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Densité élevée 60v 200ma de cellules de transistor MOSFET de transistors de la Manche de 2N7000_D75Z N
  • Densité élevée 60v 200ma de cellules de transistor MOSFET de transistors de la Manche de 2N7000_D75Z N

Densité élevée 60v 200ma de cellules de transistor MOSFET de transistors de la Manche de 2N7000_D75Z N

Lieu d'origine Appel
Nom de marque onsemi
Certification ROHS
Numéro de modèle 2N7000_D75Z
Détails du produit
Nom de produit:
2N7000_D75Z
Condition:
Original 100%
Methodpe d'installation:
La Manche du 21H DU MATIN /SMT 1 de transistor MOSFET - 55 N-canal 30 V de C TO-252-3 28 W
Paquet:
TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63
Tension - approvisionnement:
Norme internationale
Max. Reverse Current:
Norme internationale
Application:
Transistors - FETs de transistors MOSFET - simples
Surligner: 

Transistor MOSFET de transistors de la Manche de N

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Transistor MOSFET du transistor 2N7000_D75Z

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Transistor MOSFET de la Manche de 2N7000_D75Z N

Description de produit

                                                                  Densité élevée 60v 200ma de cellules de transistor MOSFET de transistors de la Manche de 2N7000_D75Z N 0Fiche technique 2N7000_D75Z
Détails de produit

Description

Ces transistors à effet de champ de mode d'amélioration de N-canal sont produits utilisant Fairchilds de propriété industrielle, densité élevée de cellules, technologie de DMOS. Ces produits ont été conçus pour réduire au minimum la résistance de sur-état tandis que représentation de changement rocailleuse, fiable, et rapide de fourniture. Ils peuvent être employés dans la plupart des applications exigeant le C.C jusqu'à de 400 mA et peuvent fournir les courants pulsés jusqu'à 2 A. Ces produits approprié en particulier aux applications de basse tension et à faible intensité, telles que le petit contrôle de moteur servo, les conducteurs de porte de transistor MOSFET de puissance, et d'autres applications de changement.

Caractéristiques

• Conception à haute densité de cellules pour le bas RDS (DESSUS)
• Commutateur commandé de signal de tension petit
• Rocailleux et fiable
• Capacité élevée de courant de saturation

Caractéristiques

                     
Attribut Valeur d'attribut
Fabricant Semi-conducteur de Fairchild
Catégorie de produit FETs - simples
EmballagePaquet de munitions
Unité-poids 0,007090 onces
De style du support Par le trou
Paquet-cas TO-92-3
TechnologieSI
Nombre-de-canaux La 1 Manche
Configuration Simple
De type transistor 1 N-canal
Palladium-Puissance-dissipation400 mW
Température de fonctionnement maximum+ 150 C
Gamme de température de fonctionnement- 55 C
Vgs-Porte-Source-tension20 V
Identification (courant de drain)200 mA
Vds-Drain-Source-Panne-tension60 V
RDS-Sur-Drain-Source-résistance1,2 ohms
Transistor-polarité N-canal
Transconductance0,1 S
Canal-modeAmélioration
 

Descriptions

N-CANAL 60V 200mA de TRANSISTOR MOSFET

Qui sommes-nous ?
est une société professionnelle de commercialisation entièrement occupée dans les champs des semi-conducteurs et des composants électroniques vente et le service pour des clients sur 10 ans, se spécialise en vendant le nouveau et l'usine inutilisée et originale du joint les composants électroniques de garniture. spécialisez-vous dans IC, diode, le transistor, IGBT, *** de convertisseur de DC-DC ..... a installé notre propre conception de service de ventes et a déjà établi des associations fortes avec beaucoup de fabricants célèbres et nous avons plus de 5 000 000 genres de composants électroniques pour vos choix, toujours à vos services !
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: Nous sommes fabricant original OF Integrated Circuit Chip. Nous pouvons faire des affaires d'OEM/ODM.
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Q : Quelle est la garantie ?
: La garantie libre est à un an du jour de la commission qualifié. S'il y a n'importe quel défaut pour nos produits au cours de la période libre de garantie, nous le réparerons et changerons l'ensemble de défaut pour libre.

 
 

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