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FDN304PZ-Transistoren MOSFET P-Ch PowerTrench spezifizierte 1.8V
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FDN304PZ-Transistoren MOSFET P-Ch PowerTrench spezifizierte 1.8V

Herkunftsort Anruf
Markenname onsemi
Zertifizierung ROHS
Modellnummer FDN304PZ
Produktdetails
Produkt-Name:
FDN304PZ
Bedingung:
Vorlage 100%
Installation methodpe:
MOSFET 2,4 ein Kanal SMD/SMT 1 - 55 C TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 500 mW-P-Kanal - 20 V
Paket:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Spannung - Versorgung:
Internationaler Standard
Max. Reverse Current:
Internationaler Standard
Anwendung:
FETs - einzeln
Produktbeschreibung

                                                                  FDN304PZ-Transistoren MOSFET P-Ch PowerTrench spezifizierte 1.8V 0FDN304PZ-Datenblatt
Produkt-Details

Allgemeine Beschreibung

Dieser P-Kanal 1.8V spezifizierte MOSFET verwendet Fairchild modernen Niederspannung PowerTrench-Prozess. Er ist für Batterieleistungs-Managementanwendungen optimiert worden.

Eigenschaften

· – 2,4 A, – 20 V. RDS (AN) = 52 mW @ VGS = – 4,5 V
RDS (AN) = 70 mW @ VGS = – 2,5 V
RDS (AN) = 100 mW @ VGS = – 1,8 V
· Schnelle Schaltverzögerung
· Esd-Schutzdiode
· Hochleistungsgrabentechnologie für extrem - niedriges RDS (AN)
· SuperSOTTM -3 liefert niedriges RDS (AN) und 30% höhere Energie, die Fähigkeit als SOT23 im gleichen Abdruck behandelt

Anwendungen

· Batteriemanagement
· Lastsschalter
· Batterieschutz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Spezifikationen

                                       
Attribut Attribut-Wert
Hersteller onsemi
Produkt-Kategorie FETs - einzeln
Reihe PowerTrench®
VerpackenAbwechselndes Verpacken
Teil-angenommener NameFDN304PZ_NL
Stückgewicht0,001058 Unze
Montage-ähnlich SMD/SMT
Paket-Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TechnologieSi
Laufen lassen-Temperatur-55°C | 150°C (TJ)
Montage-artig Oberflächenberg
Zahl-von-Kanäle 1 Kanal
Lieferant-Gerät-Paket SuperSOT-3
Konfiguration Einzeln
FET-artigMosfet-P-Kanal, Metalloxid
Macht-maximal 460mW
Transistor-artig 1 P-Kanal
VDSS – Abfluss-Quellspannung 20V
Eingegebene Kapazitanz 1310pF @ 10V
FET-EigenschaftTor des logischen Zustandes, Antrieb 1.8V
Current-Continuous-Drain-Id-25°C2.4A (Ta)
RDS-Auf-Maximal-Identifikation-Vgs 52 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs-Th-Maximal-Identifikation1.5V @ 250μA
Tor-Gebühr-Qg-Vgs 20nC @ 4.5V
PD-Energie-Ableitung500 mW
Normalbetriebshöchsttemperatur+ 150 C
Betriebstemperaturbereich- 55 C
Abfallzeit15 ns
Anlaufzeit15 ns
Vgs-Tor-Quelle-Spannung8 V
Identifikation (Abflussstrom)2,4 A
Vds-Abfluss-Quelle-Zusammenbruch-Spannung- 20 V
RDS-Auf-Abfluss-Quelle-Widerstand52 mOhms
Transistor-Polarität P-Kanal
Typisch-Drehung-Weg-Verzögerung-mal 40 ns
Einschaltverzögerungs-Zeit15 ns
Transconductance12 S
Kanal-Modus Verbesserung
 
Hersteller Part # Beschreibung Hersteller Vergleichen Sie
FDN302PD87Z Differenzieller Feldeffekttransistor, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-Kanal, Silikon, Metallhalbleiter FET, SUPERSOT-3 Fairchild Semiconductor Corporation FDN304PZ gegen FDN302PD87Z
Transistoren
FDN302P P-Kanal 2.5V spezifizierte PowerTrenchR MOSFET -20V, -2.4A, 55m 惟, 3000-REEL AUF Halbleiter FDN304PZ gegen FDN302P
Transistoren
FDN304P_NL Differenzieller Feldeffekttransistor, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-Kanal, Silikon, Metallhalbleiter FET, SUPERSOT-3 Fairchild Semiconductor Corporation FDN304PZ gegen FDN304P_NL
Transistoren
FDN304PZ P-Kanal 1.8V spezifizierte PowerTrenchR MOSFET -20V, -2.4A, 52m 惟, 3000-REEL AUF Halbleiter FDN304PZ gegen FDN304PZ
Transistoren
FDN304PZ_NL Differenzieller Feldeffekttransistor, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-Kanal, Silikon, Metallhalbleiter FET, SUPERSOT-3 Fairchild Semiconductor Corporation FDN304PZ gegen FDN304PZ_NL
Transistoren
FDN304P P-Kanal 1.8V spezifizierte PowerTrenchR MOSFET -20V, -2.4A, 52m 惟, 3000-REEL AUF Halbleiter FDN304PZ gegen FDN304P
Transistoren
FDN302PS62Z Differenzieller Feldeffekttransistor, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-Kanal, Silikon, Metallhalbleiter FET, SUPERSOT-3 Fairchild Semiconductor Corporation FDN304PZ gegen FDN302PS62Z
Transistoren
FDN302PL99Z Differenzieller Feldeffekttransistor, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-Kanal, Silikon, Metallhalbleiter FET, SUPERSOT-3 Fairchild Semiconductor Corporation FDN304PZ gegen FDN302PL99
Transistoren

Beschreibungen

Berg SuperSOT-3 des P-Kanal-20V 2.4A (Ta) der Oberflächen-500mW (Ta)
Transport MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SuperSOT T/R
MOSFET P-Ch PowerTrench spezifizierte 1.8V

 

Wer sind wir?
ist eine professionelle EDV-Marketing Gesellschaft, die völlig an den Feldern von Halbleitern und von elektronischen Bauelementen Verkauf und Service für Kunden in 10 Jahren teilnimmt, spezialisiert sich, auf, das neue zu verkaufen und unbenutzte, ursprüngliche Fabrik versiegelte verpackende elektronische Bauelemente. spezialisieren Sie sich auf IC, Diode, Transistor, IGBT, DDC ..... *** hat gegründet unsere eigene Verkaufsservice-Konzeption und hat hergestellt bereits starke Partnerschaften mit vielen berühmten Herstellern und wir haben mehr als 5.000.000 Arten elektronische Bauelemente für Ihre Wahlen, immer an Ihren Dienstleistungen!
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Q: Was ist die Garantie?
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