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R1LV1616RBG-5SI#B0 SRAM miter hoher Dichte IC brachte LPSRAM voran
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R1LV1616RBG-5SI#B0 SRAM miter hoher Dichte IC brachte LPSRAM voran

Herkunftsort Anruf
Markenname RENESAS
Zertifizierung ROHS
Modellnummer R1LV1616RBG-5SI#B0
Produktdetails
Produkt-Name:
R1LV1616RBG-5SI#B0
Bedingung:
Vorlage 100%
Installation methodpe:
SRAM -40°C | 85°C (TA) 48-TFBGA 48-FBGA (7.5x8.5) 2,7 V | 3,6 V
Paket:
TFBGA48
Spannung - Versorgung:
Internationaler Standard
Max. Reverse Current:
Internationaler Standard
Anwendung:
Gedächtnis IC
Markieren: 

SRAM miter hoher Dichte IC

,

Leistungsaufnahme der geringen Energie SRAM IC

,

R1LV1616RBG-5SI#B0

Produktbeschreibung

                                                                  R1LV1616RBG-5SI#B0 SRAM miter hoher Dichte IC brachte LPSRAM voran 0Datenblatt R1LV1616RBG-5SI#B0

Produkt-Details

Beschreibung

Das R1LV1616 H-I Series ist 16-Mbit, das statisches RAM das × 1-Mword organisierte, das/16-Bit sind, das 8-Bit × 2-Mword. R1LV1616 H-I Series hat, höhere Leistung miter hoher Dichte und Leistungsaufnahme der geringen Energie verwirklicht, indem es Verfahrenstechnik CMOS (6-transistor Speicherzelle) einsetzte. Es bietet geringer Energie Bereitschaftsverlustleistung an; deshalb ist es für Notstromversorgung durch Batterien-Systeme passend. Es wird in 48 Stift Plastik-TSOPI für Aufputzmontage mit hoher Dichte verpackt.

Eigenschaften

• Einzelne 3,0 v-Versorgung: 2,7 V bis 3,6 V
• Schnellzugriffszeit: 45/55 ns (maximal)
• Verlustleistung:
 aktiv: 9 mW/MHz (Art)
 Bereitschaft: μW 1,5 (Art)
• Vollständig statisches Gedächtnis.
 keine Uhr oder Stroboskoplampe erfordert
• Gleicher Zugang und Zykluszeiten
• Allgemeine Dateneingabe und Ertrag.
 drei Zustandsertrag
• Notstromversorgung durch Batterien-Operation.
 2 Chipauswahl für Notstromversorgung durch Batterien

Spezifikationen

         
Attribut Attribut-Wert
Hersteller RENESAS
Produkt-Kategorie Gedächtnis IC
Reihe -
VerpackenBehälter
Paket-Fall 48-TFBGA
Laufen lassen-Temperatur-40°C | 85°C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannung-Versorgung2,7 V | 3,6 V
Lieferant-Gerät-Paket 48-FBGA (7.5x8.5)
Speicherkapazität16M (1M x 16)
Gedächtnis-artigSRAM
Geschwindigkeit 55ns
Format-Gedächtnis RAM

Beschreibungen

Ähnlichkeit 55ns 48-FBGA (7.5x8.5) SRAM-Gedächtnis ICs 16Mb (1M x 16)
Behälter SRAMs Chip Async Single 3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 55ns 48-Pin TFBGA

Wer sind wir?

ist eine professionelle EDV-Marketing Gesellschaft, die völlig an den Feldern von Halbleitern und von elektronischen Bauelementen Verkauf und Service für Kunden in 10 Jahren teilnimmt, spezialisiert sich, auf, das neue zu verkaufen und unbenutzte, ursprüngliche Fabrik versiegelte verpackende elektronische Bauelemente. spezialisieren Sie sich auf IC, Diode, Transistor, IGBT, DDC ..... *** hat gegründet unsere eigene Verkaufsservice-Konzeption und hat hergestellt bereits starke Partnerschaften mit vielen berühmten Herstellern und wir haben mehr als 5.000.000 Arten elektronische Bauelemente für Ihre Wahlen, immer an Ihren Dienstleistungen!

FAQ
Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
: Wir sind ursprünglicher Hersteller des Chips der integrierten Schaltung. Wir können OEM-/ODMgeschäft tätigen.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
: GruppenkaufLieferfrist: 30-60 Tage; Allgemeine Lieferfrist: 20 Tage.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
: T/T 30% als Ablagerung und 70% vor Lieferung.
Q: Wie man Ihre Produkte kauft?
: Sie können die Produkte von unserer Firma direkt kaufen. Normalerweise ist das Verfahren Zeichen der Vertrag, Zahlung durch T/T, in Verbindung treten mit der Reederei zur Lieferung die Waren zu Ihrem Land.

Q: Was ist die Garantie?
: Die freie Garantie ist ein Jahr vom Tag der Beauftragung qualifiziert. Wenn es irgendeine Störung für unsere Produkte innerhalb des freien Garantiezeitraums gibt, reparieren wir sie und ändern die Störungsversammlung für freies.

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