Folha de dados de MMBT3904LT1G
O MMBT3904LT1G é um transistor bipolar do silicone de uso geral de NPN com capacidades lineares e comutando. Vem no pacote SOT-23, que é pretendido para aplicações da montagem da superfície da baixa potência. O MMBT3904LT1G pode ser utilizado nos circuitos que exigem a densidade atual alta e uma escala larga da tensão. A tensão máxima da emissor-base do MMBT3904LT1G é 6 V. Pode dissipar até 300 mW do poder.
Tipo do pacote: SOT−23 (TO−236)
Tipo do transistor: NPN
Max Collector Current (IC): 200 miliampères
Max Collector-Emitter Voltage (VCEO): 40 V
Max Collector-Base Voltage (VCBO): 60 V
Max Emitter-Base Voltage (VEBO): 6 V
Max Power Dissipation (paládio): 300 mW
Max Transition Frequency (fT): 300 megahertz
Ganho atual de C.C. (hFE): 100 - 300
Temperatura do armazenamento & de funcionamento: -55 a +150 centígrados
Interruptor de uso geral
Tratamento dos sinais
Industrial
Automotivo
Especificações
Atributo | Valor de atributo |
---|---|
Fabricante | No semicondutor |
Categoria de produto | Transistor (BJT) - único |
Fabricante | No semicondutor |
Produto-categoria | Transistor bipolares - BJT |
RoHS | Detalhes |
Tipo | No semicondutor |
Montagem-estilo | SMD/SMT |
Pacote-caso | SOT-23-3 |
Transistor-polaridade | NPN |
Configuração | Único |
Coletor-Emissor-Tensão-VCEO-máximo | 40 V |
Coletor-Base-tensão-VCBO | 60 V |
Emissor-Base-tensão-VEBO | 6 V |
Coletor-Emissor-Saturação-tensão | 0,3 V |
Máximo-C.C.-coletor-atual | 0,2 A |
Ganho-Largura de banda-Produto-fT | 300 megahertz |
Máximo-Operar-temperatura | + 150 C |
Série | MMBT3904L |
Contínuo-Coletor-atual | 0,2 A |
C.C.-Coletor-Base-Ganho-hfe-minuto | 100 |
Mínimo-Operar-temperatura | - 55 C |
Empacotamento | Carretel |
Paládio-Poder-dissipação | 225 mW |
Unidade-peso | 0,050717 onças |
Fabricante Part # | Descrição |
Fabricante |
Compare |
BSR17A | Amplificador de uso geral de NPN, 3000-REEL | No semicondutor | MMBT3904LT1G contra BSR17A |
MMBT3906LT3G | Transistor bipolar de PNP, (TO-236) 3 LIGAÇÃO SOT-23, 10000-REEL | No semicondutor | MMBT3904LT1G contra MMBT3906LT3G |
MMBT3904 | Transistor bipolar do sinal pequeno, 0.2A I (C), CEO de 40V V (BR), 1-Element, NPN, silicone, TO-236, ROHS COMPLACENTE, PACKAGE-3 PLÁSTICO | Semicondutor AG de Diotec | MMBT3904LT1G contra MMBT3904 |
MMBT3906LT1 | Transistor bipolar do sinal pequeno, 0.2A I (C), PNP, | SynSemi Inc | MMBT3904LT1G contra MMBT3906LT1 |
MMBT3904-7-F | Transistor bipolar do sinal pequeno, 0.2A I (C), CEO de 40V V (BR), 1-Element, NPN, silicone, VERDE, PACKAGE-3 PLÁSTICO | Diodos incorporados | MMBT3904LT1G contra MMBT3904-7-F |
MMBT3904-TP | Transistor bipolar do sinal pequeno, 0.2A I (C), CEO de 40V V (BR), 1-Element, NPN, silicone, ROHS COMPLACENTE, PACKAGE-3 PLÁSTICO | Micro componentes comerciais | MMBT3904LT1G contra MMBT3904-TP |
MMBT3904LT3G | Transistor bipolar de NPN, (TO-236) 3 LIGAÇÃO SOT-23, 10000-REEL | No semicondutor | MMBT3904LT1G contra MMBT3904LT3G |
MMBT3906LT1G | Transistor bipolar de PNP, (TO-236) 3 LIGAÇÃO SOT-23, 3000-REEL | No semicondutor | MMBT3904LT1G contra MMBT3906LT1G |
MMBT3904,215 | MMBT3904 - transistor de interruptor TO-236 de NPN 3-Pin | Nexperia | MMBT3904LT1G contra MMBT3904,215 |
SST3904T116 | Transistor bipolar do sinal pequeno, 0.2A I (C), CEO de 40V V (BR), 1-Element, NPN, silicone, SST3, PIN 3 | Semicondutor de ROHM | MMBT3904LT1G contra SST3904T116 |
Um transistor de NPN é o transistor de junção bipolar o mais de uso geral e é construído imprensando um P-tipo semicondutor entre dois o N-tipo semicondutores. Um transistor de NPN tem três terminais - um coletor, um emissor, e uma base. O transistor de NPN comporta-se como dois diodos de junções do PN conectados de volta à parte traseira.
O MMBT3904LT1G é um transistor bipolar do silicone de NPN projetado para o uso na montagem da superfície do poder linear, mais baixo e em aplicações de comutação.
Suportes de ‘G’ para ‘verde’. O transistor de MMBT3904LT1G é a versão sem chumbo do MMBT3904LT1.
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