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R1LV1616RBG-5SI#B0 더 높은 밀도 SRAM IC 진보적이 LPSRAM
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R1LV1616RBG-5SI#B0 더 높은 밀도 SRAM IC 진보적이 LPSRAM

원래 장소 전화
브랜드 이름 RENESAS
인증 ROHS
모델 번호 R1LV1616RBG-5SI#B0
제품 세부 정보
상품 이름:
R1LV1616RBG-5SI#B0
상태:
원형 100%
설치 메소드페:
SRAM -40' C ~ 85' C (TA) 48-tfbga 48-에프비지에이 (7.5x8.5) 2.7 V ~ 3.6 V
패키지:
TFBGA48
전압 - 공급:
국제 기준
맥스. 역류:
국제 기준
애플리케이션:
메모리 ics
하이 라이트: 

더 높은 밀도 SRAM IC

,

저 전력 소모 SRAM IC

,

R1LV1616RBG-5SI#B0

제품 설명

                                                                  R1LV1616RBG-5SI#B0 더 높은 밀도 SRAM IC 진보적이 LPSRAM 0R1LV1616RBG-5SI#B0 데이터 시트

제품 상세정보

기술

R1LV1616H-I 시리즈는 16-mbit 스태틱 랜돔 어세스 메모리 조직화된 1-mword × 16 비트 / 2-mword × 8 비트입니다. R1LV1616H-I 시리즈는 CMOS 공정 기술 (6개의 트랜지스터 메모리 셀)을 사용함으로써 소비를 더 높은 밀도, 더 높은 성능과 저 소비 전력을 실현했습니다. 그것은 낮은 파워 대기에게 전력 소모를 제공합니다 ; 그러므로, 그것은 배터리 백업 시스템에 적합합니다. 그것은 고밀도 표면 장착을 위해 48 핀 플라스틱 TSOPI에서 패키징됩니다.

특징

오우 단일 3.0 V 공급 : 2.7 3.6 V에 대한 V
오우는 엑세스 시간 단식합니다 : 45/55 나노 초 (최대)
오우 전력 소모 :
활동가 : 9 mW/MHz (typ)
대기 : 1.5 μW (typ)
오우 완전히 정적 메모리.
어떤 시계 또는 타이밍 섬광 촬영 장치도 요구하지 않았습니다
오우는 접근과 순환 주기를 필적합니다
오우 공통 데이터 입출력.
3상태 출력
오우 배터리 백업 작업.
전지 백업 로 2가지 칩 선택

상술

         
특성 속성 값
제조사 르네사스
상품 카테고리 메모리 ics
시리즈 -
패키징트레이
포장 케이스 48-tfbga
작동 온도-40' C ~ 85' C (TA)
인터페이스 대비
전압 공급2.7 V ~ 3.6 V
공급 툴 장치 패키지 48-에프비지에이 (7.5x8.5)
기억장치 용량16M (1M x 16)
메모리식SRAM
속도 55 나노 초
포맷 메모리 RAM

기술

SRAM 메모리용 IC 16Mb (1M x 16) 평행한 55 나노 초 48 에프비지에이 (7.5x8.5)
SRAM 칩 비동기 통신 단일 3V 16M 비트 2M/1M X 8/16 비트 55 나노 초 48-핀 TFBGA 트레이

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