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Il MOSFET il P-Ch PowerTrench dei transistor di FDN304PZ ha specificato 1.8V
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  • Il MOSFET il P-Ch PowerTrench dei transistor di FDN304PZ ha specificato 1.8V

Il MOSFET il P-Ch PowerTrench dei transistor di FDN304PZ ha specificato 1.8V

Luogo di origine Chiamata
Marca onsemi
Certificazione ROHS
Numero di modello FDN304PZ
Dettagli del prodotto
Nome di prodotto:
FDN304PZ
Circostanza:
Originale 100%
Methodpe dell'installazione:
MOSFET 2,4 un Manica di SMD/SMT 1 - 55 C TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 500 P-Manica di Mw - 20 V
Pacchetto:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione - rifornimento:
Norma internazionale
Max. Reverse Current:
Norma internazionale
Applicazione:
FETs - singoli
Descrizione di prodotto

                                                                  Il MOSFET il P-Ch PowerTrench dei transistor di FDN304PZ ha specificato 1.8V 0Scheda di FDN304PZ
Dettagli del prodotto

Descrizione generale

Questo P-Manica 1.8V ha specificato il MOSFET usa il processo avanzato di PowerTrench della bassa tensione di Fairchild. È stato ottimizzato per le applicazioni della gestione di potenza della batteria.

Caratteristiche

· – 2,4 A, – 20 V. RDS (SOPRA) = 52 Mw @ VGS = – 4,5 V
RDS (SOPRA) = 70 Mw @ VGS = – 2,5 V
RDS (SOPRA) = 100 Mw @ VGS = – 1,8 V
· Velocità di commutazione veloce
· Diodo di protezione di ESD
· Tecnologia della fossa di rendimento elevato per estremamente - RDS basso (SOPRA)
· SuperSOTTM -3 fornisce il RDS basso (SOPRA) e potere di 30% il più alto che tratta la capacità che SOT23 nella stessa orma

Applicazioni

· Gestione della batteria
· Commutatore del carico
· Protezione della batteria

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Specifiche

                                       
Attributo Valore di attributo
Produttore onsemi
Categoria di prodotto FETs - singoli
Serie PowerTrench®
ImballaggioImballaggio alterno
Parziale pseudonimiFDN304PZ_NL
Unità-peso0,001058 once
Stile montaggio SMD/SMT
Pacchetto-caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TecnologiaSi
Azionare-temperatura-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio tipo Supporto di superficie
Numero-de-canali 1 Manica
Fornitore-Dispositivo-pacchetto SuperSOT-3
Configurazione Singolo
FET tipoP-Manica del MOSFET, ossido di metallo
Elettrico massimo 460mW
Transistor tipo 1 P-Manica
VDSS – tensione di Scolo-fonte 20V
Capacità introdotta 1310pF @ 10V
FET-caratteristicaPortone del livello logico, azionamento 1.8V
Current-Continuous-Drain-Id-25°C2.4A (tum)
RDS-Su-Massimo-identificazione-Vgs 52 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs-Th-Massimo-identificazione1.5V @ 250μA
Portone-tassa-Qg-Vgs 20nC @ 4.5V
Palladio-Potere-dissipazione500 Mw
Temperatura di funzionamento massima+ 150 C
Gamma di temperatura di funzionamento- 55 C
Tempo caduta15 NS
Tempo di salita15 NS
Vgs-Portone-Fonte-tensione8 V
Identificazione (corrente dello scolo)2,4 A
Vds-Scolo-Fonte-Ripartizione-tensione- 20 V
RDS-Su-Scolo-Fonte-resistenza52 mOhms
Transistor-polarità P-Manica
Tempo tipico 40 NS
Tempo di ritardo d'apertura15 NS
Transconduttanza12 S
Manica-modo Potenziamento
 
Produttore Part # Descrizione Produttore Confronti
FDN302PD87Z Piccolo transistor di effetto di campo del segnale, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-Manica, silicio, FET a semiconduttore di ossido metallico, SUPERSOT-3 Fairchild Semiconductor Corporation FDN304PZ contro FDN302PD87Z
Transistor
FDN302P Il P-Manica 2.5V ha specificato il MOSFET -20V, -2.4A, 惟 di 55m, 3000-REEL di PowerTrenchR Sul semiconduttore FDN304PZ contro FDN302P
Transistor
FDN304P_NL Piccolo transistor di effetto di campo del segnale, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-Manica, silicio, FET a semiconduttore di ossido metallico, SUPERSOT-3 Fairchild Semiconductor Corporation FDN304PZ contro FDN304P_NL
Transistor
FDN304PZ Il P-Manica 1.8V ha specificato il MOSFET -20V, -2.4A, 惟 di 52m, 3000-REEL di PowerTrenchR Sul semiconduttore FDN304PZ contro FDN304PZ
Transistor
FDN304PZ_NL Piccolo transistor di effetto di campo del segnale, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-Manica, silicio, FET a semiconduttore di ossido metallico, SUPERSOT-3 Fairchild Semiconductor Corporation FDN304PZ contro FDN304PZ_NL
Transistor
FDN304P Il P-Manica 1.8V ha specificato il MOSFET -20V, -2.4A, 惟 di 52m, 3000-REEL di PowerTrenchR Sul semiconduttore FDN304PZ contro FDN304P
Transistor
FDN302PS62Z Piccolo transistor di effetto di campo del segnale, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-Manica, silicio, FET a semiconduttore di ossido metallico, SUPERSOT-3 Fairchild Semiconductor Corporation FDN304PZ contro FDN302PS62Z
Transistor
FDN302PL99Z Piccolo transistor di effetto di campo del segnale, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-Manica, silicio, FET a semiconduttore di ossido metallico, SUPERSOT-3 Fairchild Semiconductor Corporation FDN304PZ contro FDN302PL99
Transistor

Descrizioni

Supporto di superficie 500mW (tum) SuperSOT-3 di P-Manica 20V 2.4A (tum)
MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SuperSOT T/R del trasporto
Il MOSFET P-Ch PowerTrench ha specificato 1.8V

 

Chi siamo?
è una società professionale della commercializzazione elettronica interamente impegnata nei campi dei semiconduttori e dei componenti elettronici vendita e nel servizio per i clienti in 10 anni, si specializza nella vendita del nuovo e la fabbrica inutilizzata e originale ha sigillato i componenti elettronici di imballaggio. specializzi in IC, il diodo, il transistor, IGBT, *** del convertitore cc-cc ..... ha installato la nostra propria concezione di servizio di vendite e già ha stabilito le forti associazioni con molti produttori famosi ed abbiamo più di 5.000.000 generi di componenti elettronici per le vostre scelte, sempre ai vostri servizi!
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: Siamo produttore originale OF Integrated Circuit Chip. Possiamo fare l'affare di OEM/ODM.
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