Diese P-Kanal MOSFETs vom internationalen Gleichrichter verwenden moderne Verfahrenstechniken, um - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen. Dieser Nutzen, kombiniert mit der schnellen Schaltverzögerung und ruggedized dem Gerätentwurf, die HEXFET®-Energie MOSFETs weithin bekannt sind für, versieht den Designer mit einem extrem leistungsfähigen und zuverlässigen Gerät für Gebrauch im Batterie- und Lastsmanagement.
Ultra niedriger Auf-Widerstand
P-Kanal MOSFET
Abdruck SOT-23
Zurückhaltung (<1>
verfügbar im Band und in der Spule
Schnelle Schaltung
Bleifrei
RoHS konform, Halogen-frei
tragbare Elektronik
PCMCIA-Karten
Attribut | Attribut-Wert |
---|---|
Hersteller | INFINEON |
Produkt-Kategorie | FETs - einzeln |
Hersteller | Internationaler Gleichrichter |
Produkt-Kategorie | MOSFET |
RoHS | Details |
Montage-ähnlich | SMD/SMT |
Paket-Fall | SOT-23-3 |
Zahl-von-Kanäle | 1 Kanal |
Transistor-Polarität | P-Kanal |
Vds-Abfluss-Quelle-Zusammenbruch-Spannung | - 20 V |
Identifikation-Ununterbrochen-Abfluss-gegenwärtig | - 3,7 A |
RDS-Auf-Abfluss-Quelle-Widerstand | 65 mOhms |
Vgs-Tor-Quelle-Spannung | 12 V |
Qg-Tor-Gebühr | 8 nC |
Technologie | Si |
Verpacken | Spule |
Marke | Internationaler Gleichrichter |
PD-Energie-Ableitung | 1,3 W |
Transistor-artig | 1 P-Kanal |
Stückgewicht | 0,050717 Unze |
Hersteller Part # | Beschreibung | Hersteller | Vergleichen Sie |
IRLML6402GTRPBF | Energie-Feldeffekttransistor, 3.7A I (D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Kanal, Silikon, Metallhalbleiter FET, TO-236AB, BLEIFREI, MICRO-3 | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF gegen IRLML6402GTRPBF |
IRLML6402GPBF | Energie-Feldeffekttransistor, 3.7A I (D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Kanal, Silikon, Metallhalbleiter FET, TO-236AB, BLEIFREI, MICRO-3 | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF gegen IRLML6402GPBF |
IRLML6402TRPBF | Energie-Feldeffekttransistor, 3.7A I (D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Kanal, Silikon, Metallhalbleiter FET, TO-236AB, BLEIFREI, MICRO-3 | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF gegen IRLML6402TRPBF |
IRLML6402PBF | Transistor | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF gegen IRLML6402PBF |
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