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IRLML6402TRPBF 트랜지스터 페트스 한 개의 MOSFET P-치 -3.7A 65mOhm 8nC 로그 라이프들 1 채널 1.3 W P-채널 - 20 V
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IRLML6402TRPBF 트랜지스터 페트스 한 개의 MOSFET P-치 -3.7A 65mOhm 8nC 로그 라이프들 1 채널 1.3 W P-채널 - 20 V

원래 장소 전화
브랜드 이름 Infineon
인증 ROHS
모델 번호 IRLML6402TRPBF
제품 세부 정보
상품 이름:
IRLML6402TRPBF
상태:
원형 100%
증가하는 타입:
MOSFET P-채널
전압 - 공급:
표준
맥스. 역류:
표준
애플리케이션:
트랜지스터 페트스 단일
제품 설명

                                                                                 IRLML6402TRPBF 트랜지스터 페트스 한 개의 MOSFET P-치 -3.7A 65mOhm 8nC 로그 라이프들 1 채널 1.3 W P-채널 - 20 V 0IRLML6402TRPBF 데이터 시트

기술

국제적인 정류기로부터의 이러한 P-채널 MOSFET은 실리콘 면적마다 낮은 온 저항을 극단적으로 달성하기 위해 고도 처리 기술을 이용합니다. HEXFET® 파워 모스펫이 잘 알려지는 고속 스위칭 속도와 울퉁불퉁한 기기 디자인에 결합된 이 이익이 배터리와 부하관리에 사용하기 위해 디자이너에게 극단적으로 효율적이고 믿을 만한 장치를 제공합니다.


특징

극저 온 저항
P-채널 MOSFET
SOT-23 발자국
테이프와 릴에<1> 이용할 수 있는 저자세
고속 스위칭
무연
로에스 순응한, 무할로겐


애플리케이션

휴대용 전자제품
PCMCIA 카드

 

                   
특성 속성 값
제조사 인피네온
상품 카테고리 FET - 단일
제조사 국제적인 정류기
상품 카테고리MOSFET
로에스세부 사항
증가하는 방식 SMD / SMT
포장 케이스 SOT-23-3
채널 수 1개 채널
트랜지스터 극성 P-채널
Vds 배수 원천 고장 전압- 20 V
Id 연속적인 배수 경향 - 3.7 A
Rds 계속되는 배수 원천 저항65 모엠에스
브그스 게이츠 원천 전압12 V
큐그 게이트 요금8 nC
기술Si
패키징
브랜드 국제적인 정류기
Pd 전원 산재1.3 W
트랜지스터 유형 1 P-채널
단일 가중치0.050717 온스
 

기능적 호환 성분

형식, 패키지, 기능적 호환 성분

 

 

 

제조사 Part# 기술 제조사 비교
IRLML6402GTRPBF 전력 전계 효과 트렌지스터, 3.7A I(D), 20V, 0.065 오옴, 1-요소, P-채널, 실리콘, 산화막 반도체 FET, TO-236AB, 무연성, MICRO-3 인피니언 테크놀러지 AG IRLML6402TRPBF 대 IRLML6402GTRPBF
IRLML6402GPBF 전력 전계 효과 트렌지스터, 3.7A I(D), 20V, 0.065 오옴, 1-요소, P-채널, 실리콘, 산화막 반도체 FET, TO-236AB, 무연성, MICRO-3 인피니언 테크놀러지 AG IRLML6402TRPBF 대 IRLML6402GPBF
IRLML6402TRPBF 전력 전계 효과 트렌지스터, 3.7A I(D), 20V, 0.065 오옴, 1-요소, P-채널, 실리콘, 산화막 반도체 FET, TO-236AB, 무연성, MICRO-3 인피니언 테크놀러지 AG IRLML6402TRPBF 대 IRLML6402TRPBF
IRLML6402PBF 트랜지스터 인피니언 테크놀러지 AG IRLML6402TRPBF 대 IRLML6402PBF

 

 

 

 

 

 

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