国際的な整流器からのこれらのP-ChannelのMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET®力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点は電池および負荷管理の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。
超低いオン抵抗
P-Channel MOSFET
SOT-23足跡
控えめ(<1>
テープおよび巻き枠で利用できる
速い切換え
無鉛
迎合的なRoHSハロゲンなし
携帯用電子工学
PCMCIAカード
属性 | 属性値 |
---|---|
製造業者 | INFINEON |
製品カテゴリ | 単一FETs - |
製造業者 | 国際的な整流器 |
プロダクト部門 | MOSFET |
RoHS | 細部 |
土台式 | SMD/SMT |
パッケージ場合 | SOT-23-3 |
数のチャネル | 1つのチャネル |
トランジスター極性 | P-Channel |
Vds下水管源故障電圧 | - 20ボルト |
ID連続的下水管現在 | - 3.7 A |
Rds下水管源抵抗 | 65のmOhms |
Vgsゲート源電圧 | 12ボルト |
Qgゲート充満 | 8 NC |
技術 | Si |
包装 | 巻き枠 |
ブランド | 国際的な整流器 |
Pd力消滅 | 1.3 W |
トランジスター タイプ | 1つのP-Channel |
単位重量 | 0.050717 oz |
Part#製造業者 | 記述 | 製造業者 | 比較しなさい |
IRLML6402GTRPBF | 力のField-Effectのトランジスター、3.7A I (D)、20V、0.065ohmの1要素、P-Channel、ケイ素、金属酸化膜半導体FET、無鉛TO-236AB MICRO-3 | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF対IRLML6402GTRPBF |
IRLML6402GPBF | 力のField-Effectのトランジスター、3.7A I (D)、20V、0.065ohmの1要素、P-Channel、ケイ素、金属酸化膜半導体FET、無鉛TO-236AB MICRO-3 | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF対IRLML6402GPBF |
IRLML6402TRPBF | 力のField-Effectのトランジスター、3.7A I (D)、20V、0.065ohmの1要素、P-Channel、ケイ素、金属酸化膜半導体FET、無鉛TO-236AB MICRO-3 | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF対IRLML6402TRPBF |
IRLML6402PBF | トランジスター | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF対IRLML6402PBF |
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