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Densidade de pilha alta 60v do MOSFET dos transistor do canal de 2N7000_D75Z N 200ma
  • Densidade de pilha alta 60v do MOSFET dos transistor do canal de 2N7000_D75Z N 200ma

Densidade de pilha alta 60v do MOSFET dos transistor do canal de 2N7000_D75Z N 200ma

Lugar de origem Chamada
Marca onsemi
Certificação ROHS
Número do modelo 2N7000_D75Z
Detalhes do produto
Nome do produto:
2N7000_D75Z
Circunstância:
Original 100%
Methodpe da instalação:
MOSFET 21 um canal de SMD/SMT 1 - 55 N-canal 30 V de C TO-252-3 28 W
Pacote:
TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63
Tensão - fonte:
Standard internacional
Máximo Reverso Atual:
Standard internacional
Aplicação:
Transistor - FETs dos MOSFETs - únicos
Realçar: 

MOSFET dos transistor do canal de N

,

MOSFET do transistor 2N7000_D75Z

,

MOSFET do canal de 2N7000_D75Z N

Descrição do produto

                                                                  Densidade de pilha alta 60v do MOSFET dos transistor do canal de 2N7000_D75Z N 200ma 0Folha de dados 2N7000_D75Z
Detalhes do produto

Descrição

Estes transistor de efeito de campo do modo do realce do N-canal são produzidos usando Fairchilds proprietário, densidade de pilha alta, tecnologia de DMOS. Estes produtos forem projetados minimizar a resistência do em-estado quando desempenho de comutação áspero, seguro, e rápido do fornecimento. Podem ser usados na maioria de aplicações que exigem a C.C. de até 400 miliampère e podem entregar as correntes pulsadas até 2 A. Estes produtos são seridos particularmente para as aplicações de baixa voltagem, baixo-atuais, tais como o controlo do motor servo pequeno, os motoristas da porta do MOSFET do poder, e outras aplicações de comutação.

Características

• Projeto da pilha do alto densidade para o baixo RDS (SOBRE)
• Interruptor pequeno controlado do sinal da tensão
• Áspero e seguro
• Capacidade alta da corrente de saturação

Especificações

                     
Atributo Valor de atributo
Fabricante Semicondutor de Fairchild
Categoria de produto FETs - únicos
EmpacotamentoBloco da munição
Unidade-peso 0,007090 onças
Montagem-estilo Através do furo
Pacote-caso TO-92-3
TecnologiaSi
Número--canais 1 canal
Configuração Único
Transistor-tipo 1 N-canal
Paládio-Poder-dissipação400 mW
Temperatura de funcionamento máximo+ 150 C
Variação da temperatura de funcionamento- 55 C
Vgs-Porta-Fonte-tensão20 V
Identificação (corrente do dreno)200 miliampères
Vds-Dreno-Fonte-Divisão-tensão60 V
RDS-Em-Dreno-Fonte-resistência1,2 ohms
Transistor-polaridade N-canal
Transcondutância0,1 S
Canal-modoRealce
 

Descrições

N-CANAL 60V 200mA do MOSFET

Quem nós somos?
é um corporaçõ profissional do mercado eletrônico contratado inteiramente nos campos dos semicondutores e de componentes eletrônicos venda e no serviço para clientes sobre 10 anos, especializa-se em vender o novo e a fábrica não utilizada, original selou componentes eletrônicos de embalagem. especialize-se em IC, diodo, transistor, IGBT, *** do conversor de DC-DC ..... estabeleceu nossa própria concepção do serviço das vendas e já estabeleceu parcerias fortes com muitos fabricantes famosos e nós temos mais de 5.000.000 tipos de componentes eletrônicos para suas escolhas, sempre em seus serviços!
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: Nós somos fabricante original OF Integrated Circuit Chip. Nós podemos fazer o negócio de OEM/ODM.
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Q: Como comprar seus produtos?
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