MMBT3904LT1G는 선이고 스위칭 기능과 다목적 NPN 실리콘 쌍극성 트랜지스터입니다. 그것은 SOT-23 패키지에 들어오며, 그것이 저전력 표면 장착 적용품을 위해 의도됩니다. MMBT3904LT1G는 고전류밀도와 넓은 전압 범위를 요구하는 회로에서 이용될 수 있습니다. MMBT3904LT1G의 최대 이미터 베이스 전압은 6 V입니다. 그것은 전원의 최고 300까지 mW를 낭비할 수 있습니다.
패키지 형태 : SOT-23 (TO-236)
트랜지스터형 : NPN
맥스 수집기 경향(IC) : 200 마
맥스 컬렉터-이미터 전압 (VCEO) : 40 V
맥스 컬렉터베이스 전압 (VCBO) : 60 V
맥스 이미터 베이스 전압 (VEBO) : 6 V
MAX 출력 산재 (중양자를 포함하는 계의 pH에 상당하는술어) : 300 mW
맥스 전이 주파수 (fT) : 300 마하즈
직류 전류 이득 (hFE) : 100 - 300
저장 & 작동 온도 : +150 섭씨에 대한 -55
범용 스위칭
신호 처리
인더스트리얼
자동차
상술
특성 | 속성 값 |
---|---|
제조사 | ON 반도체 |
상품 카테고리 | 트랜지스터 (BJT) - 단일 |
제조사 | ON 반도체 |
상품 카테고리 | 바이폴라 트랜지스터 - BJT |
로에스 | 세부 사항 |
브랜드 | ON 반도체 |
증가하는 방식 | SMD / SMT |
포장 케이스 | SOT-23-3 |
트랜지스터 극성 | NPN |
구성 | 단일 |
수집기 방출기 전압 -VCEO 최대 | 40 V |
컬렉터 베이스 전압 -VCBO | 60 V |
방출기 베이스 전압 -VEBO | 6 V |
수집기 방출기 포화 전압 | 0.3 V |
최대 DC 수집기 경향 | 0.2 A |
이득 대역폭 제품 FT | 300 마하즈 |
최대 작업 온도 | + 150 C |
시리즈 | MMBT3904L |
연속적인 수집기 경향 | 0.2 A |
토대 획득 -하페 분 DC 수집기 | 100 |
최소 동작 온도 | - 55 C |
패키징 | 릴 |
Pd 전원 산재 | 225 mW |
단일 가중치 | 0.050717 온스 |
제조사 Part# | 기술 |
제조사 |
비교 |
BSR17A | NPN 다용도읜 증폭기, 3000-릴 | ON 반도체 | MMBT3904LT1G 대 BSR17A |
MMBT3906LT3G | PNP 바이폴라 트랜지스터, SOT-23 (TO-236) 3 리드, 10000-릴 | ON 반도체 | MMBT3904LT1G 대 MMBT3906LT3G |
MMBT3904 | 소신호 바이폴라 트랜지스터, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-요소, NPN, 실리콘, TO-236, 순응한 ROHS, 플라스틱 PACKAGE-3 | 디오테크 반도체 AG | MMBT3904LT1G 대 MMBT3904 |
MMBT3906LT1 | 소신호 바이폴라 트랜지스터, 0.2A I(C), PNP, | 신새미 Inc | MMBT3904LT1G 대 MMBT3906LT1 |
MMBT3904-7-F | 소신호 바이폴라 트랜지스터, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-요소, NPN, 실리콘, 녹색이, 플라스틱 PACKAGE-3 | 다이오드는 결합했습니다 | MMBT3904LT1G 대 MMBT3904-7-F |
MMBT3904-TP | 소신호 바이폴라 트랜지스터, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-요소, NPN, 실리콘, 순응한 ROHS, 플라스틱 PACKAGE-3 | 극소 상용 부품 | MMBT3904LT1G 대 MMBT3904-TP |
MMBT3904LT3G | NPN 바이폴라 트랜지스터, SOT-23 (TO-236) 3 리드, 10000-릴 | ON 반도체 | MMBT3904LT1G 대 MMBT3904LT3G |
MMBT3906LT1G | PNP 바이폴라 트랜지스터, SOT-23 (TO-236) 3 리드, 3000-릴 | ON 반도체 | MMBT3904LT1G 대 MMBT3906LT1G |
MMBT3904,215 | MMBT3904 - NPN 스위칭 트랜지스터 TO-236 3-핀 | 넥스페리아 | MMBT3904LT1G 대 MMBT3904,215 |
SST3904T116 | 소신호 바이폴라 트랜지스터, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-요소, NPN, 실리콘, SST3, 3개 핀 | ROHM 반도체 | MMBT3904LT1G 대 SST3904T116 |
엔피엔형 트랜지스터는 가장 일반적으로 사용된 양극 접합 트랜지스터이고, 2개의 n형 반도체 사이에 p형 반도체를 삽입함으로써 건설됩니다. 엔피엔형 트랜지스터는 3 단말기 - 수집기와 방출기와 토대를 가지고 있습니다. 엔피엔형 트랜지스터는 계속하여 연결된 두개의 PN 접합 다이오드처럼 작용합니다.
MMBT3904LT1G는 선, 더 낮은 전력 표면 부착에 사용하기 위해 설계된 NPN 실리콘 쌍극성 트랜지스터고 교환 응용입니다.
'G는' '녹색입니다' 의미합니다. MMBT3904LT1G 트랜지스터는 MMBT3904LT1에 대한 무연 버전입니다.
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