida da almofada
Folha de dados
Você pode transferir a folha de dados a relação dada abaixo.
CONTATE-NOS A QUALQUER MOMENTO
