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2N7000_D75Z NチャネルのトランジスターMOSFETの高い細胞密度60v 200ma
  • 2N7000_D75Z NチャネルのトランジスターMOSFETの高い細胞密度60v 200ma

2N7000_D75Z NチャネルのトランジスターMOSFETの高い細胞密度60v 200ma

起源の場所 呼出し
ブランド名 onsemi
証明 ROHS
モデル番号 2N7000_D75Z
製品詳細
製品名:
2N7000_D75Z
条件:
原物100%
設置methodpe:
MOSFET 21 SMD/SMT 1チャネル- 55 C TO-252-3 28 WのN-Channel 30 V
パッケージ:
TO-252-3、DPak (2つの鉛+タブ)、SC-63
電圧-供給:
国際規格
最高。逆の流れ:
国際規格
適用:
単一トランジスター- MOSFETsのFETs -
ハイライト: 

NチャネルのトランジスターMOSFET

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2N7000_D75ZトランジスターMOSFET

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2N7000_D75Z NチャネルMOSFET

製品の説明

                                                                  2N7000_D75Z NチャネルのトランジスターMOSFETの高い細胞密度60v 200ma 02N7000_D75Zデータ用紙
プロダクト細部

記述

これらのN-channelの強化モード電界効果トランジスタは、高い細胞密度専有、Fairchilds DMOSの技術を使用して作り出される。これらのプロダクトはオン州の抵抗を最小にするように間、提供の険しく、信頼できる、速い転換の性能設計されている。それらは400までmA DCを要求するほとんどの適用で使用し、脈打った流れ2までA.を提供してもいい。これらのプロダクトは小さいサーボ運動制御、力MOSFETのゲートの運転者および他の転換の適用のような低電圧、low-current適用に特に、適する。

特徴

•低いRDSのための高密度細胞の設計()
•電圧管理された小さい信号スイッチ
•険しく、信頼できる
•高い飽和電流の機能

指定

                     
属性 属性値
製造業者 フェアチャイルドの半導体
製品カテゴリ 単一FETs -
包装弾薬パック
単位重量 0.007090 oz
土台式 穴を通して
パッケージ場合 TO-92-3
技術Si
数のチャネル 1つのチャネル
構成 単一
トランジスター タイプ 1つのN-Channel
Pd力消滅400 MW
最高使用可能温度+ 150 C
実用温度範囲- 55 C
Vgsゲート源電圧20ボルト
ID (下水管の流れ)200 mA
Vds下水管源故障電圧60ボルト
Rds下水管源抵抗1.2オーム
トランジスター極性 N-Channel
相互コンダクタンス0.1 S
チャネル モード強化
 

記述

MOSFETのN-CHANNEL 60V 200mA

だれ私達はあるか。
完全に半導体および電子部品販売の分野および10年にわたる顧客のためのサービスで従事している専門の電子販売株式会社はあったり新しいのの販売を専門にし、未使用の、元の工場はパッキングの電子部品を密封した。ICのダイオード、トランジスター、IGBTのDC-DCのコンバーターの..... ***をセットアップし、私達の自身の販売サービス概念を既に確立してしまった多くの有名な製造業者との強いパートナーシップを専門にすれば私達にあなたのサービスで5,000,000種類以上のあなたの選択のための電子部品、常にある!
FAQ
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
:私達は集積回路の破片の元の製造業者である。私達はOEM/ODMビジネスをしてもいい。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
:グループの購買の受渡し時間:30-60日;概要の受渡し時間:20日。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
:沈殿物としてT/T 30%、および配達の前の70%。
Q:あなたのプロダクトを買う方法か。
:私達の会社からのプロダクトを直接買うことができる。通常プロシージャはあなたの国に配達に印契約、T/Tによる支払、連絡する運送会社に商品である。
Q:保証は何であるか。
:自由な保証は修飾される依託の日からの1年ある。自由な保証期間内の私達のプロダクトのための欠陥があれば、私達はそれを修理し、自由のための欠陥アセンブリを変える。

 
 

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