Casa
>
Produtos
>
Semicondutor discreto
>
|
| Lugar de origem | Chamada |
| Marca | Infineon |
| Certificação | ROHS |
| Número do modelo | IRLML6402TRPBF |
Folha de dados de IRLML6402TRPBF
Estes MOSFETs do P-canal do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET® são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso na gestão da bateria e da carga.
Em-resistência ultra baixa
MOSFET do P-canal
Pegada SOT-23
Perfil baixo (<1>
disponível na fita e no carretel
Interruptor rápido
Sem chumbo
RoHS complacente, Halogênio-livre
eletrônica portátil
Cartões de PCMCIA
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | INFINEON |
| Categoria de produto | FETs - únicos |
| Fabricante | Retificador internacional |
| Produto-categoria | MOSFET |
| RoHS | Detalhes |
| Montagem-estilo | SMD/SMT |
| Pacote-caso | SOT-23-3 |
| Número--canais | 1 canal |
| Transistor-polaridade | P-canal |
| Vds-Dreno-Fonte-Divisão-tensão | - 20 V |
| Identificação-Contínuo-Dreno-atual | - 3,7 A |
| RDS-Em-Dreno-Fonte-resistência | 65 mOhms |
| Vgs-Porta-Fonte-tensão | 12 V |
| Qg-Porta-carga | 8 nC |
| Tecnologia | Si |
| Empacotamento | Carretel |
| Tipo | Retificador internacional |
| Paládio-Poder-dissipação | 1,3 W |
| Transistor-tipo | 1 P-canal |
| Unidade-peso | 0,050717 onças |
| Fabricante Part # | Descrição | Fabricante | Compare |
| IRLML6402GTRPBF | Transistor do efeito de campo do poder, 3.7A I (D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-canal, silicone, FET do semicondutor de Metal-óxido, TO-236AB, SEM CHUMBO, MICRO-3 | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF contra IRLML6402GTRPBF |
| IRLML6402GPBF | Transistor do efeito de campo do poder, 3.7A I (D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-canal, silicone, FET do semicondutor de Metal-óxido, TO-236AB, SEM CHUMBO, MICRO-3 | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF contra IRLML6402GPBF |
| IRLML6402TRPBF | Transistor do efeito de campo do poder, 3.7A I (D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-canal, silicone, FET do semicondutor de Metal-óxido, TO-236AB, SEM CHUMBO, MICRO-3 | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF contra IRLML6402TRPBF |
| IRLML6402PBF | Transistor | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF contra IRLML6402PBF |
Quem nós somos?
é um corporaçõ profissional do mercado eletrônico contratado inteiramente nos campos dos semicondutores e de componentes eletrônicos venda e no serviço para clientes sobre 10 anos, especializa-se em vender o novo e a fábrica não utilizada, original selou componentes eletrônicos de embalagem. especialize-se em IC, diodo, transistor, IGBT, *** do conversor de DC-DC ..... estabeleceu nossa própria concepção do serviço das vendas e já estabeleceu parcerias fortes com muitos fabricantes famosos e nós temos mais de 5.000.000 tipos de componentes eletrônicos para suas escolhas, sempre em seus serviços!
FAQ
Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
: Nós somos fabricante original da microplaqueta do circuito integrado. Nós podemos fazer o negócio de OEM/ODM.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
: Prazo de entrega da compra do grupo: 30-60 dias; Prazo de entrega geral: 20 dias.
Q: Que é seus termos de pagamento?
: T/T 30% como o depósito, e 70% antes da entrega.
Q: Como comprar seus produtos?
: Você pode comprar os produtos de nossa empresa diretamente. Normalmente o procedimento é sinal o contrato, pagamento por T/T, contacta o transitário à entrega os bens a seu país.
Q: Que é a garantia?
: A garantia livre está a um ano do dia da comissão qualificado. Se há qualquer falha para nossos produtos dentro do período de garantia livre, nós repará-la-emos e mudá-los-emos o conjunto da falha para livre.
CONTATE-NOS A QUALQUER MOMENTO
