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MMBT3904LT1Gの両極トランジスター-バイポーラ トランジスタ(BJT) NPNの一般目的
  • MMBT3904LT1Gの両極トランジスター-バイポーラ トランジスタ(BJT) NPNの一般目的

MMBT3904LT1Gの両極トランジスター-バイポーラ トランジスタ(BJT) NPNの一般目的

起源の場所 呼出し
ブランド名 onsemi
証明 ROHS
モデル番号 MMBT3904LT1G
製品詳細
製品名:
MMBT3904LT1G
条件:
原物100%
タイプの取付け:
両極トランジスター
電圧-供給:
標準
最高。逆の流れ:
標準
適用:
バイポーラ トランジスタBJT
製品の説明

                                                                    MMBT3904LT1Gの両極トランジスター-バイポーラ トランジスタ(BJT) NPNの一般目的 0MMBT3904LT1Gのデータ用紙

記述

MMBT3904LT1Gは線形および転換の機能の一般目的NPNのケイ素の両極トランジスターである。それはローパワー表面の台紙の塗布のために意図されているSOT-23パッケージ入って来。MMBT3904LT1Gは高い電流密度および広い電圧範囲を要求する回路で利用することができる。MMBT3904LT1Gの最高のemitter-base電圧は6 V.である。それは力の300までMW散らすことができる。


特徴

パッケージのタイプ:SOT−23 (TO−236)
トランジスター タイプ:NPN
最高のコレクター流れ(IC):200 mA
最高のCollector-Emitter電圧(VCEO):40ボルト
最高のCollector-Base電圧(VCBO):60ボルト
最高のEmitter-Base電圧(VEBO):6ボルト
最高の電力損失(PD):300 MW
最高の転移の頻度(fT):300のMHz
DCの現在の利益(hFE):100 - 300
貯蔵及び実用温度:摂氏-55から+150

適用

一般目的の切換え
信号処理
産業
自動車

指定

                     
属性 属性値
製造業者 オン・セミコンダクター
製品カテゴリ トランジスター(BJT単一) -
製造業者 オン・セミコンダクター
プロダクト部門両極トランジスター- BJT
RoHS細部
ブランド オン・セミコンダクター
土台式 SMD/SMT
パッケージ場合 SOT-23-3
トランジスター極性 NPN
構成 単一
コレクター エミッター電圧VCEO最高40ボルト
コレクター基盤電圧VCBO60ボルト
エミッター基盤電圧VEBO6ボルト
コレクター エミッター飽和電圧0.3ボルト
最高DCコレクター現在0.2 A
利益帯域幅プロダクトfT300のMHz
最高作動温度 + 150 C
シリーズ MMBT3904L
連続的コレクター現在 0.2 A
DCコレクター基盤利益hfe分 100
最低作動温度 - 55 C
包装巻き枠
Pd力消滅225 MW
単位重量0.050717 oz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  

 

 

 

 

 

   

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

                                        

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

                                                                                                                        機能多用性がある部品

形態、パッケージ、機能多用性がある部品

 

 

Part#製造業者 記述

製造業者

比較しなさい
BSR17A NPNの一般目的のアンプ、3000-REEL オン・セミコンダクター MMBT3904LT1G対BSR17A
MMBT3906LT3G PNPの両極トランジスター、SOT-23 (TO-236) 3鉛、10000-REEL オン・セミコンダクター MMBT3904LT1G対MMBT3906LT3G
MMBT3904 小さい信号の両極トランジスター、0.2A I (C)、40V V (BR) CEOの1要素、NPNのケイ素、TO-236、迎合的なROHSプラスチックPACKAGE-3 Diotecの半導体AG MMBT3904LT1G対MMBT3904
MMBT3906LT1 小さい信号の両極トランジスター、0.2A I (C)、PNP、 SynSemi株式会社 MMBT3904LT1G対MMBT3906LT1
MMBT3904-7-F 小さい信号の両極トランジスター、0.2A I (C)、40V V (BR) CEOの1要素、NPNのケイ素、緑、プラスチックPACKAGE-3 組み込まれるダイオード MMBT3904LT1G対MMBT3904-7-F
MMBT3904-TP 小さい信号の両極トランジスター、0.2A I (C)、40V V (BR) CEOの1要素、NPNのケイ素、迎合的なROHSプラスチックPACKAGE-3 マイクロ商業部品 MMBT3904LT1G対MMBT3904-TP
MMBT3904LT3G NPNの両極トランジスター、SOT-23 (TO-236) 3鉛、10000-REEL オン・セミコンダクター MMBT3904LT1G対MMBT3904LT3G
MMBT3906LT1G PNPの両極トランジスター、SOT-23 (TO-236) 3鉛、3000-REEL オン・セミコンダクター MMBT3904LT1G対MMBT3906LT1G
MMBT3904,215 MMBT3904 - NPNのスイッチング・トランジスタTO-236 3 Pin Nexperia MMBT3904LT1G対MMBT3904,215
SST3904T116 小さい信号の両極トランジスター、0.2A I (C)、40V V (BR) CEOの1要素、NPNのケイ素、SST3、3 PIN ROHMの半導体 MMBT3904LT1G対SST3904T116

 

 

よくでる質問

 

NPNの両極トランジスターは何であるか。

NPNのトランジスターは最も一般的なバイポーラ トランジスタで、2つのNタイプの半導体間のPタイプの半導体を挟むことによって組み立てられる。NPNのトランジスターは3台のターミナル-コレクター、エミッターおよび基盤--を備えている。NPNのトランジスターは続けて接続される2つのPNの接続点ダイオードのようにする。

MMBT3904LT1Gは何であるか。

MMBT3904LT1Gは線形、低い電力の表面の台紙および転換の適用の使用のために設計されているNPNのケイ素の両極トランジスターである。

MMBT3904LT1GとMMBT3904LT1の違いは何であるか。

『緑』のための『G』の立場。MMBT3904LT1GのトランジスターはMMBT3904LT1の無鉛版である。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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