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| Lieu d'origine | Appel |
| Nom de marque | Infineon |
| Certification | ROHS |
| Numéro de modèle | IRLML6402TRPBF |
Fiche technique d'IRLML6402TRPBF
Ces transistors MOSFET de P-canal de redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET® sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans la gestion de batterie et de charge.
Sur-résistance très réduite
Transistor MOSFET de P-canal
Empreinte de pas SOT-23
Profil bas (<1>
disponible dans la bande et la bobine
Commutation rapide
Sans plomb
RoHS conforme, sans halogène
l'électronique portative
Cartes de PCMCIA
| Attribut | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Fabricant | INFINEON |
| Catégorie de produit | FETs - simples |
| Fabricant | Redresseur international |
| Produit-catégorie | Transistor MOSFET |
| RoHS | Détails |
| De style du support | SMD/SMT |
| Paquet-cas | SOT-23-3 |
| Nombre-de-canaux | La 1 Manche |
| Transistor-polarité | P-canal |
| Vds-Drain-Source-Panne-tension | - 20 V |
| Identification-Continu-Drain-actuel | - 3,7 A |
| RDS-Sur-Drain-Source-résistance | 65 mOhms |
| Vgs-Porte-Source-tension | 12 V |
| Qg-Porte-charge | 8 OR |
| Technologie | SI |
| Emballage | Bobine |
| Marque | Redresseur international |
| Palladium-Puissance-dissipation | 1,3 W |
| De type transistor | 1 P-canal |
| Unité-poids | 0,050717 onces |
| Fabricant Part # | Description | Fabricant | Comparez |
| IRLML6402GTRPBF | Transistor d'effet de champ de puissance, 3.7A I (D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-canal, silicium, FET de semi-conducteur d'oxyde métallique, TO-236AB, SANS PLOMB, MICRO-3 | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF contre IRLML6402GTRPBF |
| IRLML6402GPBF | Transistor d'effet de champ de puissance, 3.7A I (D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-canal, silicium, FET de semi-conducteur d'oxyde métallique, TO-236AB, SANS PLOMB, MICRO-3 | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF contre IRLML6402GPBF |
| IRLML6402TRPBF | Transistor d'effet de champ de puissance, 3.7A I (D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-canal, silicium, FET de semi-conducteur d'oxyde métallique, TO-236AB, SANS PLOMB, MICRO-3 | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF contre IRLML6402TRPBF |
| IRLML6402PBF | Transistor | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF contre IRLML6402PBF |
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est une société professionnelle de commercialisation entièrement occupée dans les champs des semi-conducteurs et des composants électroniques vente et le service pour des clients sur 10 ans, se spécialise en vendant le nouveau et l'usine inutilisée et originale du joint les composants électroniques de garniture. spécialisez-vous dans IC, diode, le transistor, IGBT, *** de convertisseur de DC-DC ..... a installé notre propre conception de service de ventes et a déjà établi des associations fortes avec beaucoup de fabricants célèbres et nous avons plus de 5 000 000 genres de composants électroniques pour vos choix, toujours à vos services !
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