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Semi-conducteur discret
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| Lieu d'origine | Appel |
| Nom de marque | onsemi |
| Certification | ROHS |
| Numéro de modèle | FDN304PZ |
Fiche technique de FDN304PZ
Détails de produit
Caractéristiques
| Attribut | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Fabricant | onsemi |
| Catégorie de produit | FETs - simples |
| Série | PowerTrench® |
| Emballage | Emballage alternatif |
| Partie-noms d'emprunt | FDN304PZ_NL |
| Unité-poids | 0,001058 onces |
| De style du support | SMD/SMT |
| Paquet-cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Technologie | SI |
| L'Actionner-température | -55°C | 150°C (TJ) |
| De type support | Bâti extérieur |
| Nombre-de-canaux | La 1 Manche |
| Fournisseur-Dispositif-paquet | SuperSOT-3 |
| Configuration | Simple |
| De type FET | P-canal de transistor MOSFET, oxyde de métal |
| Puissance-maximum | 460mW |
| De type transistor | 1 P-canal |
| VDSS – tension de Drain-source | 20V |
| Capacité d'entrée | 1310pF @ 10V |
| FET-caractéristique | Porte de niveau de logique, commande 1.8V |
| Current-Continuous-Drain-Id-25°C | 2.4A (ventres) |
| RDS-Sur-Maximum-identification-Vgs | 52 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Vgs-Th-Maximum-identification | 1.5V @ 250μA |
| Porte-charge-Qg-Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Palladium-Puissance-dissipation | 500 mW |
| Température de fonctionnement maximum | + 150 C |
| Gamme de température de fonctionnement | - 55 C |
| Chute fois | 15 NS |
| Temps de montée | 15 NS |
| Vgs-Porte-Source-tension | 8 V |
| Identification (courant de drain) | 2,4 A |
| Vds-Drain-Source-Panne-tension | - 20 V |
| RDS-Sur-Drain-Source-résistance | 52 mOhms |
| Transistor-polarité | P-canal |
| Typique Tour Retard fois | 40 NS |
| Temps de retard d'ouverture | 15 NS |
| Transconductance | 12 S |
| Canal-mode | Amélioration |
| Fabricant Part # | Description | Fabricant | Comparez |
| FDN302PD87Z | Petit transistor d'effet de champ de signal, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-canal, silicium, FET de semi-conducteur d'oxyde métallique, SUPERSOT-3 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDN304PZ contre FDN302PD87Z |
| Transistors | |||
| FDN302P | Le P-canal 2.5V a spécifié le transistor MOSFET -20V, -2.4A, le 惟 de 55m, 3000-REEL de PowerTrenchR | SUR le semi-conducteur | FDN304PZ contre FDN302P |
| Transistors | |||
| FDN304P_NL | Petit transistor d'effet de champ de signal, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-canal, silicium, FET de semi-conducteur d'oxyde métallique, SUPERSOT-3 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDN304PZ contre FDN304P_NL |
| Transistors | |||
| FDN304PZ | Le P-canal 1.8V a spécifié le transistor MOSFET -20V, -2.4A, le 惟 de 52m, 3000-REEL de PowerTrenchR | SUR le semi-conducteur | FDN304PZ contre FDN304PZ |
| Transistors | |||
| FDN304PZ_NL | Petit transistor d'effet de champ de signal, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-canal, silicium, FET de semi-conducteur d'oxyde métallique, SUPERSOT-3 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDN304PZ contre FDN304PZ_NL |
| Transistors | |||
| FDN304P | Le P-canal 1.8V a spécifié le transistor MOSFET -20V, -2.4A, le 惟 de 52m, 3000-REEL de PowerTrenchR | SUR le semi-conducteur | FDN304PZ contre FDN304P |
| Transistors | |||
| FDN302PS62Z | Petit transistor d'effet de champ de signal, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-canal, silicium, FET de semi-conducteur d'oxyde métallique, SUPERSOT-3 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDN304PZ contre FDN302PS62Z |
| Transistors | |||
| FDN302PL99Z | Petit transistor d'effet de champ de signal, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-canal, silicium, FET de semi-conducteur d'oxyde métallique, SUPERSOT-3 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDN304PZ contre FDN302PL99 |
| Transistors |
Descriptions
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