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| Luogo di origine | Chiamata |
| Marca | Infineon |
| Certificazione | ROHS |
| Numero di modello | IRLML6402TRPBF |
Questi MOSFETs di P-Manica dal raddrizzatore internazionale utilizzano le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio. Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo cui i MOSFETs di potere di HEXFET® sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso in gestione del carico e della batteria.
Su resistenza ultrabassa
MOSFET di P-Manica
Orma SOT-23
Basso profilo (<1>
disponibile in nastro ed in bobina
Commutazione veloce
Senza piombo
RoHS compiacente, senza alogeno
elettronica portatile
Carte di PCMCIA
| Attributo | Valore di attributo |
|---|---|
| Produttore | INFINEON |
| Categoria di prodotto | FETs - singoli |
| Produttore | Raddrizzatore internazionale |
| Prodotto-categoria | MOSFET |
| RoHS | Dettagli |
| Stile montaggio | SMD/SMT |
| Pacchetto-caso | SOT-23-3 |
| Numero-de-canali | 1 Manica |
| Transistor-polarità | P-Manica |
| Vds-Scolo-Fonte-Ripartizione-tensione | - 20 V |
| Identificazione-Continuo-Scolo-corrente | - 3,7 A |
| RDS-Su-Scolo-Fonte-resistenza | 65 mOhms |
| Vgs-Portone-Fonte-tensione | 12 V |
| Qg-Portone-tassa | 8 nC |
| Tecnologia | Si |
| Imballaggio | Bobina |
| Marca | Raddrizzatore internazionale |
| Palladio-Potere-dissipazione | 1,3 W |
| Transistor tipo | 1 P-Manica |
| Unità-peso | 0,050717 once |
| Produttore Part # | Descrizione | Produttore | Confronti |
| IRLML6402GTRPBF | Transistor di effetto di campo di potere, 3.7A I (D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Manica, silicio, FET a semiconduttore di ossido metallico, TO-236AB, SENZA PIOMBO, MICRO-3 | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF contro IRLML6402GTRPBF |
| IRLML6402GPBF | Transistor di effetto di campo di potere, 3.7A I (D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Manica, silicio, FET a semiconduttore di ossido metallico, TO-236AB, SENZA PIOMBO, MICRO-3 | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF contro IRLML6402GPBF |
| IRLML6402TRPBF | Transistor di effetto di campo di potere, 3.7A I (D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Manica, silicio, FET a semiconduttore di ossido metallico, TO-236AB, SENZA PIOMBO, MICRO-3 | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF contro IRLML6402TRPBF |
| IRLML6402PBF | Transistor | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF contro IRLML6402PBF |
Chi siamo?
è una società professionale della commercializzazione elettronica interamente impegnata nei campi dei semiconduttori e dei componenti elettronici vendita e nel servizio per i clienti in 10 anni, si specializza nella vendita del nuovo e la fabbrica inutilizzata e originale ha sigillato i componenti elettronici di imballaggio. specializzi in IC, il diodo, il transistor, IGBT, *** del convertitore cc-cc ..... ha installato la nostra propria concezione di servizio di vendite e già ha stabilito le forti associazioni con molti produttori famosi ed abbiamo più di 5.000.000 generi di componenti elettronici per le vostre scelte, sempre ai vostri servizi!
FAQ
Q: È voi società per azioni o il produttore?
: Siamo produttore originale del chip del circuito integrato. Possiamo fare l'affare di OEM/ODM.
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: Termine di consegna di acquisto del gruppo: 30-60 giorni; Termine di consegna generale: 20 giorni.
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: T/T 30% come deposito e 70% prima della consegna.
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