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Kanal-Transistoren MOSFET 2N7000_D75Z N hohe Dichte Zell60v 200ma
  • Kanal-Transistoren MOSFET 2N7000_D75Z N hohe Dichte Zell60v 200ma

Kanal-Transistoren MOSFET 2N7000_D75Z N hohe Dichte Zell60v 200ma

Herkunftsort Anruf
Markenname onsemi
Zertifizierung ROHS
Modellnummer 2N7000_D75Z
Produktdetails
Produkt-Name:
2N7000_D75Z
Bedingung:
Vorlage 100%
Installation methodpe:
MOSFET 21 ein Kanal SMD/SMT 1 - 55 N-Kanal 30 V C TO-252-3 28 W
Paket:
TO-252-3, DPak (2 Führungen + Vorsprung), SC-63
Spannung - Versorgung:
Internationaler Standard
Max. Reverse Current:
Internationaler Standard
Anwendung:
Transistoren - MOSFETs FETs - einzeln
Markieren: 

N-Kanal-Transistoren MOSFET

,

Transistor 2N7000_D75Z MOSFET

,

MOSFET Kanal 2N7000_D75Z N

Produktbeschreibung

                                                                  Kanal-Transistoren MOSFET 2N7000_D75Z N hohe Dichte Zell60v 200ma 0Datenblatt 2N7000_D75Z
Produkt-Details

Beschreibung

Diese N-Kanalanreicherungstyp-Feldeffekttransistoren werden unter Verwendung eigenen Fairchilds, hohe Zelldichte, DMOS-Technologie produziert. Diese Produkte sind entworfen worden, um Durchlasswiderstand während schroffe, zuverlässige und schnelle zugeschaltete Leistung der Lieferung herabzusetzen. Sie können in den meisten Anwendungen benutzt werden, die bis 400 MA DC erfordern und können pulsierte Strom bis 2 A. liefern. Diese Produkte werden besonders für die Schwachstrom-, niedrig-gegenwärtigen Anwendungen, wie kleine Servomotorsteuerung, Macht MOSFET-Torfahrer und andere zugeschaltete Anwendungen entsprochen.

Eigenschaften

• Zellentwurf mit hoher Dichte für niedriges RDS (AN)
• Spannungs-kontrollierter differenzieller Schalter
• Schroff und zuverlässig
• Hohe Sättigungs-Strom-Fähigkeit

Spezifikationen

                     
Attribut Attribut-Wert
Hersteller Fairchild-Halbleiter
Produkt-Kategorie FETs - einzeln
VerpackenMunitions-Satz
Stückgewicht 0,007090 Unze
Montage-ähnlich Durch Loch
Paket-Fall TO-92-3
TechnologieSi
Zahl-von-Kanäle 1 Kanal
Konfiguration Einzeln
Transistor-artig 1 N-Kanal
PD-Energie-Ableitung400 mW
Normalbetriebshöchsttemperatur+ 150 C
Betriebstemperaturbereich- 55 C
Vgs-Tor-Quelle-Spannung20 V
Identifikation (Abflussstrom)200 MA
Vds-Abfluss-Quelle-Zusammenbruch-Spannung60 V
RDS-Auf-Abfluss-Quelle-Widerstand1,2 Ohm
Transistor-Polarität N-Kanal
Transconductance0,1 S
Kanal-ModusVerbesserung
 

Beschreibungen

Mosfet-N-KANAL 60V 200mA

Wer sind wir?
ist eine professionelle EDV-Marketing Gesellschaft, die völlig an den Feldern von Halbleitern und von elektronischen Bauelementen Verkauf und Service für Kunden in 10 Jahren teilnimmt, spezialisiert sich, auf, das neue zu verkaufen und unbenutzte, ursprüngliche Fabrik versiegelte verpackende elektronische Bauelemente. spezialisieren Sie sich auf IC, Diode, Transistor, IGBT, DDC ..... *** hat gegründet unsere eigene Verkaufsservice-Konzeption und hat hergestellt bereits starke Partnerschaften mit vielen berühmten Herstellern und wir haben mehr als 5.000.000 Arten elektronische Bauelemente für Ihre Wahlen, immer an Ihren Dienstleistungen!
FAQ
Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
: Wir sind ursprünglicher Hersteller OF Integrated Circuit Chip. Wir können OEM-/ODMgeschäft tätigen.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
: GruppenkaufLieferfrist: 30-60 Tage; Allgemeine Lieferfrist: 20 Tage.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
: T/T 30% als Ablagerung und 70% vor Lieferung.
Q: Wie man Ihre Produkte kauft?
: Sie können die Produkte von unserer Firma direkt kaufen. Normalerweise ist das Verfahren Zeichen der Vertrag, Zahlung durch T/T, in Verbindung treten mit der Reederei zur Lieferung die Waren zu Ihrem Land.
Q: Was ist die Garantie?
: Die freie Garantie ist ein Jahr vom Tag der Beauftragung qualifiziert. Wenn es irgendeine Störung für unsere Produkte innerhalb des freien Garantiezeitraums gibt, reparieren wir sie und ändern die Störungsversammlung für freies.

 
 

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