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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | RENESAS |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | R1LV1616RBG-5SI#B0 |
プロダクト細部
R1LV1616H-Iシリーズは16-Mbit静的なRAM組織した16ビット1-Mword ×/8ビット2-Mword ×をである。R1LV1616H-IシリーズはCMOSの加工技術（6トランジスター メモリ セル）を用いることによって高密度、高性能および低い電力の消費を実現した。それは低い電力の予備発電消滅を提供する;従って、それはバッテリー・バックアップ システムのために適している。それは高密度表面取り付けのための48ピン プラスチックTSOPIで包まれる。
•単一の3.0ボルトの供給:2.7 Vから3.6ボルト
•高速アクセス時間:45/55 ns （最高）
•電力損失:
活動的な:9 mW/MHz （タイプ）
のスタンバイ:1.5 μW （タイプ）
•完全に静的な記憶。
必要な時計かタイミングのストロボ無し
•同等のアクセスおよびサイクル時間
•共通のデータ入力および出力。
3の州の出力
•バッテリー・バックアップ操作。
バッテリー・バックアップのための2の破片の選択
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | RENESAS |
| 製品カテゴリ | 記憶IC |
| シリーズ | - |
| 包装 | 皿 |
| パッケージ場合 | 48-TFBGA |
| 作動温度 | -40°C | 85°C （TA） |
| インターフェイス | 平行 |
| 電圧供給 | 2.7 V | 3.6ボルト |
| 製造者装置パッケージ | 48-FBGA （7.5x8.5） |
| 記憶容量 | 16M （1M x 16） |
| 記憶タイプ | SRAM |
| 速度 | 55ns |
| フォーマット記憶 | RAM |
記述
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FAQ
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
:私達は集積回路の破片の元の製造業者である。私達はOEM/ODMビジネスをしてもいい。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
:グループの購買の受渡し時間:30-60日;概要の受渡し時間:20日。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
:沈殿物としてT/T 30%、および配達の前の70%。
Q:あなたのプロダクトを買う方法か。
:私達の会社からのプロダクトを直接買うことができる。通常プロシージャはあなたの国に配達に印契約、T/Tによる支払、連絡する運送会社に商品である。
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:自由な保証は修飾される依託の日からの1年ある。自由な保証期間内の私達のプロダクトのための欠陥があれば、私達はそれを修理し、自由のための欠陥アセンブリを変える。
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