제품 상세정보
R1LV1616H-I 시리즈는 16-mbit 스태틱 랜돔 어세스 메모리 조직화된 1-mword × 16 비트 / 2-mword × 8 비트입니다. R1LV1616H-I 시리즈는 CMOS 공정 기술 (6개의 트랜지스터 메모리 셀)을 사용함으로써 소비를 더 높은 밀도, 더 높은 성능과 저 소비 전력을 실현했습니다. 그것은 낮은 파워 대기에게 전력 소모를 제공합니다 ; 그러므로, 그것은 배터리 백업 시스템에 적합합니다. 그것은 고밀도 표면 장착을 위해 48 핀 플라스틱 TSOPI에서 패키징됩니다.
오우 단일 3.0 V 공급 : 2.7 3.6 V에 대한 V
오우는 엑세스 시간 단식합니다 : 45/55 나노 초 (최대)
오우 전력 소모 :
활동가 : 9 mW/MHz (typ)
대기 : 1.5 μW (typ)
오우 완전히 정적 메모리.
어떤 시계 또는 타이밍 섬광 촬영 장치도 요구하지 않았습니다
오우는 접근과 순환 주기를 필적합니다
오우 공통 데이터 입출력.
3상태 출력
오우 배터리 백업 작업.
전지 백업 로 2가지 칩 선택
상술
특성 | 속성 값 |
---|---|
제조사 | 르네사스 |
상품 카테고리 | 메모리 ics |
시리즈 | - |
패키징 | 트레이 |
포장 케이스 | 48-tfbga |
작동 온도 | -40' C ~ 85' C (TA) |
인터페이스 | 대비 |
전압 공급 | 2.7 V ~ 3.6 V |
공급 툴 장치 패키지 | 48-에프비지에이 (7.5x8.5) |
기억장치 용량 | 16M (1M x 16) |
메모리식 | SRAM |
속도 | 55 나노 초 |
포맷 메모리 | RAM |
기술
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