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O MOSFET P-Ch PowerTrench dos transistor de FDN304PZ especificou 1.8V
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  • O MOSFET P-Ch PowerTrench dos transistor de FDN304PZ especificou 1.8V

O MOSFET P-Ch PowerTrench dos transistor de FDN304PZ especificou 1.8V

Lugar de origem Chamada
Marca onsemi
Certificação ROHS
Número do modelo FDN304PZ
Detalhes do produto
Nome do produto:
FDN304PZ
Circunstância:
Original 100%
Methodpe da instalação:
MOSFET 2,4 um canal de SMD/SMT 1 - 55 C TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 P-canal de 500 mW - 20 V
Pacote:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensão - fonte:
Standard internacional
Máximo Reverso Atual:
Standard internacional
Aplicação:
FETs - únicos
Descrição do produto

                                                                  O MOSFET P-Ch PowerTrench dos transistor de FDN304PZ especificou 1.8V 0Folha de dados de FDN304PZ
Detalhes do produto

Descrição geral

Este P-canal 1.8V especificou o MOSFET usa processo avançado de PowerTrench da baixa tensão de Fairchild. Foi aperfeiçoado para aplicações da gestão da bateria.

Características

· – 2,4 A, – 20 V. RDS (SOBRE) = 52 mW @ VGS = – 4,5 V
RDS (SOBRE) = 70 mW @ VGS = – 2,5 V
RDS (SOBRE) = 100 mW @ VGS = – 1,8 V
· Velocidade de comutação rápida
· Diodo da proteção do ESD
· Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (SOBRE)
· SuperSOTTM -3 fornece o baixo RDS (SOBRE) e um poder mais alto de 30% que segura a capacidade do que SOT23 na mesma pegada

Aplicações

· Gestão da bateria
· Interruptor da carga
· Proteção da bateria

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Especificações

                                       
Atributo Valor de atributo
Fabricante onsemi
Categoria de produto FETs - únicos
Série PowerTrench®
EmpacotamentoEmpacotamento alternativo
Parte-pseudônimosFDN304PZ_NL
Unidade-peso0,001058 onças
Montagem-estilo SMD/SMT
Pacote-caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TecnologiaSi
Operar-temperatura-55°C ~ 150°C (TJ)
Montagem-tipo Montagem de superfície
Número--canais 1 canal
Fornecedor-Dispositivo-pacote SuperSOT-3
Configuração Único
FET-tipoP-canal do MOSFET, óxido de metal
Poder-máximo 460mW
Transistor-tipo 1 P-canal
VDSS – tensão da Dreno-fonte 20V
Capacidade entrada 1310pF @ 10V
FET-característicaPorta do nível da lógica, movimentação 1.8V
Current-Continuous-Drain-Id-25°C2.4A (Ta)
RDS-Em-Máximo-identificação-Vgs 52 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs-th-Máximo-identificação1.5V @ 250μA
Porta-carga-Qg-Vgs 20nC @ 4.5V
Paládio-Poder-dissipação500 mW
Temperatura de funcionamento máximo+ 150 C
Variação da temperatura de funcionamento- 55 C
Queda-tempo15 ns
Elevação-tempo15 ns
Vgs-Porta-Fonte-tensão8 V
Identificação (corrente do dreno)2,4 A
Vds-Dreno-Fonte-Divisão-tensão- 20 V
RDS-Em-Dreno-Fonte-resistência52 mOhms
Transistor-polaridade P-canal
Típico-Volta-Fora-Atraso-tempo 40 ns
Tempo de atraso de ligação15 ns
Transcondutância12 S
Canal-modo Realce
 
Fabricante Part # Descrição Fabricante Compare
FDN302PD87Z Transistor pequeno do efeito de campo do sinal, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-canal, silicone, FET do semicondutor de Metal-óxido, SUPERSOT-3 Fairchild Semicondutor Corporaçõ FDN304PZ contra FDN302PD87Z
Transistor
FDN302P O P-canal 2.5V especificou MOSFET -20V de PowerTrenchR, -2.4A, 惟 de 55m, 3000-REEL No semicondutor FDN304PZ contra FDN302P
Transistor
FDN304P_NL Transistor pequeno do efeito de campo do sinal, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-canal, silicone, FET do semicondutor de Metal-óxido, SUPERSOT-3 Fairchild Semicondutor Corporaçõ FDN304PZ contra FDN304P_NL
Transistor
FDN304PZ O P-canal 1.8V especificou MOSFET -20V de PowerTrenchR, -2.4A, 惟 de 52m, 3000-REEL No semicondutor FDN304PZ contra FDN304PZ
Transistor
FDN304PZ_NL Transistor pequeno do efeito de campo do sinal, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-canal, silicone, FET do semicondutor de Metal-óxido, SUPERSOT-3 Fairchild Semicondutor Corporaçõ FDN304PZ contra FDN304PZ_NL
Transistor
FDN304P O P-canal 1.8V especificou MOSFET -20V de PowerTrenchR, -2.4A, 惟 de 52m, 3000-REEL No semicondutor FDN304PZ contra FDN304P
Transistor
FDN302PS62Z Transistor pequeno do efeito de campo do sinal, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-canal, silicone, FET do semicondutor de Metal-óxido, SUPERSOT-3 Fairchild Semicondutor Corporaçõ FDN304PZ contra FDN302PS62Z
Transistor
FDN302PL99Z Transistor pequeno do efeito de campo do sinal, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-canal, silicone, FET do semicondutor de Metal-óxido, SUPERSOT-3 Fairchild Semicondutor Corporaçõ FDN304PZ contra FDN302PL99
Transistor

Descrições

Montagem SuperSOT-3 da superfície 500mW do P-canal 20V 2.4A (Ta) (Ta)
MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SuperSOT T/R do transporte
O MOSFET P-Ch PowerTrench especificou 1.8V

 

Quem nós somos?
é um corporaçõ profissional do mercado eletrônico contratado inteiramente nos campos dos semicondutores e de componentes eletrônicos venda e no serviço para clientes sobre 10 anos, especializa-se em vender o novo e a fábrica não utilizada, original selou componentes eletrônicos de embalagem. especialize-se em IC, diodo, transistor, IGBT, *** do conversor de DC-DC ..... estabeleceu nossa própria concepção do serviço das vendas e já estabeleceu parcerias fortes com muitos fabricantes famosos e nós temos mais de 5.000.000 tipos de componentes eletrônicos para suas escolhas, sempre em seus serviços!
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: Nós somos fabricante original OF Integrated Circuit Chip. Nós podemos fazer o negócio de OEM/ODM.
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: Prazo de entrega da compra do grupo: 30-60 dias; Prazo de entrega geral: 20 dias.
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: T/T 30% como o depósito, e 70% antes da entrega.
Q: Como comprar seus produtos?
: Você pode comprar os produtos de nossa empresa diretamente. Normalmente o procedimento é sinal o contrato, pagamento por T/T, contacta o transitário à entrega os bens a seu país.
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