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| Lugar de origen | Llamada |
| Nombre de la marca | onsemi |
| Certificación | ROHS |
| Número de modelo | MMBT3904LT1G |
El MMBT3904LT1G es un transistor bipolar del silicio de fines generales de NPN con capacidades lineares y que cambian. Viene en el paquete SOT-23, que se piensa para los usos superficiales de baja potencia del soporte. El MMBT3904LT1G se puede utilizar en los circuitos que requieren densidad de gran intensidad y una gama ancha del voltaje. El voltaje máximo de la emisor-base del MMBT3904LT1G es 6 V. Puede disipar hasta 300 mW de poder.
Tipo del paquete: SOT−23 (TO−236)
Tipo del transistor: NPN
Max Collector Current (IC): 200 mA
Max Collector-Emitter Voltage (VCEO): 40 V
Max Collector-Base Voltage (VCBO): 60 V
Max Emitter-Base Voltage (VEBO): 6 V
Max Power Dissipation (paladio): 300 mW
Max Transition Frequency (pie): 300 megaciclos
Aumento actual de DC (hFE): 100 - 300
Temperatura del almacenamiento y de funcionamiento: -55 a +150 centígrados
Transferencia de fines generales
Tratamiento de señales
Industrial
Automotriz
Especificaciones
| Cualidad | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | EN el semiconductor |
| Categoría de producto | Transistores (BJT) - solo |
| Fabricante | EN el semiconductor |
| Producto-categoría | Transistores bipolares - BJT |
| RoHS | Detalles |
| Marca | EN el semiconductor |
| Montaje-estilo | SMD/SMT |
| Paquete-caso | SOT-23-3 |
| Transistor-polaridad | NPN |
| Configuración | Solo |
| Colector-Emisor-Voltaje-VCEO-máximo | 40 V |
| Colector-Base-voltaje-VCBO | 60 V |
| Emisor-Base-voltaje-VEBO | 6 V |
| Colector-Emisor-Saturación-voltaje | 0,3 V |
| Máximo-DC-colector-actual | 0,2 A |
| Aumento-Ancho de banda-Producto-pie | 300 megaciclos |
| Máximo-Actuar-temperatura | + 150 C |
| Serie | MMBT3904L |
| Continuo-Colector-actual | 0,2 A |
| DC-Colector-Base-Aumento-hfe-minuto | 100 |
| Mínimo-Actuar-temperatura | - 55 C |
| Empaquetado | Carrete |
| Paladio-Poder-disipación | 225 mW |
| Unidad-peso | 0,050717 onzas |
| Fabricante Part # | Descripción |
Fabricante |
Compare |
| BSR17A | Amplificador de fines generales de NPN, 3000-REEL | EN el semiconductor | MMBT3904LT1G contra BSR17A |
| MMBT3906LT3G | Transistor bipolar de PNP, 3 VENTAJA SOT-23 (TO-236), 10000-REEL | EN el semiconductor | MMBT3904LT1G contra MMBT3906LT3G |
| MMBT3904 | Transistor bipolar de la pequeña señal, 0.2A I (C), CEO de 40V V (BR), 1-Element, NPN, silicio, TO-236, ROHS OBEDIENTE, PACKAGE-3 PLÁSTICO | Semiconductor AG de Diotec | MMBT3904LT1G contra MMBT3904 |
| MMBT3906LT1 | Transistor bipolar de la pequeña señal, 0.2A I (C), PNP, | SynSemi Inc | MMBT3904LT1G contra MMBT3906LT1 |
| MMBT3904-7-F | Transistor bipolar de la pequeña señal, 0.2A I (C), CEO de 40V V (BR), 1-Element, NPN, silicio, VERDE, PACKAGE-3 PLÁSTICO | Diodos incorporados | MMBT3904LT1G contra MMBT3904-7-F |
| MMBT3904-TP | Transistor bipolar de la pequeña señal, 0.2A I (C), CEO de 40V V (BR), 1-Element, NPN, silicio, ROHS OBEDIENTE, PACKAGE-3 PLÁSTICO | Componentes comerciales micro | MMBT3904LT1G contra MMBT3904-TP |
| MMBT3904LT3G | Transistor bipolar de NPN, 3 VENTAJA SOT-23 (TO-236), 10000-REEL | EN el semiconductor | MMBT3904LT1G contra MMBT3904LT3G |
| MMBT3906LT1G | Transistor bipolar de PNP, 3 VENTAJA SOT-23 (TO-236), 3000-REEL | EN el semiconductor | MMBT3904LT1G contra MMBT3906LT1G |
| MMBT3904,215 | MMBT3904 - transistor de transferencia de NPN TO-236 3-Pin | Nexperia | MMBT3904LT1G contra MMBT3904,215 |
| SST3904T116 | Transistor bipolar de la pequeña señal, 0.2A I (C), CEO de 40V V (BR), 1-Element, NPN, silicio, SST3, PIN 3 | Semiconductor de ROHM | MMBT3904LT1G contra SST3904T116 |
Un transistor de NPN es el transistor de empalme bipolar más de uso general y es construido intercalando un P-tipo semiconductor entre dos el N-tipo semiconductores. Un transistor de NPN tiene tres terminales - un colector, un emisor, y una base. El transistor de NPN se comporta como dos diodos de empalmes del PN conectados de nuevo a la parte posterior.
El MMBT3904LT1G es un transistor bipolar del silicio de NPN diseñado para el uso en soporte de la superficie del poder linear, más bajo y usos que cambian.
Soportes de ‘G’ para ‘verde’. El transistor de MMBT3904LT1G es la versión sin plomo del MMBT3904LT1.
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