2N7000 D75Z 데이터 시트
제품 상세정보
이러한 엔-채널 증가 모드 FET은 독점적인 페어차일드스, 높은 셀밀도, 이중 확산 금속 산화물 반도체 기술을 사용하여 생산됩니다. 이러한 제품은 울퉁불퉁하고 믿을 만하고 빠른 접속품질을 제공하는 동안 온-상태 저항을 최소화하도록 설계되었습니다. 그들은 최고 400까지 마 DC를 요구하여 대부분의 어플리케이션에서 사용될 수 있고, 2 A까지 펄스성 전류를 전달할 수 있습니다. 이러한 상품은 작은 서보 모터 제어와 파워 모스펫 게이트 드라이버와 다른 교환 응용과 같은 저전압, 저전류 적용에 특히 적합합니다.
낮은 RDS(ON)를 위한 오우 고밀도 셀설계
오우 전압 통제된 소신호 스위치
울퉁불퉁하고 믿을 만한 오우
오우고 포화 전류 역량
상술
특성 | 속성 값 |
---|---|
제조사 | 페어 차일드 반도체 |
상품 카테고리 | FET - 단일 |
패키징 | 탄약 팩 |
단일 가중치 | 0.007090 온스 |
증가하는 방식 | 관통 홀 |
포장 케이스 | TO-92-3 |
기술 | Si |
채널 수 | 1개 채널 |
구성 | 단일 |
트랜지스터 유형 | 1 엔-채널 |
Pd 전원 산재 | 400 mW |
최대 작업 온도 | + 150 C |
작동 온도 범위 | - 55 C |
브그스 게이츠 원천 전압 | 20 V |
ID (드레인전류) | 200 마 |
Vds 배수 원천 고장 전압 | 60 V |
Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 1.2 오옴 |
트랜지스터 극성 | 엔-채널 |
상호컨덕턴스 | 0.1 S |
채널 모드 | 향상 |
기술
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