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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | onsemi |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | FDN304PZ |
FDN304PZ 데이터 시트
제품 상세정보
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 온새미 |
| 상품 카테고리 | FET - 단일 |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| 패키징 | 교대 패키징 |
| 부분적 가칭 | fdn304pz_nl |
| 단일 가중치 | 0.001058 온스 |
| 증가하는 방식 | SMD / SMT |
| 포장 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 기술 | Si |
| 작동 온도 | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 설치형 | 표면 부착 |
| 채널 수 | 1개 채널 |
| 공급 툴 장치 패키지 | SuperSOT-3 |
| 구성 | 단일 |
| 전계 효과 트랜지스터형 | MOSFET P-채널, 금속 산화물 |
| 전원 최대 | 460mW |
| 트랜지스터 유형 | 1 P-채널 |
| VDSS - 드레인-소스 전압 | 20V |
| 입력 커패시턴스 | 10V에 있는 1310pF |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이츠, 1.8V 드라이브 |
| Current-Continuous-Drain-Id-25' Ｃ | 2.4A (Ta) |
| Rds ON 상태 최대 ID -브그스 | 2.4A, 4.5V에 있는 52 모흠 |
| 브그스 -스 최대 ID | 250μA에 있는 1.5V |
| 게이트전하 -큐그 -브그스 | 4.5V에 있는 20nC |
| Pd 전원 산재 | 500 mW |
| 최대 작업 온도 | + 150 Ｃ |
| 작동 온도 범위 | - 55 Ｃ |
| 낙하 시간 | 15 나노 초 |
| 오름시간 | 15 나노 초 |
| 브그스 게이츠 원천 전압 | 8 Ｖ |
| ID (드레인전류) | 2.4 A |
| Vds 배수 원천 고장 전압 | - 20 Ｖ |
| Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 52 모엠에스 |
| 트랜지스터 극성 | P-채널 |
| 전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 | 40 나노 초 |
| 턴 온 지연 시간 | 15 나노 초 |
| 상호컨덕턴스 | 12 Ｓ |
| 채널 모드 | 향상 |
| 제조사 Part# | 기술 | 제조사 | 비교 |
| FDN302PD87Z | 소신호 트랜지스터 FET, 2.4A I(D), 20V, 1-요소, P-채널, 실리콘, 금속-산소 반도체 전계 효과 트랜지스터, SUPERSOT-3 | 페어차일드 세미컨덕터 코퍼레이션 | FDN304PZ 대 FDN302PD87Z |
| 트랜지스터 | |||
| FDN302P | P-채널 2.5V 특정한 파워트렌치르 MOSFET -20V, -2.4A, 55m惟, 3000-릴 | ON 반도체 | FDN304PZ 대 FDN302P |
| 트랜지스터 | |||
| fdn304p_nl | 소신호 트랜지스터 FET, 2.4A I(D), 20V, 1-요소, P-채널, 실리콘, 금속-산소 반도체 전계 효과 트랜지스터, SUPERSOT-3 | 페어차일드 세미컨덕터 코퍼레이션 | FDN304PZ 대 fdn304p_nl |
| 트랜지스터 | |||
| FDN304PZ | P-채널 1.8V 특정한 파워트렌치르 MOSFET -20V, -2.4A, 52m惟, 3000-릴 | ON 반도체 | FDN304PZ 대 FDN304PZ |
| 트랜지스터 | |||
| fdn304pz_nl | 소신호 트랜지스터 FET, 2.4A I(D), 20V, 1-요소, P-채널, 실리콘, 금속-산소 반도체 전계 효과 트랜지스터, SUPERSOT-3 | 페어차일드 세미컨덕터 코퍼레이션 | FDN304PZ 대 fdn304pz_nl |
| 트랜지스터 | |||
| FDN304P | P-채널 1.8V 특정한 파워트렌치르 MOSFET -20V, -2.4A, 52m惟, 3000-릴 | ON 반도체 | FDN304PZ 대 FDN304P |
| 트랜지스터 | |||
| FDN302PS62Z | 소신호 트랜지스터 FET, 2.4A I(D), 20V, 1-요소, P-채널, 실리콘, 금속-산소 반도체 전계 효과 트랜지스터, SUPERSOT-3 | 페어차일드 세미컨덕터 코퍼레이션 | FDN304PZ 대 FDN302PS62Z |
| 트랜지스터 | |||
| FDN302PL99Z | 소신호 트랜지스터 FET, 2.4A I(D), 20V, 1-요소, P-채널, 실리콘, 금속-산소 반도체 전계 효과 트랜지스터, SUPERSOT-3 | 페어차일드 세미컨덕터 코퍼레이션 | FDN304PZ 대 FDN302PL99 |
| 트랜지스터 |
기술
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