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IRLML6402TRPBFのトランジスターFETs単一MOSFET P CH -3.7A 65mOhm 8nCの丸太Lvl 1チャネル1.3 W.P。-チャネル- 20ボルト
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IRLML6402TRPBFのトランジスターFETs単一MOSFET P CH -3.7A 65mOhm 8nCの丸太Lvl 1チャネル1.3 W.P。-チャネル- 20ボルト

起源の場所 呼出し
ブランド名 Infineon
証明 ROHS
モデル番号 IRLML6402TRPBF
製品詳細
製品名:
IRLML6402TRPBF
条件:
原物100%
タイプの取付け:
MOSFETのP-Channel
電圧-供給:
標準
最高。逆の流れ:
標準
適用:
FETs単一トランジスター
製品の説明

                                                                                 IRLML6402TRPBFのトランジスターFETs単一MOSFET P CH -3.7A 65mOhm 8nCの丸太Lvl 1チャネル1.3 W.P。-チャネル- 20ボルト 0IRLML6402TRPBFのデータ用紙

記述

国際的な整流器からのこれらのP-ChannelのMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET®力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点は電池および負荷管理の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。


特徴

超低いオン抵抗
P-Channel MOSFET
SOT-23足跡
控えめ(<1> テープおよび巻き枠で利用できる
速い切換え
無鉛
迎合的なRoHSハロゲンなし


適用

携帯用電子工学
PCMCIAカード

 

                   
属性 属性値
製造業者 INFINEON
製品カテゴリ 単一FETs -
製造業者 国際的な整流器
プロダクト部門MOSFET
RoHS細部
土台式 SMD/SMT
パッケージ場合 SOT-23-3
数のチャネル 1つのチャネル
トランジスター極性 P-Channel
Vds下水管源故障電圧- 20ボルト
ID連続的下水管現在 - 3.7 A
Rds下水管源抵抗65のmOhms
Vgsゲート源電圧12ボルト
Qgゲート充満8 NC
技術Si
包装巻き枠
ブランド 国際的な整流器
Pd力消滅1.3 W
トランジスター タイプ 1つのP-Channel
単位重量0.050717 oz
 

機能多用性がある部品

形態、パッケージ、機能多用性がある部品

 

 

 

Part#製造業者 記述 製造業者 比較しなさい
IRLML6402GTRPBF 力のField-Effectのトランジスター、3.7A I (D)、20V、0.065ohmの1要素、P-Channel、ケイ素、金属酸化膜半導体FET、無鉛TO-236AB MICRO-3 Infineon Technologies AG IRLML6402TRPBF対IRLML6402GTRPBF
IRLML6402GPBF 力のField-Effectのトランジスター、3.7A I (D)、20V、0.065ohmの1要素、P-Channel、ケイ素、金属酸化膜半導体FET、無鉛TO-236AB MICRO-3 Infineon Technologies AG IRLML6402TRPBF対IRLML6402GPBF
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IRLML6402PBF トランジスター Infineon Technologies AG IRLML6402TRPBF対IRLML6402PBF

 

 

 

 

 

 

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