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R1LV1616RBG-5SI#B0 SRAM más de alta densidad IC avanzó LPSRAM
  • R1LV1616RBG-5SI#B0 SRAM más de alta densidad IC avanzó LPSRAM

R1LV1616RBG-5SI#B0 SRAM más de alta densidad IC avanzó LPSRAM

Lugar de origen Llamada
Nombre de la marca RENESAS
Certificación ROHS
Número de modelo R1LV1616RBG-5SI#B0
Detalles de producto
Nombre de producto:
R1LV1616RBG-5SI#B0
Condición:
Original 100%
Methodpe de la instalación:
SRAM -40°C ~ 85°C (TA) 48-TFBGA 48-FBGA (7.5x8.5) 2,7 V ~ 3,6 V
Paquete:
TFBGA48
Voltaje - fuente:
Estándar internacional
Max. Reverse Current:
Estándar internacional
Uso:
Memoria ICs
Alta luz: 

SRAM más de alta densidad IC

,

Bajo consumo de energía SRAM IC

,

R1LV1616RBG-5SI#B0

Descripción de producto

                                                                  R1LV1616RBG-5SI#B0 SRAM más de alta densidad IC avanzó LPSRAM 0Ficha técnica R1LV1616RBG-5SI#B0

Detalles del producto

Descripción

El R1LV1616 H-I Series es 16-Mbit que RAM estático organizó el × 1-Mword de 16 bits/el × 2-Mword de 8 bits. R1LV1616 H-I Series ha realizado un rendimiento más de alta densidad, más alto y el bajo consumo de energía empleando la tecnología de proceso del Cmos (célula de memoria 6-transistor). Ofrece a energía baja la disipación de poder espera; por lo tanto, es conveniente para los sistemas de copia de seguridad de batería. Se empaqueta en 48 el perno TSOPI plástico para el montaje superficial de alta densidad.

Características

• Sola fuente de 3,0 V: 2,7 V a 3,6 V
• Tiempo de rápido acceso: 45/55 ns (máximo)
• Disipación de poder:
 activo: 9 mW/MHz (tipo)
recurso seguro del : μW 1,5 (tipo)
• Memoria totalmente estática.
 ningún reloj o estroboscópico que mide el tiempo requerido
• Igualdad de acceso y duraciones de ciclo
• Entrada y salida comunes de datos.
salida del estado del  tres
• Operación de reserva de batería.
selección del microprocesador del  2 para la copia de seguridad de batería

Especificaciones

         
Cualidad Valor del atributo
Fabricante RENESAS
Categoría de producto Memoria ICs
Serie -
EmpaquetadoBandeja
Paquete-caso 48-TFBGA
Actuar-temperatura-40°C ~ 85°C (TA)
Interfaz Paralelo
Voltaje-fuente2,7 V ~ 3,6 V
Proveedor-Dispositivo-paquete 48-FBGA (7.5x8.5)
Capacidad de memoriael 16M (el 1M x 16)
Memoria-tipoSRAM
Velocidad 55ns
Formato-memoria RAM

Descripciones

Paralelo 55ns 48-FBGA (7.5x8.5) de IC 16Mb (el 1M x 16) de la memoria de SRAM
Bandeja de SRAM Chip Async Single 3V 16M-bit los 2M/1M x 8/16-bit 55ns 48-Pin TFBGA

¿Quién somos?

es una sociedad la comercialización electrónica profesional dedicada totalmente a los campos de los semiconductores y de los componentes electrónicos venta y al servicio para los clientes durante 10 años, se especializa en la venta del nuevo y la fábrica inusitada, original selló componentes electrónicos que embalaban. ¡especialícese en IC, diodo, transistor, IGBT, *** del convertidor de DC-DC ..... ha puesto nuestro propio concepto del servicio de las ventas y ha establecido ya sociedades fuertes con muchos fabricantes famosos y tenemos más de 5.000.000 clases de componentes electrónicos para sus opciones, siempre en sus servicios!

FAQ
Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
: Somos fabricante original de microprocesador del circuito integrado. Podemos hacer negocio de OEM/ODM.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
: Plazo de expedición de la compra del grupo: 30-60 días; Plazo de expedición general: 20 días.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
: T/T el 30% como depósito, y el 70% antes de entrega.
Q: ¿Cómo comprar sus productos?
: Usted puede comprar los productos de nuestra compañía directamente. El procedimiento es normalmente muestra el contrato, pago por T/T, entra en contacto con al naviera a la entrega las mercancías a su país.

Q: ¿Cuál es la garantía?
: La garantía libre está a un año a partir del día de Comisión calificado. Si hay cualquier falta para nuestros productos dentro del período de garantía libre, la repararemos y cambiaremos el montaje de la falta gratis.

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