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R1LV1616RBG-5SI#B0 SRAM più ad alta densità IC ha avanzato LPSRAM
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R1LV1616RBG-5SI#B0 SRAM più ad alta densità IC ha avanzato LPSRAM

Luogo di origine Chiamata
Marca RENESAS
Certificazione ROHS
Numero di modello R1LV1616RBG-5SI#B0
Dettagli del prodotto
Nome di prodotto:
R1LV1616RBG-5SI#B0
Circostanza:
Originale 100%
Methodpe dell'installazione:
SRAM -40°C ~ 85°C (TUM) 48-TFBGA 48-FBGA (7.5x8.5) 2,7 V ~ 3,6 V
Pacchetto:
TFBGA48
Tensione - rifornimento:
Norma internazionale
Max. Reverse Current:
Norma internazionale
Applicazione:
Memoria CI
Evidenziare: 

SRAM più ad alta densità IC

,

Basso consumo energetico SRAM IC

,

R1LV1616RBG-5SI#B0

Descrizione di prodotto

                                                                  R1LV1616RBG-5SI#B0 SRAM più ad alta densità IC ha avanzato LPSRAM 0Scheda R1LV1616RBG-5SI#B0

Dettagli del prodotto

Descrizione

Il R1LV1616 H-I Series è 16-Mbit che RAM statico ha organizzato l'8 bit del × il 16 bit/2-Mword del × 1-Mword. R1LV1616 H-I Series ha realizzato il rendimento elevato più ad alta densità e ed il basso consumo energetico impiegando la tecnologia della trasformazione di CMOS (cellula di memoria 6-transistor). Offre a potere basso la dissipazione di standby; quindi, è adatto a backup della batteria. È imballato in 48 perno TSOPI di plastica per il montaggio di superficie ad alta densità.

Caratteristiche

• Un singolo rifornimento di 3,0 V: 2,7 V - 3,6 V
• Tempo di facile accesso: 45/55 di NS (massimo)
• Dissipazione di potere:
 attivo: 9 mW/MHz (tipo)
appoggio del : 1,5 μW (tipo)
• Memoria completamente statica.
 nessun orologio o stroboscopio cronometrante richiesto
• Parità d'accesso e tempi di ciclo
• Immissione dei dati ed uscita comuni.
uscita dello stato del  tre
• Operazione di sostegno della batteria.
selezione del chip del  2 per il backup di batteria

Specifiche

         
Attributo Valore di attributo
Produttore RENESAS
Categoria di prodotto Memoria CI
Serie -
ImballaggioVassoio
Pacchetto-caso 48-TFBGA
Azionare-temperatura-40°C ~ 85°C (TUM)
Interfaccia Parallelo
Tensione-rifornimento2,7 V ~ 3,6 V
Fornitore-Dispositivo-pacchetto 48-FBGA (7.5x8.5)
Capacità di memoria16M (1M x 16)
Memoria tipoSRAM
Velocità 55ns
Formato-memoria RAM

Descrizioni

Parallelo 55ns 48-FBGA (7.5x8.5) di IC 16Mb (1M x 16) di memoria di SRAM
Vassoio di SRAM Chip Async Single 3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 55ns 48-Pin TFBGA

Chi siamo?

è una società professionale della commercializzazione elettronica interamente impegnata nei campi dei semiconduttori e dei componenti elettronici vendita e nel servizio per i clienti in 10 anni, si specializza nella vendita del nuovo e la fabbrica inutilizzata e originale ha sigillato i componenti elettronici di imballaggio. specializzi in IC, il diodo, il transistor, IGBT, *** del convertitore cc-cc ..... ha installato la nostra propria concezione di servizio di vendite e già ha stabilito le forti associazioni con molti produttori famosi ed abbiamo più di 5.000.000 generi di componenti elettronici per le vostre scelte, sempre ai vostri servizi!

FAQ
Q: È voi società per azioni o il produttore?
: Siamo produttore originale del chip del circuito integrato. Possiamo fare l'affare di OEM/ODM.
Q: Quanto tempo è il vostro termine di consegna?
: Termine di consegna di acquisto del gruppo: 30-60 giorni; Termine di consegna generale: 20 giorni.
Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento?
: T/T 30% come deposito e 70% prima della consegna.
Q: Come comprare i vostri prodotti?
: Potete comprare direttamente i prodotti dalla nostra società. La procedura è normalmente segno il contratto, pagamento da T/T, contatta la compagnia di spedizioni alla consegna le merci al vostro paese.

Q: Che cosa è la garanzia?
: La garanzia libera è ad un anno a partire dal giorno di Commissione qualificato. Se c'è qualunque errore per i nostri prodotti durante il periodo libero della garanzia, lo ripareremo e cambieremo l'assemblea dell'errore gratis.

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