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R1LV1616RBG-5SI#B0 uma densidade mais alta SRAM IC avançou LPSRAM
  • R1LV1616RBG-5SI#B0 uma densidade mais alta SRAM IC avançou LPSRAM

R1LV1616RBG-5SI#B0 uma densidade mais alta SRAM IC avançou LPSRAM

Lugar de origem Chamada
Marca RENESAS
Certificação ROHS
Número do modelo R1LV1616RBG-5SI#B0
Detalhes do produto
Nome do produto:
R1LV1616RBG-5SI#B0
Circunstância:
Original 100%
Methodpe da instalação:
SRAM -40°C ~ 85°C (TA) 48-TFBGA 48-FBGA (7.5x8.5) 2,7 V ~ 3,6 V
Pacote:
TFBGA48
Tensão - fonte:
Standard internacional
Máximo Reverso Atual:
Standard internacional
Aplicação:
Memória CI
Realçar: 

Densidade mais alta SRAM IC

,

Consumo SRAM IC da baixa potência

,

R1LV1616RBG-5SI#B0

Descrição do produto

                                                                  R1LV1616RBG-5SI#B0 uma densidade mais alta SRAM IC avançou LPSRAM 0Folha de dados R1LV1616RBG-5SI#B0

Detalhes do produto

Descrição

O R1LV1616 H-I Series é 16-Mbit que RAM estático organizou o × 1-Mword de 16 bits/o × 2-Mword de 8 bits. R1LV1616 H-I Series realizou uma densidade mais alta, um desempenho mais alto e um consumo da baixa potência empregando a tecnologia de processamento do CMOS (pilha de memória 6-transistor). Oferece a baixa potência a dissipação de poder à espera; consequentemente, é apropriado para sistemas de backup da bateria. É empacotado 48 no pino TSOPI plástico para a montagem de superfície do alto densidade.

Características

• Única fonte de 3,0 V: 2,7 V a 3,6 V
• Tempo de acesso rápido: 45/55 de ns (máximo)
• Dissipação de poder:
 ativo: 9 mW/MHz (tipo)
apoio do : μW 1,5 (tipo)
• Memória completamente estática.
 nenhum pulso de disparo ou estroboscópio cronometrando exigido
• Tempos da igualdade de acesso e de ciclo
• Entrada e saída comuns dos dados.
saída do estado do  três
• Operação alternativa de bateria.
seleção da microplaqueta do  2 para o backup de bateria

Especificações

         
Atributo Valor de atributo
Fabricante RENESAS
Categoria de produto Memória CI
Série -
EmpacotamentoBandeja
Pacote-caso 48-TFBGA
Operar-temperatura-40°C ~ 85°C (TA)
Relação Paralelo
Tensão-fonte2,7 V ~ 3,6 V
Fornecedor-Dispositivo-pacote 48-FBGA (7.5x8.5)
Capacidade de memória16M (1M x 16)
Memória-tipoSRAM
Velocidade 55ns
Formato-memória RAM

Descrições

Paralela 55ns 48-FBGA de IC 16Mb da memória de SRAM (1M x 16) (7.5x8.5)
Bandeja de SRAM Chip Async Single 3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 55ns 48-Pin TFBGA

Quem nós somos?

é um corporaçõ profissional do mercado eletrônico contratado inteiramente nos campos dos semicondutores e de componentes eletrônicos venda e no serviço para clientes sobre 10 anos, especializa-se em vender o novo e a fábrica não utilizada, original selou componentes eletrônicos de embalagem. especialize-se em IC, diodo, transistor, IGBT, *** do conversor de DC-DC ..... estabeleceu nossa própria concepção do serviço das vendas e já estabeleceu parcerias fortes com muitos fabricantes famosos e nós temos mais de 5.000.000 tipos de componentes eletrônicos para suas escolhas, sempre em seus serviços!

FAQ
Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
: Nós somos fabricante original da microplaqueta do circuito integrado. Nós podemos fazer o negócio de OEM/ODM.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
: Prazo de entrega da compra do grupo: 30-60 dias; Prazo de entrega geral: 20 dias.
Q: Que é seus termos de pagamento?
: T/T 30% como o depósito, e 70% antes da entrega.
Q: Como comprar seus produtos?
: Você pode comprar os produtos de nossa empresa diretamente. Normalmente o procedimento é sinal o contrato, pagamento por T/T, contacta o transitário à entrega os bens a seu país.

Q: Que é a garantia?
: A garantia livre está a um ano do dia da comissão qualificado. Se há qualquer falha para nossos produtos dentro do período de garantia livre, nós repará-la-emos e mudá-los-emos o conjunto da falha para livre.

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