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R1LV1616RBG-5SI#B0 SRAM plus à haute densité IC a avancé LPSRAM
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R1LV1616RBG-5SI#B0 SRAM plus à haute densité IC a avancé LPSRAM

Lieu d'origine Appel
Nom de marque RENESAS
Certification ROHS
Numéro de modèle R1LV1616RBG-5SI#B0
Détails du produit
Nom de produit:
R1LV1616RBG-5SI#B0
Condition:
Original 100%
Methodpe d'installation:
SRAM -40°C | 85°C (VENTRES) 48-TFBGA 48-FBGA (7.5x8.5) 2,7 V | 3,6 V
Paquet:
TFBGA48
Tension - approvisionnement:
Norme internationale
Max. Reverse Current:
Norme internationale
Application:
Mémoire IC
Surligner: 

SRAM plus à haute densité IC

,

Consommation SRAM IC de puissance faible

,

R1LV1616RBG-5SI#B0

Description de produit

                                                                  R1LV1616RBG-5SI#B0 SRAM plus à haute densité IC a avancé LPSRAM 0Fiche technique R1LV1616RBG-5SI#B0

Détails de produit

Description

Le R1LV1616 H-I Series est 16-Mbit MÉMOIRE RAM que statique a organisé le × 1-Mword de 16 bits/le × 2-Mword à 8 bits. R1LV1616 H-I Series a réalisé une performance plus à haute densité et plus haute et une consommation de puissance faible en utilisant la technologie transformatrice de CMOS (cellule de mémoire 6-transistor). Il offre à puissance faible la dissipation d'alimentation générale ; donc, il convient aux réseaux de réserve de batterie. Il est empaqueté dans 48 la goupille TSOPI en plastique pour le support extérieur à haute densité.

Caractéristiques

• Approvisionnement simple de 3,0 V : 2,7 V à 3,6 V
• Temps à accès rapide : 45/55 NS (maximum)
• Dissipation de puissance :
 actif : 9 mW/MHz (type)
remplaçant de  : μW 1,5 (type)
• Mémoire complètement statique.
 aucune horloge ou stroboscope de synchronisation requis
• Égalité d'accès et durées de cycle
• Entrée et sortie commune de données.
sortie d'état du  trois
• Opération de secours de batterie.
sélection de puce du  2 pour le support de batterie

Caractéristiques

         
Attribut Valeur d'attribut
Fabricant RENESAS
Catégorie de produit Mémoire IC
Série -
EmballagePlateau
Paquet-cas 48-TFBGA
L'Actionner-température-40°C | 85°C (VENTRES)
Interface Parallèle
Tension-approvisionnement2,7 V | 3,6 V
Fournisseur-Dispositif-paquet 48-FBGA (7.5x8.5)
Capacité de stockage16M (1M x 16)
De type mémoireSRAM
Vitesse 55ns
Format-mémoire RAM

Descriptions

Parallèle 55ns 48-FBGA (7.5x8.5) d'IC 16Mb (1M x 16) de mémoire de SRAM
Plateau de SRAM Chip Async Single 3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 55ns 48-Pin TFBGA

Qui sommes-nous ?

est une société professionnelle de commercialisation entièrement occupée dans les champs des semi-conducteurs et des composants électroniques vente et le service pour des clients sur 10 ans, se spécialise en vendant le nouveau et l'usine inutilisée et originale du joint les composants électroniques de garniture. spécialisez-vous dans IC, diode, le transistor, IGBT, *** de convertisseur de DC-DC ..... a installé notre propre conception de service de ventes et a déjà établi des associations fortes avec beaucoup de fabricants célèbres et nous avons plus de 5 000 000 genres de composants électroniques pour vos choix, toujours à vos services !

FAQ
Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
: Nous sommes fabricant original de puce de circuit intégré. Nous pouvons faire des affaires d'OEM/ODM.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
: Délai de livraison d'achats de groupe : 30-60 jours ; Délai de livraison général : 20 jours.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
: T/T 30% comme dépôt, et 70% avant la livraison.
Q : Comment acheter vos produits ?
: Vous pouvez acheter les produits de notre société directement. Normalement la procédure est signe le contrat, paiement par T/T, contactent la compagnie maritime à la livraison les marchandises à votre pays.

Q : Quelle est la garantie ?
: La garantie libre est à un an du jour de la commission qualifié. S'il y a n'importe quel défaut pour nos produits au cours de la période libre de garantie, nous le réparerons et changerons l'ensemble de défaut pour libre.

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